Al-Si合金RIE参数选择

• 作者: 仲涛 刘志弘 周卫 张伟 李希有
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 反应离子刻蚀 正交试验 Al刻蚀 刻蚀速率
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 集成电路制造技术
• 页码范围: 19-21
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2456字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2004.11.007

摘要

采用正交试验法对二手RIE刻Al设备A-360进行工艺参数选择试验,并以均匀性、刻蚀速率、对PR选择比为评价指标.试验中发现RF功率是影响各评价指标的最主要因素.通过进一步优化工艺,制定出了均匀性小于3%,刻蚀速率高于300nm/min,对PR选择比好于1.8的刻Al实用工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张伟	清华大学微电子学研究所	180	2989	27.0	49.0
2	刘志弘	清华大学微电子学研究所	20	75	4.0	8.0
3	周卫	清华大学微电子学研究所	10	64	4.0	7.0
4	仲涛	清华大学微电子学研究所	2	4	1.0	2.0
5	李希有	清华大学微电子学研究所	8	30	4.0	5.0