高k栅介质材料的研究进展

• 作者: 符春林 蔡苇 陈刚
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高k栅介质 SiO2栅介质 等效氧化物
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(新型半导体材料)
• 页码范围: 97-100
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3326字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.02.002

摘要

综述了超薄SiO2栅介质层引起的问题、MOS栅介质层材料的要求、有希望取代传统SiO2的高k栅介质材料的研究进展.提出了高k栅介质材料研究中需进一步解决的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈刚	重庆科技学院冶金与材料工程学院	50	188	9.0	11.0
2	蔡苇	重庆科技学院冶金与材料工程学院	80	471	12.0	17.0
3	符春林	重庆科技学院冶金与材料工程学院	77	351	10.0	15.0