半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 孙聂枫 李晓岚 杨瑞霞 潘静
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  1-3,44
    摘要: 对同一原生非掺杂InP单晶进行了一系列物理测试分析,研究了材料的光电导率与温度的依从关系,在295~318 K内,温度系数为-3×104 eV/K,测得的室温禁带宽度为1.339 2 eV....
  • 作者: 尹儒 王颖 胡海帆
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  4-7
    摘要: 为了进一步降低器件的导通电阻,提出了一种新型的ACCUFET结构-栅增强功率ACCUFET(GE-ACCUFET).这种器件同时具有普通ACCUFET和GE-UMOS的优点,而且导通电阻比这...
  • 作者: 严如岳 冯玢 孟大磊 洪颖 王利杰 王香泉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  8-10
    摘要: 报道了采用物理气相传输(PVT)法进行SiC单晶生长方面取得的最新进展,成功研制得到固态微波器件急需的3英寸(75 mm)半绝缘4H-SiC衬底.使用计算机模拟技术,进行了3英寸(75 mm...
  • 作者: 刘玉岭 刘金玉 檀柏梅 牛新环 陈海涛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  11-13,21
    摘要: 对晶片化学机械抛光(CMP)后表面吸附的纳米颗粒去除进行了研究,分析了晶片表面吸附物的种类及吸附机理.由于晶片表面吸附的有机物多为大分子物质,它在晶片表面的吸附除了容易处理的物理吸附外,还会...
  • 作者: 陈波
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  14-16,87
    摘要: H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O为半导体芯片生产过程中三种去除硅片背面铜污染的化学清洗液.在单片湿法清洗机上采用这三种化学液对直径300 mm具有类似于实...
  • 作者: 从羽奇 张滨海 王家楫 王德峻 范象泉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  17-21
    摘要: 在铜线键合的过程中通入惰性保护气体,或在纯铜线表面涂覆金属钯防氧化层都可以改善铜线键合的抗氧化性能.为了评价上述两种方法对铜线键合抗氧化性能的改进情况,使用先进的材料表征方法分析不同保护气体...
  • 作者: 安静 张志勤 杨瑞霞 袁肇耿
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  22-25
    摘要: Si外延片是制造半导体器件和集成电路最常用的半导体材料.外延层电阻率是外延片最重要的参数之一,它直接影响器件的性能.简要分析了自动汞探针C-V测试仪测量电阻率前进行表面处理的原因,研究了不同...
  • 作者: 孙腾 戚玉婕 王跃林 车录锋
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  26-30
    摘要: 高Q值MEMS电容式加速度计因具有很小的机械噪声,满足于高精度测量的需要,但欠阻尼的传感器系统动态性能较差,因此需要在闭环检测电路中通过补偿反馈模块施加电学阻尼,以降低系统Q值,改善系统的动...
  • 作者: 丁春宝 孙博韬 尤云霞 张万荣 王任卿 谢红云 金冬月
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  31-35
    摘要: 噪声抵消结构是一种应用于宽带低噪声放大器的有源匹配电路.噪声抵消的目的是将输入匹配器件引入的噪声在输出端消除.本文针对噪声抵消结构在高频的应用,依据噪声抵消的原理,提出了一种全频带噪声抵消条...
  • 作者: 丛密芳 南敬昌 李久超
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  36-40
    摘要: 为了快速准确地设计出高功率基站功放,在研究负载牵引测试系统架构、原理和工作流程的基础上,采用安捷伦公司的先进设计系统软件内置负载牵引模块,应用负载牵引法设计了一款用于基站系统的功放.对完成匹...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  40,92-96,前插1
    摘要:
  • 作者: 郭方敏 韩建强
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  41-44
    摘要: 为提高光电探测器的读出性能,设计的电容互阻放大器(CTIA)注入效率大于99%,线性度达99.84%.相关双采样电路(CDS)采用不同控制时序,读出电路可以工作在噪声抑制模式和两次采样模式....
  • 作者: 张旭琛 彭敏 戴庆元 杜涛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  45-48
    摘要: 介绍了一种用于射频标签芯片中数字逻辑部分的上电复位电路.该上电复住电路适应于低电源电压的芯片,改变MOS晶体管的参数以及延迟时间可以调节脉冲的宽度和数字门电路加宽脉冲的宽度,通过反馈管,电路...
  • 作者: 刘梦新 叶甜春 吕荫学 罗家俊
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  49-54
    摘要: 设计了一款与CSMC,0.5 μm CMOS工艺兼容的频率为500 MHz的辐照加固整数型锁相环电路,研究了总剂量辐照以及单粒子事件对锁相环电路主要模块及整个系统性能的影响.此外,通过修正B...
  • 作者: 周祺 沈海斌
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  55-58
    摘要: 设计了一种工作在电流模式下的ASK解调器,电路首先将电压信号转换为电流信号,并对电流信号进行延时,然后将延时电流与原始电流进行比较,获取信号的边沿位置,最后用RS触发器还原出最终数据.该解调...
  • 作者: 叶星宁 杨战鹏
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  59-62
    摘要: 介绍了12 bit,10 MS/s流水线结构的模数转换器IP核设计.为了实现低功耗,在采样电容和运放逐级缩减的基础上,电路设计中还采用了没有传统前端采样保持放大器的第一级流水线结构,并且采用...
  • 作者: 唐宗熙 张彪 鲍立芬
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  63-66,75
    摘要: 提出了一种新型CQ微带交叉耦合带通滤波器结构的设计方法,并实现了工作于Ku波段的新型CQ交叉耦合滤波器.为进一步改善滤波器带外特性,通过对其中某些谐振器加入调谐枝节来实现对阻带第三个传输零点...
  • 作者: 檀柏梅 耿俊峰 赵毅强 赵海涛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  67-70
    摘要: 设计了一款用于实现10位精度逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)的电压比较器,该比较器采用高速高精度比较器结构并进行了优化,在高速度、低功耗锁存器的基础上加预放大级以提高比较精度,加RS触...
  • 作者: 安志勇 张旭 李丽娟 王劲松
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  71-75
    摘要: 介绍了一种可用于瞄具、望远镜、透镜等光学系统的新型透过率检测系统.系统集光谱技术、检测与转换技术、计算机技术等多种技术于一体,分别设计了白光和光谱光源准直扩束系统和双通道反射测量光路.可进行...
  • 作者: 俞涛 杨洁翔 熊峰 王爽
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  76-78,83
    摘要: 为了实际工程对灯具进行快速筛选和评价的需要,研究大功率LED投光灯具的老化光电特性,应用高温老化和光电性能测试的方法.对大功率蓝光LED投光灯具进行了高温老化试验并做了光电性能测试,分析其光...
  • 作者: 杜银波 许悦
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  79-83
    摘要: 为了解决小型化LC滤波器在使用中出现的插损变大、功率下降等影响产品可靠性的问题,从产品的电路原理和结构入手,对与产品可靠性有关的元器件、生产过程、产品的使用等因素进行了分析,找出了主要是使用...
  • 作者: 牛付林 魏建中
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  84-87
    摘要: 从气密封器件内不良残存气氛的来源和相关标准中对内部残余气氛的含量要求出发,介绍了目前常用的气密器件内部残余气体的检测方法及原理,着重论述了残存气氛检测技术中的取样技术和数据分析方法的重要性....
  • 作者: 丁佳妮 丁育林 何俊明 刘云海 王娜
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年1期
    页码:  88-91
    摘要: 半导体器件软错误的发生具有几率低、间隔时间长的特点.资源有限条件的下实现对器件软失效率的评估需要借助放射源加速的方法,即加速软失效率测试.作为改进设计和工艺以降低软失效率的前提,就测试方法稳...
  • 作者: 孙聂枫 朱嘉祯 李晓岚 杨帆 杨瑞霞 潘静 骆新江
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  97-100
    摘要: 利用四波混频(FWM)技术测试了非掺杂、掺Fe半绝缘InP单晶的光电特性, 对载流子的产生、复合和输运等过程进行了研究,分析了深陷阱在载流子的产生与输运中的作用,并给予了解释.利用光栅衰减动...
  • 作者: 尤云霞 张万荣 王任卿 肖盈 金冬月 陈亮
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  101-103
    摘要: 提出了发射极非均匀指间距技术以增强多发射极指SiGe HBT在不同环境温度下的热稳定性.通过建立热电反馈模型对采用发射极非均匀指间距技术的SiGe HBT进行热稳定性分析,得到多发射极指上的...
  • 作者: 张春 魏琪
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  104-107
    摘要: 提出了一种作为无源射频(RFID)识别标签电源的光电二极管.此方案采用光电转换获取能量的方式替代传统电磁辐射获得能量的方式,克服了传统方案中RFID读写器辐射强且RFID Tag 抗干扰能力...
  • 作者: 王颖 葛梅
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  108-111,123
    摘要: 研究了一种具有浮栅结构的SOI LDMOS (FGSOI LDMOS)器件模型,并分析了该结构的耐压机理,通过Silvaco TCAD软件对该结构进行仿真优化.通过仿真验证可知,该结构通过类...
  • 作者: 向兵 武慧微 赵高峰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  112-115,156
    摘要: 提出一种AlGaAs/GaAs HEMT器件沟道电荷新模型,该模型用一个通用解析函数中系数的不同值来描述二维电子气(2DEG)和AlGaAs层中的电子浓度.在小信号特性上,除考虑了2DEG层...
  • 作者: 张家鑫 温廷敦 王忠斌 许丽萍
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  116-118
    摘要: 研究了单轴压应力对GaAs/AlGaAs/GaAs 量子阱红外探测器(QWIP)吸收波长的影响.以量子阱电子干涉方法以及单轴压应力作用下量子阱应变理论为基础,分析了GaAs/AlGaAs/G...
  • 作者: 丁国庆 杜治国
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年2期
    页码:  119-123
    摘要: TOSA中用到的pin背光探测器是监测与控制LD前光输出特性的敏感器件,其光功率(P)和光电流(I)应具有线性关系.测试发现,不同结构和尺寸的探测器的P-I特性可能有所不同.目前普遍使用的正...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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