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半导体技术2013年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
总被引数（次）
24788
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 设计了一种适合于无线传感网(WSN)结点SoC芯片传感器接口电路应用的12 bit精度逐次逼近型(SAR)模数转换器(ADC).为了实现高精度、低成本,并兼容射频CMOS工艺的要求,利用全差...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 采用分布式放大器设计原理,基于GaAs PHEMT低噪声工艺技术,研制了一款超宽带低噪声放大器单片电路.该款放大器选用分布式拓扑结构,由五级电路构成,为了进一步提高分布式放大器的增益,在每一...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 基于GaAs材料和器件的制造工艺,介绍了纳米膜隧穿器件和微陀螺的结构设计方法和工艺加工方法.阐述了基于纳米膜隧穿效应微陀螺的工作原理,对纳米膜隧穿器件和微陀螺的结构进行了设计,分析了微陀螺的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 为了提高基于绝缘体上的硅(SOI)技术实现的横向扩散金属氧化物半导体器件(SOI LDMOS)的击穿电压,提出了斜埋氧SOI LDMOS (S SOI LDMOS)耐压新结构.当器件关断时,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 基于自主研发的碳化硅(SiC)材料外延技术,优化了材料各层结构及参数,减小了A1记忆效应,最终得到了高质量SiC外延片.采用自主研发成熟的SiC MESFET工艺平台,制作了多凹栅器件结构,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 光伏建筑一体化部件服役过程中组件温度会大幅度升高,使组件中太阳电池的输出特性受到影响导致输出功率下降,直接影响到一体化部件的电性能,因此准确地模拟出组件在服役过程中的温度场分布并计算出此热场...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 介绍了采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管的设计要点和关键工艺.根据器件的特性要求,优化设计了基区结构参数和门极-阴极图形,采用了高级交叉指状辅助门极结构,合理确定了短路发射极的尺寸及分布形式.采...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 近年来,N2退火和O2退火均被用于激活p-GaN中的Mg受主以提高p-GaN中的空穴浓度.基于两种退火技术,系统地研究了N2退火和O2退火对LED样品电学性能及光学性能的影响.电流电压特性的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 基于应变硅以及绝缘体上超薄应变硅(SSOI)工艺,使用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液与质量分数为25％的四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液选择性腐蚀Sil-xGex与Si以制备绝缘体上超薄应变硅....
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10. 硅基高长径比深孔阵列的制作研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 高长径比深孔阵列是微通道板、高分辨率X射线探测器、X射线二维光栅等器件的基本结构.基于制作大面积高长径比的深孔阵列目前仍是微纳制作技术面临的重大挑战.介绍了几种硅基微孔阵列的制作方法并分析了...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 以获得高去除速率和低表面粗糙度为目标,建立了基于纳米氧化铈-硅溶胶复配混合磨料新模式.采用小粒径、低分散度的30 nm氧化铈-硅溶胶复配混合作为磨料,利用氧化铈对硅片表面化学反应产物硅酸胺盐...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 为降低金属或金属硅化物源漏与沟道的肖特基势垒高度以改善肖特基势垒源漏场效应晶体管(SBSD-MOSFET)的开关电流比(Ion/Ioff),采用硅化诱发杂质分凝技术(SIDS)调节NiSi/...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 散热问题是LED灯具成为新一代照明光源亟待解决的关键问题之一.提出一种LED灯具散热建模方法:选用LED射灯作为代表产品进行散热建模研究,采用三维造型软件建立LED灯具产品三维模型,然后导入...
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14. 低温密封焊接技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 分析了低温密封焊的工艺难点,通过改变腔体耦合结构及工艺实验,实现了微波产品高气密性快速低温焊接.从焊料、气密性两方面进行工艺难点分析并进行工艺实验及可靠性实验研究.通过调整腔体的耦合结构,选...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 倒装芯片封装中的下填充工艺可以有效地提高封装连接的可靠性,因而得到了广泛应用.含有硅填料的环氧树脂是常用的下填充胶料,在下填充流动过程中表现出明显的非牛顿流体特性.利用Fluent软件对具有...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 固态功率控制器或固体继电器逐步向大功率方向发展,其结温测量与监控成为工程应用中的难题,针对这类具有输入输出隔离功能的器件,采用等功率结温测试法研究了基于MOSFET的功率控制器结温无损伤测量...
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17. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年1期页码:摘要：
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18. SiC新一代电力电子器件的进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年2期页码:摘要： 以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料的突破给发展新一代电力电子带来希望.SiC材料具有比Si材料更高的击穿场强、更高的载流子饱和速度和更高的热导率,使SiC电力电子器件比Si的同类器件具...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年2期页码:摘要： 介绍了一种8 ～ 20 GHz单片低噪声放大器的研制过程.本电路采用两级放大拓扑,自偏置结构.采用串联负反馈技术降低噪声系数和输入驻波比,采用负反馈技术扩展带宽和提高动态范围.电路设计基于A...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年2期页码:摘要： 设计了一种1.8～3.3V的自偏置LDO电路,无需外加基准电路,且具有良好的负载调整率和工艺兼容性.该电路采用无需双极型晶体管的基准电路,并且在负载电压和负载电流之间采用电流倍增电路进行隔离...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年2期页码:摘要： 采用GaAs PHEMT工艺,研究了PHEMT器件材料结构和大信号建模,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研制了高效率Ka波段GaAs功率放大器M...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年2期页码:摘要： 针对传统的共基-共射(CB-CE)回转器有源电感的品质因子Q值低等缺点,应用Cascode结构把CB-CE有源电感改进为共基-共射-共基(CB-CE-CB)有源电感,推导出等效电路及等效阻抗...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年2期页码:摘要： 在高纯半绝缘(HPSI)衬底上外延生长了SiC材料,自主开发了SiC MESFET器件制作工艺,实现了单胞栅宽27 mm芯片的制作.优化了芯片装配形式,通过在管壳内外引入匹配网络提升了芯片输...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年2期页码:摘要： 研究了在GaAs (001)衬底上外延生长的本征ZnTe薄膜样品在氮气氛中450 ～550℃下的快速退火行为.对于1 min退火的样品,随着退火温度的升高,ZnTe (004)峰双晶X射线(...
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25. 湿法腐蚀GaP对LED性能的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年2期页码:摘要： 采用化学湿法方法对红光LED的p-GaP层进行腐蚀,研究了不同溶液、不同的溶液配比以及不同的腐蚀时间对LED光电性能的影响.结果表明,当腐蚀深度为1μm时,化学溶液采用HCl∶HN03∶H2...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年2期页码:摘要： 介绍了In0.17Al0.83N在质量分数10％的四甲基氢氧化铵(TMAH)碱性溶液中的腐蚀行为实验研究.通过扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察腐蚀样品,发现其腐蚀机理是起...
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27. 恒温温补石英晶体振荡器刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年2期页码:摘要： 提出了一种恒温温补晶振(OCTCXO)的实现方法,该OCTCXO由两部分组成:温度补偿晶体振荡器(TCXO)和恒温槽.TCXO放置在恒温槽中,恒温槽是一个负反馈自动控制系统,当环境温度小于恒...
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28. P波段长脉宽小型化大功率模块研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年2期页码:摘要： 基于放大器小型化大功率的发展趋势,介绍了一种P波段用于雷达装备的长脉宽小型化大功率的放大器模块.为实现小型化设计,该模块采用微波混合集成电路,独特的双层腔体结构,TTL调制电压信号、阻抗转换...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年2期页码:摘要： 为实现在100 mm直径硅衬底上金属有机物化学气相外延(MOCVD)生长无裂纹GaN,系统研究了预铺铝时间参数对AlN成核质量的影响、不同厚度条件下AlN层对GaN生长的影响以及Al组分渐变...
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30. 类单晶硅锭中的亚晶粒结构分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2013年2期页码:摘要： 当前类单晶硅锭生长技术已能容易地获得尺寸数倍于太阳电池硅片的＜001＞取向的超大“晶粒”,但在其硅片中存在亚晶粒.采用位错刻蚀与显微观察、X射线双晶衍射和背散射电子衍射(EBSD),研究了该...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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