半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 赵正平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  1-6,13
    摘要: GaN材料具有高的击穿场强、高的载流子饱和速度和能形成高迁移率、高密度的二维电子气,使得GaN功率开关器件具有关断电压高、导通电阻小、工作频率高等特点.GaN功率开关器件将成为高效率与超高频...
  • 作者: 张世林 毛陆虹 苏秋杰 谢生 闫冬
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  7-13
    摘要: 在常规SiGe工艺下,设计了太赫兹频段的180 GHz信号产生、调制与探测电路.正交振荡器产生了四路相位相差90°的正弦信号,每路频率为45 GHz,线性叠加之后频率可达到180 GHz,开...
  • 作者: 井冰洁 王永顺
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  14-18
    摘要: 设计了一种带有曲率补偿的高精度带隙基准电压源电路,通过在特定支路上产生二阶正温度系数的电流补偿VBE的二阶负温度系数项来实现曲率补偿,从而得到更低温度系数的基准电压.同时设计了一种高效的启动...
  • 作者: 南敬昌 李蕾 杜学坤 韩斌 高明明
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  19-23
    摘要: 基于连续型功率放大器理论,提出一种高效低谐波失真宽带功率放大器的设计方法,并采用GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件设计了验证电路.结合连续型功率放大器理论和多谐波双向牵引技术,找到一簇...
  • 作者: 佟瑞 叶禹 孙晓玮 李凌云 汪书娜
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  24-27
    摘要: 随着全球信息化社会对高速数据通信的需求不断攀升,现有的无线接入技术基本都处于百兆量级,已经无法满足未来多媒体资源大数据量的实际应用需求.其中为满足室内短距离高速无线通信千兆级以上的需求,利用...
  • 作者: 王冠军 程红丽
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  28-32
    摘要: 为了解决典型低压差线性稳压器(LDO)在全负载范围内的稳定性问题,采用了低阻抗设计的缓冲器来驱动调整管,即采用动态分流反馈偏置技术来降低缓冲器的输出电阻,以将调整管栅极处的极点推向更高的频率...
  • 作者: 张海鹏 王德君 阴亚东 陶小妍
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  33-37
    摘要: 针对无线传感网络对射频电路高速、低功耗方面日益增长的性能要求,设计了一款用于高频锁相环中的高速、低功耗4/5双模前置分频器.在分析真单相时钟(TSPC)电路工作原理的基础上,指出了该电路结构...
  • 作者: 关统新 刘荣军 杨强 要志宏 赵瑞华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  38-41,77
    摘要: 采用内匹配技术和平面功率合成相结合的设计方法,设计并实现了一款S波段功率放大器.在设计过程中,先通过预匹配电路将功率芯片的阻抗适当提高,进而利用Wilkinson功分器进行功率合成.该放大器...
  • 作者: 杨光晖 梁璐 董四华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  42-45
    摘要: 随着第三代半导体GaN器件技术的不断发展,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)功率器件在电子系统中逐步得到了广泛应用.GaN功率器件具有工作效率高、功率密度大和击穿场强高的特点,非常适合用于...
  • 作者: 王凯 甄建宇 赵国庆 赵瑞华 韩玉鹏
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  46-50
    摘要: 数控衰减器在宽频带内具有高的衰减精度、优良的电压驻波比和大的衰减动态范围,因而得到了推广和应用.正电控制、低温漂6 bit数控衰减器,各衰减位均采用具有低温漂特性的桥T型结构,并通过对衰减结...
  • 作者: 于宗光 李海鸥 黄伟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  51-55
    摘要: 提出采用硅基F-离子处理技术研制硅基GaN超级结高压器件,并建立了三维电荷器件模型.实验结果表明,当栅极电压偏置于-1.25~-0.25 V时,漂移区长度为10 μm的新器件其峰值跨导gm(...
  • 作者: 刘媛媛 徐小红 王晓薇 马骁宇
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  56-59
    摘要: 针对InGaAs/GaAsP/AlGaAs应变补偿量子阱非对称宽波导结构进行了实验研究.利用不同腔长,100 μm发光区,500 μm周期的管芯测量了外延片的内量子效率和内损耗,其分别为83...
  • 作者: 庞炳远 索开南 闫萍
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  60-63
    摘要: 以高纯B2O3的水溶液为掺杂剂,采用将掺杂剂逐点滴涂在硅棒表面后再进行区熔的方式,实现了硅材料的微量硼掺杂,研制出了导电类型为p型、电阻率为3 000~5 000 Ω·cm的区熔用硅多晶.实...
  • 作者: 刘孝刚 刘胜 吕亚平 陈明祥
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  64-70
    摘要: 研究了利用Cu/Sn对含硅通孔(TSV)结构的多层芯片堆叠键合技术.采用刻蚀和电镀等工艺,制备出含TSV结构的待键合芯片,采用扫描电子显微镜(SEM)对TSV形貌和填充效果进行了分析.研究了...
  • 作者: 万小勇 何金江 周辰 李勇军 熊晓东 王兴权
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  71-77
    摘要: 半导体制造工艺中使用的高纯金属溅射靶材的利用率直接关系到靶材自身的使用寿命和芯片制作的成本,在靶材研制中需要重点关注.以晶圆制造中广泛应用的高纯铝、铜等靶材为例,介绍了溅射靶材的发展演变,并...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年1期
    页码:  78,前插1
    摘要:
  • 作者: 赵正平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年2期
    页码:  81-87
    摘要:
  • 作者: 冯鹏 吴南健 张胜广 杨建红 谷永胜 赵柏秦
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年2期
    页码:  88-92
    摘要: 为了提高无源超高频(UHF)射频识别(RFID)标签的灵敏度和增大工作距离,设计了一种高灵敏度的ASK解调器.在该解调器的包络检波电路中,采用了开启电压补偿技术,以减小电荷传输管的导通压降;...
  • 作者: 岳森 庞瑞龙 秦国轩 赵毅强
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年2期
    页码:  93-97,102
    摘要: 采用GF 0.18 μm标准CMOS工艺,设计并实现了一种12 bit 20 MS/s流水线模数转换器(ADC).整体架构采用第一级4 bit与1.5 bit/级的相结合的方法.采用改进的增...
  • 作者: 苏彦文 要志宏 邓刚 陈书宾
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年2期
    页码:  98-102
    摘要: 采用混合集成电路工艺,设计了一款小尺寸限幅低噪声放大器(LNA).优化了限幅电路设计,明显缩小了电路体积.低噪声放大器采用负反馈结构,以改善增益平坦度.采用平衡式结构,提高限幅器的功率容量和...
  • 作者: 吴洪江 周鑫 徐伟 魏洪涛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年2期
    页码:  103-107
    摘要: 介绍了一种基于GaAs PHEMT工艺的多功能芯片(MFC)设计.该芯片主要用于双向放大,具有低噪声性能和中等功率能力.综合考虑噪声、功率、效率和有源器件的正常工艺波动,选取合适的器件及其工...
  • 作者: 刘冠洲 张茂添 李成 王尘 赖虹凯 陈松岩 黄巍
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年2期
    页码:  108-113
    摘要: 制备了氧化铪(HfO2)高k介质栅Si基Ge/SiGe异质结构肖特基源漏场效应晶体管(SB-MOSFET)器件,研究了n型掺杂Si0.16Ge084层对器件特性的影响,分析了n型掺杂SiGe...
  • 作者: 刘钺杨 吴郁 周新田 张惠惠 穆辛 胡冬青 贾云鹏 金锐
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年2期
    页码:  114-118,141
    摘要: 新型的电场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-IGBT)改善了传统穿通型(PT) IGBT性能上的不足,但对于1 200 V以下器件需要超薄片加工.为打破加工技术的限制,用简易的厚片工艺实现薄片性...
  • 作者: 周守利 周星宝
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年2期
    页码:  119-123
    摘要: 基于非等温能量平衡传输模型,利用SILVACO/ATLAS数值计算软件,研究了四种不同基区As组分的缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)热电特性的影响...
  • 作者: 张红伟 彭树根 曹永峰 高剑琴
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年2期
    页码:  124-127,141
    摘要: 栅氧化层的击穿和漏电是阻碍半导体集成电路发展的重要因素,提高栅氧化层的均匀性可极大地改善栅氧化层的性能.通过引入N2等惰性气体,在高温下对原位水汽氧化法形成的栅氧化层进行实时退火处理.实验结...
  • 作者: 刘英坤 杨勇 秦龙 邓建国
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年2期
    页码:  128-131
    摘要: 研究了Ni/Pt和Ti/Pt金属在n型4H-SiC上的欧姆接触.在1 020℃退火后,Ni/Pt与n型4H-SiC欧姆接触的比接触电阻为2.2× 10-6Ω·cm2.Ti/Pt与n型4H-S...
  • 作者: 吴娟 吴海波 林世宏 董承远
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年2期
    页码:  132-136
    摘要: 通过磁控溅射技术在玻璃基板上制备氧化铟镓锌(IGZO)薄膜,为了研究不同氧分压对IGZO薄膜结构及光电特性的影响,在不同的氧分压0,0.015,0.06和0.24 Pa下制备了不同样品.样品...
  • 作者: 刘肃 李海蓉 申智利 蒲年年 马国富
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年2期
    页码:  137-141
    摘要: 将广泛用于光伏器件的有机材料二胺(NPB)应用到光电器件中,是一种新的提升器件性能的思路.基于NPB材料的空穴传输特性,以3-己基噻吩的聚合物(P3HT)和富勒烯衍生物(PCBM)作为活性层...
  • 作者: 冯士维 史冬 岳元 郭春生 闫鑫
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年2期
    页码:  142-146
    摘要: 现场可编程门阵列(FPGA)的低成本和高度灵活性,使其在嵌入式系统中占据了重要的地位.FPGA的工作温升与运行程序有很强的依赖关系.主要研究了时钟频率和资源利用率两个方面对FPGA工作温升的...
  • 作者: 丁现朋 朱阳军 董少华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年2期
    页码:  147-153,158
    摘要: 功率循环(PC)试验和温度循环(TC)试验是对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块进行可靠性考核的两个基本试验,可以有效暴露出器件封装所存在的问题.基于ANSYS有限元分析软件,分别研究了IG...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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