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半导体技术2022年出版文献
出版文献量（篇）
5044
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38
总被引数（次）
24788
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年1期页码:摘要： 在非易失性存储器领域,非易失性静态随机存储器(NVSRAM)可以克服现有非易失性存储器的缺点与限制,并完全替代静态随机存储器(SRAM).首先,对几种新型非易失性存储器进行了简单阐述;其次介...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年1期页码:摘要： 栅极一直是SiC MOSFET可靠性研究的重点,栅极老化过程中电参数之间的耦合关系对栅极可靠性研究有至关重要的作用.为此,搭建了能够同时监测阈值电压和栅极漏电流的高温栅偏(HTGB)试验平台...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年1期页码:摘要： 氮化硅平台阵列波导光栅(AWG)波分(解)复用器具有损耗低、集成度高、温度敏感性低等优势.基于联合微电子中心有限责任公司(CUMEC)的氮化硅集成光子工艺平台,从波导传输损耗、阵列波导与平板...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年1期页码:摘要： 结温预测对于功率器件的可靠性分析具有重要意义,基于此,提出了一种基于电热耦合模型的功率器件结温预测方法.首先通过Twin Builder软件建立了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的行为模型,通过...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年1期页码:摘要： 硅基光电子芯片的端面耦合器具有大带宽、低损耗、偏振不敏感等优点,使人们希望在端面封装方面获得突破.提出了一种用于硅基光电子芯片端面封装的深硅刻蚀工艺,利用等离子体刻蚀形成的斜面与光纤阵列的封...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年1期页码:摘要： 钴(Co)的化学机械抛光(CMP)要求有较高的去除速率(大于100 nm/min)和洁净平整的表面.采用新型弱碱性抛光液,研究不同成分(如过氧化氢(H2O2)、1,2,4-三氮唑(TAZ)、...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年1期页码:摘要： 由于存在化学刻蚀的各向同性作用,不可避免地会在等离子体深硅刻蚀工艺中出现底部圆角,而过大的底部圆角给许多工艺应用带来不利影响.为了减小在等离子体深硅刻蚀中的底部圆角,对埋入式扇出型封装中的硅...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年1期页码:摘要： 在集成电路制造中,湿法清洗工艺中铝金属腐蚀是一种致命缺陷,它的出现将引发产品的可靠性问题.通过控制清洗过程中的工艺参数,增加起侧壁保护作用的铝金属氧化层的厚度,从而抑制铝金属腐蚀缺陷的产生....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年1期页码:摘要： 基于硅通孔(TSV)技术,可以实现微米级三维无源电感的片上集成,可应用于微波/射频电路及系统的微型化、一体化三维集成.考虑到三维集成电路及系统中复杂、高密度的电磁环境,在TSV电感的设计和使...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年1期页码:摘要： 基于0.15 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,实现了一款用于5G毫米波通信的低插损高隔离单刀双掷(SPDT)开关芯片.为了降低插损,每个开关支路通过四分之一波长阻抗变...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年1期页码:摘要： 针对太赫兹GaAs肖特基二极管倍频器芯片散热能力差导致输出功率低的问题,开展了GaAs/AlN异构集成太赫兹倍频器芯片研究.通过稳态热仿真发现,将肖特基二极管芯片衬底由GaAs替换为热导率更...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年1期页码:摘要： 基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM).详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素.测试并量化了其在...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年1期页码:摘要： 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片的静态输出曲线是考核其能量损耗及指导多芯片并联设计的重要指标之一.现有测量IGBT静态输出曲线的方法多采用商用化的功率器件分析仪,然而商业化功率器件分析仪存...
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14. 《半导体技术》稿约刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年1期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年2期页码:摘要： 氮化镓(GaN)因具有耐酸碱、硬度大等特点使其难以进行精密加工.因此,高效实现GaN的化学机械抛光(CMP)成为了一个技术难题.CMP过程中,抛光液的组分及其性质对抛光效果起决定性的作用.对...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年2期页码:摘要： 采用化学气相输运(CVT)法和微机械剥离技术制备了SnS2薄膜,使用Au电极作为源、漏电极,n型重掺杂Si作为栅极,制备了基于SnS2薄膜的背栅型场效应晶体管(FET),并研究了其电学特性和...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年2期页码:摘要： 设计并研究了一种带有轻掺杂漏(LDD)和斜向扩展源(OES)的双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET),并利用Sentaurus TCAD仿真工具对栅长及扩展源长度等关键参数进行了仿真分析.对...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年2期页码:摘要： 研究了Z切700 nm厚的单晶铌酸锂(LiNbO3)薄膜电畴的调控方法.利用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对单晶LiNbO3薄膜的晶向和形貌进行了表征,并通过外加电场对单晶L...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年2期页码:摘要： Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜因其元素储量高、较佳的光学带隙、优异的电学性能等优势而得到广泛关注.以硝酸铋为铋源、乙酸钠为钠源,采用溶胶-凝胶法制备Na-Bi掺杂的CZTS薄膜.研究Na...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年2期页码:摘要： 采用柠檬酸作为pH调节剂和分散剂,针对CeO2磨料水溶液的分散性差以及浅沟槽隔离(STI)化学机械抛光(CMP)过程中正硅酸乙酯(TEOS)/氮化硅(Si3N4)的去除速率选择性难以控制的问...
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21. SiC晶圆背面激光退火工艺研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年2期页码:摘要： 降低芯片背面金属-半导体欧姆接触电阻是有效提高器件性能的方式之一.采用650 V SiC肖特基势垒二极管(SBD)工艺,使用波长355 nm不同能量的脉冲激光进行退火实验,利用X射线衍射(X...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年2期页码:摘要： 重点探究了直径200 mm超厚层硅片滑移线的影响因素以及控制方法.使用平板硅外延炉加工超厚层外延片,并使用颗粒测试仪SP1和光学干涉显微镜表征滑移线.从热应力是滑移线的主要成因出发,通过对衬...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年2期页码:摘要： 为缩短高速模数转换器(ADC)中高位(MSB)电容建立时间以及减小功耗,提出了一种基于分段式电容阵列的改进型逐次逼近型(SAR) ADC结构,通过翻转小电容阵列代替翻转大电容阵列以产生高位数...
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24. 硅基单片集成单边带调制器刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年2期页码:摘要： 基于CMOS兼容的硅基光子集成工艺,设计并实现了一种具有高边带抑制比的硅基单片集成单边带调制器.单边带调制器采用正交混合耦合器实现上下两臂等幅度、90°相位差的射频信号加载,基于硅基双驱动马...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年2期页码:摘要： 设计了一款基于高压BCD工艺的内集成MOS自举电路,将其应用于高压集成电路(HVIC).对传统的内集成MOS自举电路进行改进,该改进版内置MOS自举电路集成升压控制模块,实现在HVIC通电后...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年2期页码:摘要： 为了延长便携式、可穿戴医疗设备的待机时间,设计了一种具有超低静态电流的低压差(LDO)线性稳压器.采用误差放大器与基准电路相结合的结构,在降低静态电流的同时减小芯片面积;其次,利用负载检测模...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年2期页码:摘要： 对一种典型2.5D封装结构在回流焊工艺过程的热应力进行仿真.通过对比分析传统热力学仿真方法与基于生死单元技术的热力学仿真方法,研究了计算方法对热应力计算结果的影响.在相同参考温度下,由不同计...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年3期页码:摘要： 进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电...
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29. 《半导体技术》稿约刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年3期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2022年3期页码:摘要： 在Si基GaN上制备了与CMOS工艺兼容的高性能准垂直结构肖特基势垒二极管(SBD).探索了在GaN体材料上基于Ti/Al/Ti/TiN结构的无金欧姆接触工艺,在650℃的N2氛围退火60 ...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
半导体技术统计分析
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