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半导体技术2016年出版文献
出版文献量（篇）
5044
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总被引数（次）
24788
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
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出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
总被引数（次）
24788
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1. 非配比InP材料研究进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2016年12期页码:摘要： InP的配比度对晶体质量及相关器件性能有重要影响.若In-P熔体为富铟状态,不仅不容易生长单晶,而且易出现铟夹杂物;若熔体为富磷状态,则晶体中深能级缺陷将大幅增加,磷富余量过多时容易在晶体尾...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2016年12期页码:摘要： 环境中存在着丰富的电磁波能量,而人体运动产生的机械能则是一种不受外界干扰非常稳定的能源,这些能源的存在使设备为自身供电成为可能.由于射频电磁波能量和振动能量密度低的特性,设计了一种能够匹配低...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2016年12期页码:摘要： 采用UMC 0.18 μm 1.8 V/3.3 V CMOS工艺设计并流片验证了一个应用于生医刺激器的新型负电压型电荷泵电路.介绍了几种典型的负电压型电荷泵电路,比较其优缺点,在此基础上设计...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2016年12期页码:摘要： 基于GaAs PHEMT ED25B与薄膜工艺设计了基于倒装应用的DC～26 GHz的单刀双掷(SPDT)开关.首先对倒装芯片与传统的正装芯片进行比较,倒装芯片MMIC技术具有明显的优势;然...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2016年12期页码:摘要： 温度是功率半导体器件备受关注的问题,不仅直接影响功率半导体器件的电气性能,而且还间接影响功率半导体器件的热学和机械特性.压接型IGBT器件内部是电磁场、温度场和结构场的多物理量耦合场,器件内...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2016年12期页码:摘要： 基于考虑载流子弹道输运等非局域传输瞬态效应的流体动力学模型,数值模拟计算了集电区在上面发射区在下面的倒置InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)器件的直流输出特性和高频性能...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2016年12期页码:摘要： 随着GaInP/GaInAs/GaInNAs/Ge四结太阳电池的快速发展,设计并镀制可与四结太阳电池更加匹配的光学减反膜系变得尤为重要.实验中通过TFCale软件理论模拟了3对TiO2/Si...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2016年12期页码:摘要： 采用一种管式扩散炉工艺制备了平均效率为20％的n型双面晶硅太阳电池.制得的n型双面晶硅电池峰值正面效率为20.30％、背面效率为17.59％.硼、磷扩散工艺分别在硼、磷高温管式扩散炉中实现,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2016年12期页码:摘要： 研究了使用不同研磨液的Cu CMP工艺对超低介电常数(ULK)薄膜介电常数k值的影响.实验结果表明经过Cu CMP工艺,ULK薄膜的介电常数k均有不同程度的增加.XPS成分分析结果表明,UL...
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10. 沟槽肖特基器件Si深槽刻蚀工艺刊名： 半导体技术发表期刊： 2016年12期页码:摘要： 深硅刻蚀工艺是制造沟槽肖特基器件的关键技术.Si深槽的深度影响肖特基反向击穿电压,深槽的垂直度影响多晶Si回填效果,侧壁平滑度及深槽底部长草现象对器件的耐压性能影响显著.采用SF6/O2常温...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2016年12期页码:摘要： 通过磷注入法合成并利用液封直拉法(LEC)生长了富铟InP单晶,将晶锭进行定向切割、研磨和抛光,得到InP抛光片.用金相显微镜、扫描电镜、快速扫描光荧光谱(PL-Mapping)技术、高分辨...
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12. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2016年12期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2016年12期页码:摘要： 针对先进半导体器件在失效分析过程中遇到的实际问题,介绍了两种优化的透射电镜(TEM)样品制备方法,两种方法均使用了聚焦离子束(FIB)设备完成.详细描述了两种制备方法的改善步骤以及改善后的效...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2016年12期页码:摘要： 为验证已建立的现场可编程门阵列(FPGA)器件准实时寿命评价系统的工程合理性,进行了加速寿命试验的设计.验证试验的设计,考虑不同型号之间的可靠性差异,针对特定型号的Xilinx XCV600...
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15. LED灯具照亮人民大会堂宴会厅刊名： 半导体技术发表期刊： 2016年12期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2016年12期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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