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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 1. AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅰ)
    作者： 李效白
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  1-5
    摘要： 从不同的视角回顾和研究了A1GaN/GaN HFET的二维电子气(2DEG)和电流崩塌问题.阐述了非掺杂的AIGaN/GaN异质结界面存在2DEG的原动力是极化效应,电子来源是AlGaN上的...
  • 2. 高k栅介质的可靠性问题
    作者： 汪辉 王楠
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  6-9，87
    摘要： 随着集成电路特征尺寸的不断缩短,利用先进的高k/金属栅堆叠来取代传统的SiO2/多晶硅栅结构成为微电子技术发展的必然,确保这些新的栅极堆叠类型具有足够的可靠性是非常重要的.综述了高k栅介质可...
  • 3. 用于RFID标签的自适应低压电流模ASK解调器
    作者： 刘伟 张春 李永明 王志华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  10-13,91
    摘要： 针对RFID标签低压工作的要求,设计了一种自适应电流模ASK解调器.通过把电压信号转换为电流信号、采用两级电流峰值保持技术以及泄漏电路等技术提高了解调器的动态检测性能.解调器的工作电源电压为...
  • 4. 一种用于DC-DC转换器的精密振荡器设计
    作者： 刘佑宝 刘智 袁雅玲 魏海龙
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  14-16,20
    摘要： 提出了一种用于DC-DC转换器的高频、精密张驰振荡器的设计方法.基于V-i转换器原理,设计了精密电流产生电路;基于基极电流补偿技术,设计了一种结构新颖的比较器门限电压产生电路,从而有效地提高...
  • 5. 毫米波单刀双掷开关的设计与制作
    作者： 刘文杰 吴洪江 方园 李富强 高学邦
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  17-20
    摘要： 以0.25μm GaAs PHEMT为基础,介绍了微波单片集成电路开关模型的设计、测试及建模过程,并以此平台开展了单刀双掷开关芯片的设计与研制.讨论了PHEMT开关建模的重要性,解决了建模中...
  • 6. 基于嵌入式微处理器的无线传输系统的设计
    作者： 龙光利
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  21-23,75
    摘要： 利用嵌入式微处理器S3C2410X,设计了一个包括主机和从机两个主要部分的串行数据无线传输系统.系统的软件开发采用武汉创维特信息技术有限公司的ADT IDE集成开发环境.软件设计核心是PTR...
  • 7. S698系列处理器中指令流水的设计与实现
    作者： 梁宝玉 王祝金 蒋晓华 颜军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  24-26
    摘要： 介绍了指令流水的概念和基本原理,并指出应用流水线主要作用是提高吞吐量,以及其优点和缺点.分析了S698系列单核处理器的5级流水线结构,其划分为取指、译码、执行、存储和回写,并给出了相应的设计...
  • 8. SDH/SONET支路时钟抖动衰减数字锁相环设计
    作者： 叶波 王紫石 罗敏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  27-30
    摘要： 提出了一种新的光纤通信网络中SDH/SONET支路时钟抖动衰减设计方法.采用全数字锁相环技术和可编程的方法,根据不同类型的PDH信号,配置相应的增益和衰减因子,使得时钟的抖动衰减收敛速度可调...
  • 9. GaAs HBT功率放大器在5 GHz无线局域网的应用
    作者： 刘磊 南敬昌
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  31-33,44
    摘要： 采用2μm GaAs HBT技术实现了单片集成线性功率放大器(PA)在5 GHz无线局域网中的应用.在单端三级功率放大器中应用片上电感和键合线电感对输入,级间网络进行匹配设计,输出匹配网络在...
  • 10. 具有传输零点的片式LTCC滤波器的设计与实现
    作者： 吴国安 吴思汉 徐勤芬
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  34-36
    摘要： 带通滤波器是无线通信中重要的元器件之一,其小型化具有重要意义.研究设计了一种改进型的梳状线LTCC滤波器.在一般抽头式梳状线滤波器设计的基础上,通过增加输入输出级之间的交叉耦合,引入了传输零...
  • 11. 双音频率合成器的设计与实现
    作者： 冯华 唐宗熙 张彪
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  37-40
    摘要： 研究了一种输出双音信号、低相位噪声、低杂散的频率合成方法.该方法首先利用锁相环路分别产生两路信号,并通过优化设计环路滤波器改善输出信号相位噪声,进而利用设计的Wilkinson功率合成器将两...
  • 12. 高速BiCMOS运算跨导放大器的设计
    作者： 杨建红 王海柱 车红瑞 金璐
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  41-44
    摘要： 基于全差分结构提出一种高速BiCMOS运算跨导放大器.该放大器采用两级放大结构实现,可用于8位250 Msps流水线结构模数转换器的采样/保持电路中.电路使用0.35μmBiCMOS工艺实现...
  • 13. 深亚微米ASIC设计中的静态时序分析
    作者： 叶兵 廖军和
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  45-48
    摘要： 随着集成电路的飞速发展,芯片能否进行全面成功的静态时序分析已成为其保证是否能正常工作的关键.描述了静态时序分析的原理,并以准同步数字系列(PDH)传输系统中16路E1 EoPDH(ethem...
  • 14. 基于伪随机信号的模拟电路软故障定位方法
    作者： 傅勇鹏 孟宪国 尚朝轩 李纪敏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  49-53
    摘要： 针对模拟电路软故障的测试难题,提出了定位模拟电路软故障的伪随机激励测试法.伪随机激励信号是一种包含多个频率成分的连续周期信号,由m序列生成.利用该信号激励模拟电路.通过计算输出响应序列的功率...
  • 15. 有Al激光器和无Al激光器的工作寿命对比研究
    作者： 安振峰 李雅静 杜伟华 王晓燕 陈国鹰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  54-57
    摘要： 为了证明无Al激光器在可靠性方面优于有Al激光器,对InGaAsP/GaAs无Al和AlGaInAs/AlGaAs/GaAs有Al的808nm大功率半导体激光器进行了常温下电流步进加速老化寿...
  • 16. 高频4H-SiC双极晶体管的研制
    作者： 刘英坤 崔占东 田爱华 赵彤
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  58-61
    摘要： 研制出国内第一个高频4H-SiC双极晶体管.该器件采用了双台面结构和叉指结构,室温下的最大直流电流增益(β)为3.25,集电结击穿电压BVCBO达200 V.器件的β随温度的升高而降低,具有...
  • 17. 大功率半导体激光器发散角测量技术研究
    作者： 张贵军 张锐 沈晓华 王玉田
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  62-64
    摘要： 研究利用一种步进电机和光电转换装置组成的测试系统测量大功率半导体激光器发散角的方法.根据使用要求选择合适的探测元件,设计了测试系统.以波长950 am,阈值电流200 mA,功率为900 m...
  • 18. 部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐照的最坏偏置
    作者： 刘梦新 卜建辉 胡爱斌 韩郑生
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  65-68
    摘要： 通过模拟对ON、OFF、TG三种偏置下PD SOI NMOSFET的总剂量辐照效应进行了研究.模拟发现正沟道的最坏偏置是ON偏置,背沟道的最坏偏置与总剂量有关.当总剂量大时,背沟道的最坏偏置...
  • 19. SEU/SET加固D触发器的设计与分析
    作者： 程秀兰 黄晔
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  69-72
    摘要： 针对D触发器的抗单粒子辐射效应加固,提出了一种新型的保护门触发器(GGFF)设计,使用两个保护门锁存器串接成主从触发器.通过Spice仿真验证了GGFF抗SEU/SET的能力,通过比较和分析...
  • 20. RHEED在计算Al2O3晶面间距中的应用
    作者： 王兆阳 胡礼中
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  73-75
    摘要： 反射式高能电子衍射仪(RHEED)是一种表面分析工具,以往都是用来对晶体进行定性观察,以研究晶体的结晶状况,很少用来进行晶体结构的定量计算.在分析RHEED的工作原理的基础上,研究了A120...
  • 21. 迁移率谱中"映像峰"问题的研究
    作者： 杨瑞霞 武一宾 白晨皓 贾月辉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  76-78
    摘要： 在迁移率谱分析技术中,除了真实反映材料中载流子信息的峰之外,有时还会出现一些没有物理意义的多余峰,即所谓的"映像峰".这会给实验结果的分析造成一定的假象,甚至会导致错误的结论.分析了迁移率谱...
  • 22. 征稿启示
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  78
    摘要：
  • 23. 基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性
    作者： 冯士维 吕长志 孟海杰 李志国 白云霞 郭春生
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  79-82
    摘要： 基于Arrhenius模型,对功率器件垂直导电双扩散(VDMOS)场效应晶体管的可靠性进行了评价,并对其主要失效机理进行了分析.通过样管在不同结温下的恒定温度应力加速寿命实验,利用Arrhe...
  • 24. 用变温法测量RTD串联电阻
    作者： 宋瑞良 张世林 梁惠来 毛陆虹 谢生 郭维廉 齐海涛
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  83-87
    摘要： 用变温法测量了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)器件的串联电阻参数.与网络分析仪法不同,变温法是通过测量RTD器件在不同温度下的I-V特性曲线,用数学方法求解曲线特定区域的相关参数得到串联电...
  • 25. 高温氧化扩散炉温控系统设计
    作者： 尹文生 张明超 朱煜 杨一博 王春洪
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  88-91
    摘要： 针对半导体行业高温氧化扩散炉设备设计、实现了一套炉温控制软硬件系统.硬件系统由多路开关、温度变送器、工控机、信号输入输出板卡组成.在此硬件基础上根据工艺要求设计控温软件的结构与算法,改进了P...
  • 26. 基于参数退化法评价功率肖特基二极管寿命
    作者： 吕长志 李志国 段毅 马卫东
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  92-95
    摘要： 对功率肖特基二极管(SBD)施加恒定电应力、序进温度应力进行退化实验,考察了反向漏电流,IR、理想因子n、势垒高度ΦB以及串联电阻Rs等参数的退化情况.可以看出,在退化的过程中,SBD的,I...
  • 27. 飞思卡尔汽车远程无钥匙进入系统(RKE)方案和VKSP安全协议
    作者： 瞿晓谷
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  96-98
    摘要：
  • 28. 产业新闻
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  99-100
    摘要：
  • 29. AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅱ)
    作者： 李效白
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年2期
    页码:  101-106
    摘要：
  • 30. 外加电场对金属诱导非晶硅横向结晶的影响
    作者： 王光伟
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年2期
    页码:  107-112
    摘要： 综述了Al和Ni在外加直流电场以及Cu在交流电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理.研究了外加电场对金属诱导a-Si薄膜横向结晶的诸多影响因素,如场强及分布等.结果表明,相...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
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