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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 1. MOSFET器件回顾与展望(下)
    作者： 夏青 肖德元 陈国庆
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  1-5,25
    摘要： 介绍了新颖的MOS器件结构及鳍状FET器件研究最新进展, 比较了几种主要新颖半导体器件的特性,指出了MOSFET尺寸缩小所面临的巨大挑战及解决办法,展望了器件未来发展趋势.
  • 2. AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的研究进展
    作者： 冯震 裴风丽 陈炳若
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  6-11
    摘要： 从欧姆接触形成的机理出发,介绍了在AlGaN/GaN HEMT中实现源和漏区欧姆接触的各种方法,如表面处理技术、金属化系统和重掺杂技术等.回顾了近年来这些方法的研究进展.
  • 3. 用于光刻的EUV光源
    作者： 赵环昱 赵红卫
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  12-16
    摘要： 对国际上普遍采用的两种EUV光源:放电等离子体源(DPP)和激光等离子体源(LPP)进行了多方面比较.给出了两种等离子体源各自优点及难以克服的困难.基于目前的测量结果,指出了ECR等离子体有...
  • 4. 300 mm半导体代工厂的化学供应系统探讨
    作者： 张云秀 黄其煜
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  17-20
    摘要： 随着中国半导体业的发展,300 mm半导体代工厂(foundry)在中国纷纷出现,本讨论介绍了300 mm代工厂厂务化学系统的定义和分类、基本构成、安全设计和品质监控的要点,力图使读者对厂务...
  • 5. CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的结构和特点
    作者： 宁彦卿 王志华 陈弘毅
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  21-25
    摘要： 在近年来的文献报道中,CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的电路结构变化多端.在不同的设计中,MOS管的类型、数目和连接方式有很多不同的结构.从其基本结构出发总结这些结构,就不同结构MO...
  • 6. 改进型抗单粒子效应D触发器
    作者： 沈鸣杰 程君侠 赵金薇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  26-28,32
    摘要： 在对抗单粒子效应技术研究的基础上,构造了一种改进型的抗单粒子翻转和单粒子瞬变的主从型边沿D触发器.该D触发器在不影响设计流程的情况下能使得整个芯片都具有抗单粒子效应,并有效改善了以往由于引入...
  • 7. 一种采用饱和区MOS管作调节开关的电荷泵
    作者： 叶星宁 王少军 程珍娟
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  29-32
    摘要： 为了得到稳定的输出电压,电荷泵电路需要通过负反馈系统进行控制.在传统的"Skip"模式电荷泵中,采用工作在线性区的MOS管做开关,通过控制振荡器来调节输出电压,但这种方式会产生较大的输出电压...
  • 8. LDMOS射频功率放大器电热记忆效应研究
    作者： 冯永生 刘元安
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  33-36
    摘要： 以横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)场效应管射频功率放大器为例,介绍了LDMOS FET电热效应模型,理论推导了LDMOS FET的结温与其耗散功率的量化关系,揭示了射频功率放大器电热记...
  • 9. pH值对铌酸锂晶片抛光速率及抛光表面的影响
    作者： 刘承霖 刘玉岭 刘长宇 武晓玲 王胜利
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  37-39
    摘要： 采用化学机械抛光方法,自制碱性抛光液对铌酸锂晶片进行抛光,通过试验得出适宜铌酸锂晶片抛光的pH值,配合压力、流量等外界参数可以得到较高的表面质量和较快抛光速率.分析了铌酸锂晶片在碱性条件下的...
  • 10. ICP刻蚀损伤对n-GaN-Ni/Au肖特基接触特性的影响
    作者： 冯倩 刘杰 张进诚 杨艳 王冲 郝跃 龚欣
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  40-42,81
    摘要： 通过电流-电压法(I-V),电容-电压法(C-V)对n-GaN材料的ICP(感应耦合等离子体)刻蚀样品和未刻蚀样品上的肖特基势垒二极管的电学特性进行了分析.利用原子力显微镜(AFM)和扫描电...
  • 11. ICP刻蚀机反应腔室气流仿真研究
    作者： 朱煜 程嘉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  43-46,83
    摘要： 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀机反应腔室的气流分布是影响等离子体分布与刻蚀工艺均匀性的重要原因之一.使用商业软件CFD-ACE+中的连续流体与热传递模型,对反应腔室中气流分布进行了仿真研究,...
  • 12. 不同钝化层对硅基铝金属膜应力影响的研究
    作者： 付厚奎 吴月花 李志国 李秀宇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  47-51
    摘要： 采用光偏振相移干涉原理测量了硅基上不同钝化层下铝膜应力的变化.研究表明:不同的钝化层对铝膜的应力影响不同.SiO2钝化层下的铝膜应力最小,而钝化层为聚酰亚胺的铝膜应力最大.200 ℃下退火4...
  • 13. 一种基于DDS的改进信号合成电路设计
    作者： 于宗光 张树丹 张汉富 李琨
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  52-54
    摘要： 传统的信号合成电路利用DDS产生载波信号,再将原信号利用乘法器和加法器来进行合成.基于ROM查找表法和CORDIC算法,本设计提出了一种改进结构.仿真与分析结果表明,与原有电路结构相比,改进...
  • 14. 车载定位导航终端的设计
    作者： 方康玲 郑凯
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  55-57,61
    摘要： 设计了一种GSM/GPRS的车载定位导航终端.该终端基于先进的SOC技术,开发了单片机IP核中内嵌的特定功能,利用单片机的内置闪存ROM技术扩展系统存储空间,实现大量定位信息的存储,并设计了...
  • 15. FPGA中通用互连结构的设计与优化
    作者： 于宗光 侯卫华 刘战 刘明锋 张惠国 施亮 高宁
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  58-61
    摘要： 介绍了一款基于SRAM技术的FPGA电路的通用互连结构.在对其通用互连线的延时模型进行分析的基础上,提出了一种改进的互连结构.基于CSMC 0.6 μm工艺下的SPICE仿真及流片结果表明,...
  • 16. 2.45 GHz全集成CMOS功率放大器设计
    作者： 兰盛昌 徐国栋 朱丽军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  62-64,81
    摘要： 在一个RF收发机系统中,功率放大器的集成问题一直是难点之一.首先简要介绍开关模式功率放大器及其提高效率的理论基础,然后采用0.18 μm CMOS工艺给出了工作在2.45 GHz的全集成单片...
  • 17. 高性能双模前置分频器设计
    作者： 晏敏 曾云 曾健平 章兢 谢海情
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  65-67,73
    摘要： 提出了一种新颖的分频器设计方案,在高频段采用改进的CMOS源耦合逻辑(SCL)结构的主从D触发器进行分频,以满足高速要求;在低频段采用自锁存的D触发器进行分频.这种结构的D触发器不但具有锁存...
  • 18. TSOP封装脱模中硅片碎裂失效的有限元分析
    作者： 杨震宇 王明湘 许华平
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  68-73
    摘要： 针对TSOP封装在塑封工艺中脱模时可能发生的芯片碎裂,利用有限元法模拟封装脱模过程阐明了芯片碎裂失效的机制.研究表明,模具内表面有机物形成的局部沾污可能阻碍芯片的顺利脱模,导致硅片内产生较大...
  • 19. 基于线阵CCD的光刻机调焦调平系统的研究
    作者： 刘世元 史铁林 尹作海
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  74-76
    摘要： 介绍了一种基于线阵CCD的光刻机调焦调平系统,讨论了其检测和控制原理.介绍了调焦调平系统的光学结构,并建立起了理想的单点高度测量与整场调焦调平的算法模型.
  • 20. ESD电热模拟分析
    作者： 李永坤 罗宏伟 郝跃
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  77-81
    摘要： 在分析ESD失效机制的基础上,介绍了目前热击穿的研究情况,指出器件失效前所承受的功率与时间的关系对于研究热击穿的重要性;然后介绍了几个关于失效功率的热模型,分析了相关ESD模拟软件工具,提出...
  • 21. 飞思卡尔汽车微控制器MPC5561提升智能安全性能
    作者： 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  82-83
    摘要：
  • 22. 分立器件信有明天
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  84,86
    摘要：
  • 23. 中国半导体产业的春天在哪里
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年1期
    页码:  85-86
    摘要：
  • 24. 选择性生长技术制备GaN薄膜的研究进展
    作者： 刘彩池 张帷 郝秋艳
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  93-96
    摘要： Ⅲ族氮化物化合物半导体GaN是目前半导体领域的研究热点之一,具有宽禁带、高温下物理、化学性质稳定等特点,在光电子、微电子等领域有广泛的应用.降低缺陷密度制备高质量的GaN外延层是生产高性能和...
  • 25. 高k栅介质材料的研究进展
    作者： 符春林 蔡苇 陈刚
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  97-100
    摘要： 综述了超薄SiO2栅介质层引起的问题、MOS栅介质层材料的要求、有希望取代传统SiO2的高k栅介质材料的研究进展.提出了高k栅介质材料研究中需进一步解决的问题.
  • 26. GaN体单晶生长技术研究现状
    作者： 徐永宽
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  101-105
    摘要： 回顾了GaN体单晶材料的发展历程并介绍了研究现状.主要讨论了HVPE法和气相传输法等气相生长方法,以及HNPSG、助溶剂法、氨热法、提拉法等熔体生长方法.针对每种生长方法,阐述了其生长原理、...
  • 27. Φ200 mm太阳能用直拉硅单晶生长速率研究
    作者： 任丙彦 李彦林 羊建坤
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  106-108,120
    摘要： 介绍了Φ200 mm的太阳能用直拉硅(CZ Si)单晶生长中,采用热屏、复合式导流系统及双加热器改造直拉炉的热系统,进行不同热系统下的拉晶试验,平均拉速从0.6 mm/min提高到0.9 m...
  • 28. 纳米粉体对TiO2压敏陶瓷晶界势垒结构的影响
    作者： 严继康 孙加林 张小文 甘国友 陈海芳
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  109-112
    摘要： 采用实验方法研究了纳米粉体对TiO2压敏陶瓷晶界势垒结构的影响.采用扫描电镜测试了样品的显微结构.基于热电子发射理论和样品的电学性能计算了TiO2压敏陶瓷的势垒结构.在室温至320 ℃范围内...
  • 29. 大功率半导体激光器二维阵列光纤耦合技术
    作者： 刘秀玲 徐会武 王聚波 花吉珍 赵润 陈国鹰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  113-116
    摘要： 介绍了大功率半导体激光器二维阵列的光纤耦合技术,其中有整形耦合法、偏振合束法和波长合束法.用光线追迹法进行了二维阵列的光纤耦合模拟,对结果进行了分析,提出了改进办法,为进一步开展二维阵列的光...
  • 30. 一种高线性度CMOS混频器的设计
    作者： 叶水驰 吴明明
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2007年2期
    页码:  117-120
    摘要： 采用线性化技术改进的混频器结构提高了线性度.采用TSMC 0.18 μm RF CMOS模型进行了电路仿真.仿真结果:在电源电压为1.8 V时,输入三阶截断点(IIP3)为10.3 dBm,...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

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