795nm单模垂直腔面发射激光器

• 作者: 宁吉丰 张岩 杨红伟 王彦照 陈宏泰
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 单模 铷 原子传感器 调制带宽
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 17-22
• 页数: 6页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.01.003

摘要

针对铷原予能级跃迁对光谱的特殊需求,设计并制备了795 nm单模垂直腔面发射激光器(VCSEL).根据对VCSEL的光场和模式的分析和计算结果,设计了单模VCSEL芯片结构.采用MOCVD技术生长了外延结构,制备了不同有源区直径的氧化限制型VCSEL芯片并进行了测试.当有源区直径从6 μm减小到3μm时,VCSEL芯片的边模抑制比(SMSR)由8.76 dB增加到34.05 dB,阈值电流由0.77 mA减小到0.35 mA.有源区直径为6,5,4和3μm的VCSEL芯片的输出功率分别为0.37,0.46,0.58和0.44 mW,有源区直径为4μm的VCSEL芯片的远场为圆形光束,发散角为15°.85℃时3.5 μm有源区直径的VCSEL芯片输出功率为0.125 mW,激射波长为795.3 nm.室温3 dB带宽大于8 GHz,满足了铷原子传感器对VCSEL单模光谱、输出功率及调制速率的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈宏泰	中国电子科技集团公司第十三研究所	25	102	6.0	8.0
2	杨红伟	中国电子科技集团公司第十三研究所	23	87	6.0	7.0
3	张岩	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	10	2.0	2.0
4	王彦照	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	2	1.0	1.0
5	宁吉丰	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	8	2.0	2.0