半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

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影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 吉爱国 李言胜 聂廷远
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年10期
    页码:  737-742
    摘要: 甚短距离光互连技术作为一种突破铜线互连传输瓶颈有效方法,受到了广泛关注.半导体光学器件技术、高速化集成电路技术和光电模块封装技术作为实现光互连的关键技术发展较为迅速.首先阐述了垂直腔面发射激...
  • 作者: 刘跳 李献杰 蔡道民 赵永林 郝跃 高向芝
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年10期
    页码:  743-746
    摘要: InP/InGaAs/InP DHBT具有频带宽、电流驱动能力强、线性好、相位噪声低和阈值电压一致性好等优点成为研究热点.通过优化外延材料结构设计和采用四元InGaAsP缓变层消除集电结电流...
  • 作者: 傅德颐 刘斌 华雪梅 张荣 施毅 李毅 苏辉 谢自力 赵红 郑有炓 韩平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年10期
    页码:  747-750
    摘要: 采用金属有机物化学气相沉积( MOCVD)技术生长了具有高In组分InGaN阱层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构,高分辨X射线衍射(HRXRD) ω-2θ扫描拟合得到阱层In含量2...
  • 作者: 于治国 孟庆芳 张荣 杨国锋 郑有炓 郭媛 陈鹏
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年10期
    页码:  751-754,812
    摘要: 为了研究一种无荧光粉的单芯片白光发光二极管(LED)的光电性质,实际测量了它的升温电致发光光谱和升温电流-电压(I-V)特性,并测量了相似结构的蓝光LED以作对比.实验发现白光LED的电致发...
  • 作者: 唐宗熙 喻涛 赵世巍
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年10期
    页码:  755-759
    摘要: 针对X波段串联和并联两种结构的反馈式介质振荡器(DRO)进行了较深入的研究,并介绍了一种通用的介质振荡器设计方法,设计、实现了这两种反馈式介质振荡器,实验表明该设计方法简单可行.首先运用电磁...
  • 作者: 吴猛 曾一平 王军喜 胡强
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年10期
    页码:  760-764
    摘要: 低温下,在蓝宝石图形衬底上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长低温GaN( LT-GaN)缓冲层,并对其表面形貌进行了细致的观察,发现了不同于已报道的GaN选择性成核生长现象.基于不同...
  • 作者: 周欢欢 张建新 檀柏梅 潘国峰 牛新环 王如
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年10期
    页码:  765-770,777
    摘要: Bi2Te3热电材料是半导体材料,室温下具有良好的热电特性,能够实现热能和电能的相互转化,应用前景十分广阔.Bi2Te3热电材料的转换效率低是影响其应用的瓶颈之一,目前世界范围内的研究热点主...
  • 作者: 张严波 张仁平 杜彦东 杨富华 熊莹 韩伟华 颜伟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年10期
    页码:  771-777
    摘要: 随着高压开关和高速射频电路的发展,增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)成为该领域内的研究热点.增强型GaN基HEMT只有在加正栅压才有工作电流,可以大大拓展该器件在低功耗数字电路中的...
  • 作者: 付晓君 张海英 徐静波
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年10期
    页码:  778-781,785
    摘要: 成功制作了氧化锌纳米线沟道场效应晶体管器件,所制作器件的电学性能通过I-V测试进行了分析.使用了水浴法生长了单晶性完整的氧化锌纳米线,该纳米线被用作背栅场效应晶体管的沟道,采用光刻方式制备的...
  • 作者: 任丽 李宁 王倩 罗晓英
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年10期
    页码:  782-785
    摘要: 在KX260晶体生长系统上装备24英寸(1英寸=2.54 cm)热场,装料量为120 kg.采用5种不同的初始埚位(-50,- 60,- 70,- 80,-90 mm),其他工艺参数相同的晶...
  • 作者: 张海英 杨浩 郭瑞
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年10期
    页码:  786-790
    摘要: 设计了一款用于中国60 GHz标准频段的射频接收前端电路.该射频接收前端采用直接变频结构,将59 ~ 64 GHz的微波信号下变频至5~10 GHz的中频信号.射频前端包括一个四级低噪声放大...
  • 作者: 南雅公 张丽霞 熊丽
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年10期
    页码:  791-794,799
    摘要: 为适应现代电子产品对电源性能的较高要求,基于教学中应用的Spectre平台,采用源随器补偿方法设计了一种无片外电容的LDO稳压器.小补偿电容和大驱动能力的两级运放误差放大器,加快了电路的响应...
  • 作者: 徐静萍
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年10期
    页码:  795-799
    摘要: 提出了一种可用于白光LED驱动芯片的电路设计,主要从低噪声、高效率两方面进行设计.采用线性模式控制方法,最大限度减小电荷泵电源电流纹波,从而降低噪声,同时应用多增益工作模式提高不同输入电源电...
  • 作者: 万明 尧彬 恩云飞 王歆 肖庆中 陆裕东
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年10期
    页码:  800-803,812
    摘要: 针对互连焊点在长期应力作用下的蠕变失效,探讨了焊点阻值退化的一般性趋势,在此基础上提出了一种基于电阻电桥原理的焊点故障监测和预警电路设计方案,并基于电子产品可靠性保障工程应用,讨论了电路板级...
  • 作者: 李昕 杨涛 陈良月 陶煜 高怀
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年10期
    页码:  804-808
    摘要: 提出了一种利用键合线提高ESD保护电路射频性能的新型片外ESD保护电路结构.该新型结构在不降低ESD保护电路抗静电能力前提下,提高了ESD保护电路射频性能.针对一款达林顿结构ESD保护电路,...
  • 作者: 毛明华 王维昀 连启贵
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年10期
    页码:  809-812
    摘要: 对GaN基大功率LED工作的可靠性进行了分析,进而提出采用激光钻孔技术,利用高能激光束将蓝宝石基板打出孔洞,并在孔洞内壁蒸镀金属层薄膜.利用金属良好的导热性能,将芯片表面热能传导至基板,并利...
  • 作者: 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2011年10期
    页码:  813-814
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

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