ISSG及其氮化工艺对栅氧化层性能的改善

• 作者: 张红伟 彭树根 曹永峰 高剑琴
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 原位水汽生成(ISSG) 氮化工艺 栅氧化层 界面态 负偏压不稳定性(NBTI)
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 124-127,141
• 分类号: TN305.5|TN305.2
• 语种: 中文

摘要

栅氧化层的击穿和漏电是阻碍半导体集成电路发展的重要因素,提高栅氧化层的均匀性可极大地改善栅氧化层的性能.通过引入N2等惰性气体,在高温下对原位水汽氧化法形成的栅氧化层进行实时退火处理.实验结果表明:与没有经过高温N2实时退火处理的栅氧化层相比,经过高温N2实时退火处理的栅氧化层表面均匀度可提高40％左右,栅氧界面态总电荷可减少一个数量级.PMOS器件负偏压不稳定性(NBTI)测试中0.1％样品失效时间(t01％)和50％样品失效时间(t50％)分别提高28.6％和40.7％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹永峰		2	2	1.0	1.0
2	张红伟		3	10	2.0	3.0
3	高剑琴		2	3	1.0	1.0
4	彭树根		3	6	2.0	2.0