In0.17Al0.83N在碱性溶液中的化学湿法腐蚀行为研究

• 作者: 冯志红 刘波 尹甲运 房玉龙 王晶晶 邢东
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: In0.17Al0.83N 湿法腐蚀行为 碱性溶液 线位错 牺牲层
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 118-121
• 分类号: TN304.26
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.02.009

摘要

介绍了In0.17Al0.83N在质量分数10％的四甲基氢氧化铵(TMAH)碱性溶液中的腐蚀行为实验研究.通过扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察腐蚀样品,发现其腐蚀机理是起源于晶体中线位错缺陷的侧向腐蚀.这是由于线位错在In0.17Al0.83N晶体表面的交汇处与周围晶体相比,具有较高的化学不稳定性,容易被腐蚀,形成缺陷腐蚀坑.随着腐蚀的进一步发生,暴露在腐蚀液中的腐蚀坑侧壁,更容易受到腐蚀,造成了以侧向腐蚀为主的腐蚀.AFM和SEM观察到的大多数腐蚀坑是与InAlN晶体中的螺位错、刃位错或混合位错有关.这种腐蚀方法适合在宽禁带半导体制造中以InAlN为牺牲层的工艺上应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	房玉龙		15	24	2.0	3.0
2	冯志红		38	81	5.0	5.0
3	邢东		8	27	4.0	4.0
4	王晶晶		4	3	1.0	1.0
5	刘波		11	33	4.0	5.0
6	尹甲运		13	32	4.0	5.0