半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

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影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 赵正平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  1-16,36
    摘要: 进入21世纪后,GaN微电子发展迅速,2011年进入工程化.在5G移动通信等新一代应用的牵引下,GaN微电子的创新更加活跃,正开始步入高新产业的发展阶段.介绍了GaN微电子在新器件结构与工艺...
  • 作者: 乔磊 刘瑞 崔文朋 张海峰 池颖英 郑哲
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  17-24
    摘要: 对用于电力传感片上系统(SOC)的关键模拟IP进行了结构设计和电路实现.关键模拟IP主要包括低噪声放大器、带隙基准源、电源管理模块、功率放大器和带通滤波器等,其中低噪声放大器采用斩波技术将信...
  • 作者: 刘晏辰 刘洋
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  25-30,51
    摘要: 提出了一种高能效的细粒度可重构的深度神经网络(DNN)加速芯片.该芯片是基于并行计算阵列设计的,它包含144个处理单元,多个处理单元可以实现卷积、矩阵乘、取最大值或取平均值等运算,可以用于加...
  • 作者: 于宗光 吴思博
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  31-36
    摘要: 随着片上系统(SOC)规模的不断增大,各外部设备之间大量数据的交互问题成为芯片系统提高性能的瓶颈.提出了一种基于CoreConnect总线架构的直接内存存取(DMA)高速数据传输系统设计方法...
  • 作者: 牟鹏霖 王鑫池 邵枫 顾晓峰 魏力
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  37-42,83
    摘要: 采用直流反应磁控溅射制备出的氧化铝质子导体作为栅介质,采用射频磁控溅射制备的铟镓锌氧(IGZO)和铟锌氧(IZO)分别作为沟道和源漏电极,得到了由溅射方法制备的氧化物双电层薄膜晶体管(TFT...
  • 作者: 冀婷 崔艳霞 张恒康 李国辉 王文艳 王英奎 郝玉英 韩娜
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  43-51
    摘要: 二维材料具有良好的光电特性、热学特性以及机械特性,其中一些二维材料的光电性质与其自身厚度有很大的关系,通过改变厚度可以获得不同的材料特性,从而极大地增加了二维材料在光电子器件中的应用.综述了...
  • 作者: 仇怀利 张栋 李中军 李思寒 沈周阳 王超帅
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  52-57
    摘要: 以二氧化钛(TiO2)为衬底,利用分子束外延(MBE)法制备了高质量的拓扑绝缘体硒化铋(Bi2Se3)薄膜.实验中,Bi与Se的流量比控制在1∶10左右,制得的薄膜厚度约为50 nm.利用反...
  • 作者: 刘孟瑞 刘玉岭 孙晓琴 檀柏梅 牛新环 高宝红 高鹏程
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  58-65
    摘要: 钴(Co)具有电阻率低、电子迁移率高、对铜(Cu)等金属的黏附性好以及沉积性能好等优势,在集成电路制程中作为Cu互连阻挡层或新型互连材料具有巨大的应用潜力,而金属互连化学机械抛光(CMP)是...
  • 作者: 周建伟 张佳洁 张雪 王子艳 王超 王辰伟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  66-71,83
    摘要: 研究了一种新型抑制剂(2,2'-[[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基]双乙醇,TT-LYK)在高碘酸钾(KIO4)体系下对Cu/Ru电偶腐蚀的影响.通过电化学实验研究了抑制剂对C...
  • 作者: 单书珊 赵扬 赵明敏 陈燕宁
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  72-76
    摘要: 随着超大规模集成(VLSI)电路的发展,芯片结构及工艺变得日益复杂,同时给失效分析工作带来了挑战.内嵌式存储器作为片上系统(SOC)内部模块的重要组成部分,其具有结构复杂、密度高等特点,常规...
  • 作者: 孔泽斌 廉鹏飞 李娟 杨洋 楼建设 王昆黍 祝伟明 陈倩
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  77-83
    摘要: 对一种功率运算放大器的失效问题进行了研究并分析了失效机理.功率运算放大器在测试时发生失效,同时,-20 V供电电源电压在加电过程中存在波动.通过内部目检发现失效芯片内部驱动晶体管及相连的金属...
  • 作者: 党鹏 史丽娜 张启华 杨阳 马昊
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  84-88
    摘要: 研究了非晶层占比对半导体器件透射电子显微镜(TEM)样品成像的影响.聚焦离子束(FIB)是制备TEM样品的重要工具,在TEM样品制备过程中,离子束损伤会在样品表面产生非晶层而使TEM图像产生...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年1期
    页码:  88
    摘要:
  • 作者: 赵正平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  89-98
    摘要:
  • 作者: 王宏兴 王玮
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  99-109
    摘要: 第三代半导体材料氮化镓(GaN)具有宽禁带、高临界击穿场强、高电子迁移率、高饱和电子漂移速度等优良特性,基于GaN材料的功率开关器件在高速、大功率领域具有广阔的应用前景.概述了GaN功率开关...
  • 作者: 孙向明 赵聪 郭迪 陈强军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  110-115
    摘要: 基于GSMC 130 nm工艺设计并制备了一款4通道垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列驱动电路芯片.该芯片核心电路主要包括限幅放大器(LA)、输出级驱动电路、带隙基准电压源、8 bit数模...
  • 作者: 冯洁 窦怀阳 薛晓勇
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  116-121
    摘要: 新型纳米器件被视为摩尔定律极限临近情况下CMOS技术的有力补充.为克服新型纳米器件缺陷率高的问题,提出了一种基于现场可编程纳米线互连(FPNI)架构的具有自修正能力的纠错(FT)专用集成电路...
  • 作者: 张晓朋 李朋 陈雪龙 高博
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  122-127
    摘要: 采用增强型GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款具有超低噪声系数、低功耗的放大器芯片.采用电流复用型共源结构,源极加入负反馈电感,输入级采用低损耗的片外匹配结构,降低了...
  • 作者: 丁理想 张晓朋 李沛鸣 谷江 高博
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  128-132,162
    摘要: 基于180 nm绝缘体上硅(SOI) CMOS工艺,设计了一款大功率、低插入损耗的单刀双掷(SPDT)反射式射频开关.提出了一种体区自适应偏置技术,无需偏置电阻对开关管体区进行偏置.采用并联...
  • 作者: 刘健 张子旸 王旭 秦亮 蒋成 陈红梅
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  133-137,168
    摘要: 调Q光纤激光器在光纤传感、激光雷达、激光加工和光纤通信等众多方面有着广泛的应用.半导体量子点(QD)由于具有较高的损伤阈值和宽光谱特性,是一种优良的可饱和吸收体(SA),但是目前制备发光中心...
  • 作者: 卓助航 周坤 崔昊杨 张宇 胡丰晔
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  138-144
    摘要: IGBT模块中材料的热特性和传导特性与内部温度场分布密切相关,但传统热网络模型往往忽略这一特性,造成结温估计出现偏差.针对此问题提出了一种包含实时温度反馈修正的热网络模型,在考虑异质材料的热...
  • 作者: 司鹏 吕伟锋 姚丰雪 章凯
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  145-149
    摘要: 根据纳米MOSFET的紧凑模型,采用HSPICE的蒙特卡罗分析方法,研究随机掺杂波动(RDF)引起的纳米MOSFET模拟/射频性能包括栅极电容、截止频率、跨导和输出电导等参数的变化标准差,同...
  • 作者: 冀婷 崔艳霞 张恒康 李国辉 王文艳 王英奎 郝玉英 韩娜
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  150-157
    摘要:
  • 作者: 刘卫丹 张胜男 张颖 王健 程红娟 练小正
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  158-162
    摘要: β-Ga2O3单晶材料由于其优异的性能得到了广泛关注,但是对于其掺杂、能级、电学性能等方面的研究仍然比较欠缺.采用导模法分别制备了非故意掺杂β-Ga2O3单晶和Si/Mg/Fe掺杂的β-Ga...
  • 作者: 张雷
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年2期
    页码:  163-168
    摘要: 高压大功率IGBT器件主要用于高压直流输电、轨道交通等领域.为避免在工作中发生失效,此类器件在应用前需进行一系列可靠性测试,其中高温阻断(HTRB)试验是最重要的可靠性测试之一.针对高压大功...
  • 作者: 崔艳霞 李国辉 王文艳 翟爱平 邱开放 郝玉英
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年3期
    页码:  169-178
    摘要: 表面等离激元热载流子光电探测器最近几年颇受关注.可通过合理设计金属微纳结构,如改变其构成、形状、维度来实现能量低于材料带隙的光子光电转换,提升现有器件的综合性能.这一思路极大地拓展了传统半导...
  • 作者: 尹家宇 王悦 王晓荃 陈铖颖 高代法
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年3期
    页码:  179-187,194
    摘要: 在我国信息产业高速发展的今天,传统存储器难以满足目前的数据存储需求,亟需发展新一代高性能存储器.阻变存储器(RRAM)因其具有结构简单、功耗低、集成密度高、读/写速度快等优势,被认为是最具发...
  • 作者: 徐大伟 林联科 程新红
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年3期
    页码:  188-194
    摘要: 设计了一种低掉电率、低功耗的采样保持电路.在电路保持阶段,将采样开关偏置在深积累区以减小亚阈值区电流,此时仍有源漏耦合电流,在采样开关源漏间加入高增益运算放大器,利用放大器的失调电压进行源漏...
  • 作者: 杨大宝 沈林泽
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年3期
    页码:  195-199,235
    摘要: 基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,研制了一款工作频率为0.8~1.5 GHz、线性输出功率超过100 W的宽带线性功率放大器.前级功率放大器采用负反馈电路,以提高工作频率带宽和级...
  • 作者: 张志勤 王刚 米姣 薛宏伟 袁肇耿
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2020年3期
    页码:  200-205
    摘要: 超高阻薄层硅外延片可用于制备光电探测器的二极管、瞬态电压抑制二极管等分立器件.利用E200型单片外延炉在直径为150 mm的重掺As硅单晶衬底上制备了参数可控且均匀性高的外延层.采用多次本征...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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