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半导体技术2017年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
总被引数（次）
24788
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年1期页码:摘要： GaN基增强型高速开关器件是提升X波段微系统集成放大器工作效率的核心器件.介绍了凹槽栅结构、F-注入等制作GaN基增强型器件的关键技术,同时分析了场板、介质栅等对器件击穿特性的影响.针对影响...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年1期页码:摘要： 提出了一种高性能电荷泵的建模和设计实现方法.为了实现在大的负载电流变化范围内具有高转换效率和低输出电压纹波,提出了变频模式(VFM)和脉冲跳变模式(PSM)双模式控制的电荷泵,并建立了相应的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年1期页码:摘要： 针对铷原予能级跃迁对光谱的特殊需求,设计并制备了795 nm单模垂直腔面发射激光器(VCSEL).根据对VCSEL的光场和模式的分析和计算结果,设计了单模VCSEL芯片结构.采用MOCVD技...
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4. 集成式等效低压二极管刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年1期页码:摘要： 采用集成器件结构和先进工艺研制了一款等效低压二极管.该等效低压二极管的等效电路实质是一个普通npn三极管和一个普通二极管并联.这种结构的器件的正向特性是普通二极管的正向压降;反向特性是普通n...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年1期页码:摘要： 二极管是定向检波器的重要组件,提高定向检波器的检波灵敏度,需要降低二极管的开启电压.而平面掺杂势垒(PDB)二极管具有极低的势垒高度,适合制作定向检波器.设计了GaAs平面掺杂势垒二极管的材...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年1期页码:摘要： AlN薄膜因其具有优异的物理化学性能而有着广阔的应用前景,采用反应磁控溅射法在低温条件下制备AlN薄膜是近些年科研工作的热点.采用直流磁控溅射法,于室温下通入不同流量的氮气在p型硅(100)...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年1期页码:摘要： 有机胺碱可与铜离子反应且产物在碱性条件下溶于水,这为硅通孔(TSV)铜膜的碱性化学机械抛光(CMP)提供了有利条件.研究了大分子有机胺碱对铜膜化学机械抛光的影响.首先测试了不同体积分数有机胺...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年1期页码:摘要： 以Cd(NO3)2和Na2SeSO3的混合液为反应体系,采用液相法(绝氧环境)制备CdSe纳米晶.探讨了Cd与Se摩尔比、Na2EDTA用量、反应温度和反应时间等制备条件对样品在模拟太阳光下...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年1期页码:摘要： 采用磁控溅射方法和热处理工艺在Si衬底上制备了不同Al质量分数的Mg2Si薄膜,研究了不同Al质量分数对Mg2Si薄膜结构及其电学性质的影响.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SE...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年1期页码:摘要： 采用铜互连工艺的先进芯片在封装过程中,铜互连结构中比较脆弱的低介电常数(k)介质层,容易因受到较高的热机械应力而发生失效破坏,出现芯片封装交互作用(CPI)影响问题.采用有限元子模型的方法,...
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11. 半导体材料辐射效应的表征与分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年1期页码:摘要： 在辐射环境中,电子系统常用的半导体器件及电路会出现不同程度的性能退化,甚至发生失效.其根本原因来源于辐射致组成半导体器件的材料内部缺陷的产生和积累.表征和分析辐射致材料内部缺陷的种类、浓度、...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年1期页码:摘要： 对大容量FPGA芯片进行功能验证时,如何提高验证效率以及验证用例的覆盖率已经成为缩短总体产品时间所面临的挑战.针对上述问题,提出了一种高效、高速的大容量FPGA电路验证方法,可以根据验证用例...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年1期页码:摘要： 铝焊垫表面残留物的检测是确保铝焊垫质量的重要指标.俄歇电子能谱仪(AES)由于检测区域小、表面分析灵敏度高,被广泛用于集成电路(IC)芯片制造中铝焊垫的表面成分分析,但荷电效应的存在常常会影...
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14. 张应变锗薄膜制备技术的研究进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年3期页码:摘要： 由于与硅集成电路工艺兼容的张应变锗薄膜在光电器件如光电探测器、调制器,特别是发光器件中具有潜在的应用前景,使其得到了广泛关注.然而,在锗薄膜中引入可控的、大的张应变是个挑战.综述了张应变锗薄...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年3期页码:摘要： 针对传统欠压锁定(UVLO)电路结构复杂和响应速度慢的问题,设计了一种高精度的快速响应欠压锁定电路.该电路整体均由CMOS管组成,结构简单且易于实现.采用电流模控制技术,随电源电压呈二次方曲...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年3期页码:摘要： 包络跟踪技术已经成为提高功率放大器效率的重要研究方向,其中高效率、高功率开关电源调制器是研究重点.对实际的开关电源调制电路以及相应的参数进行了分析,提出了适用于包络跟踪技术的开关电源调制电路...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年3期页码:摘要： 基于TSMC 0.13 μm CMOS工艺,设计了一款适用于无线保真(WiFi)收发机的发射端、工作在2.4 GHz且增益可控的三级级联功率放大器.驱动级采用单管结构,后两级采用共源共栅(M...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年3期页码:摘要： 研制了一款可编程6阶巴特沃斯有源RC滤波器.为提高滤波器中运算放大器的增益带宽积,设计了一种新型的前馈补偿运算放大器.为消除工艺偏差和环境变化对截止频率的影响,设计了一种片上数字控制频率调谐...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年3期页码:摘要： 基于数值仿真结果,采用结势垒肖特基(JBS)结构和多重场限环终端结构实现了3 300 V/50 A 4H-SiC肖特基二极管(SBD),所用4H-SiC外延材料厚度为35 μm、n型掺杂浓度...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年3期页码:摘要： 相比于传统的Si IGBT功率器件而言,碳化硅MOSFET可达到更高的开关频率、更高的工作温度以及更低的功率损耗.然而,快速的暂态过程使开关性能对回路的寄生参数更加敏感.因此,为了评估寄生电...
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21. n型硅双面发电光伏组件及其应用刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年3期页码:摘要： n型硅双面发电光伏(PV)电池组件具有光致衰减小、弱光响应好、温度系数低等优势,正面和反面均具有把光能转换成电能的能力.通过研究双面发电PV组件的结构和制备技术,成功研发了高效率低成本的n型...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年3期页码:摘要： 基于华润上华0.5 μm双极-CMOS-DMOS (BCD)工艺设计制备了不同保护环分布情况下的叉指型内嵌可控硅整流器的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)结构器件,并利用传输线脉...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年3期页码:摘要： 在阻挡层化学机械抛光(CMP)过程中,阻挡层材料钽(Ta)易与铜(Cu)发生电偶腐蚀.针对这一问题,通过电化学分析方法研究了碱性抛光液中非离子表面活性剂对铜钽腐蚀电位的影响;通过CMP实验研...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年3期页码:摘要： 通过1 300℃高温干氧热氧化法在n型4H-SiC外延片上生长了厚度为60 nm的SiO2栅氧化层.为了开发适合于生长低界面态密度和高沟道载流子迁移率的SiC MOSFET器件产品的栅极氧化...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年3期页码:摘要： 对GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)在栅凹槽光刻和栅凹槽腐蚀过程中光刻窗口内经常出现的一些沾污颗粒进行了分析.设计了一系列实验来分析残留在芯片上的颗粒度参数,采用4英寸(1英寸=2...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年3期页码:摘要： 星载设备长时间工作在空间环境中,宇宙中的带电粒子会造成器件功能异常,产生存储器软错误,严重时会损坏硬件电路.为模拟辐照环境对器件的影响,利用Xilinx公司的软错误缓解(SEM)控制器IP核...
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27. 白光干涉检测仪垂直扫描系统设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年3期页码:摘要： 白光垂直扫描干涉测量方法具有高精度、大量程并且为非接触测量等优点,因此被广泛地应用于半导体、微机电系统(MEMS)等检测领域.传统的白光扫描干涉仪采用压电(PZT)陶瓷驱动器,虽然能实现高精...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年3期页码:摘要： 基于JEDEC颁布的结到壳热阻瞬态热测试界面法,对测试GaN HEMT器件热特性的电学法进行了研究.通过合理的测试电路设计,有效解决了GaN HEMT器件电学法测试中的栅极保护问题和自激问题...
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29. SiC新一代电力电子学的创新发展刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年4期页码:摘要： 进入21世纪,宽禁带半导体材料的发展对电力电子学产生了革命性的影响,SiC新一代电力电子学应运而生.从高频高效率开关应用、高功率密度、高压变换、高温工作、热管理和可靠性研究等方面介绍了近几年...
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30. 12bit高稳定性数模转换器设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年4期页码:摘要： 设计了一款12 bit高稳定性控制类数模转换器(DAC),该DAC集成了带有稳定启动电路的新型低失调带隙基准源(BGR),改善了基准电路的稳定性以及对温度和工艺的敏感性;DAC采用了改进的两...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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