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半导体技术2009年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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38
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331. 砂轮粒径对磨削后Si片表面形貌的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年12期页码:摘要： 磨削工艺被广泛应用于大直径Si衬底的制备中,而由磨削带来的Si片表面损伤及形貌对后续加工有较大的影响.利用扫描电子显微镜、粗糙度仪、喇曼光谱仪等工具对经过2000#、3000#、8000#砂...
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332. 湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年12期页码:摘要： 研究了采用熔融NaOH对MOCVD生长的GaN外延层的湿法腐蚀结果,结合原子力显微镜表征其腐蚀坑形貌及腐蚀坑密度,得出了优化的腐蚀条件.通过与熔融KOH腐蚀结果对比分析发现,熔融NaOH腐蚀...
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333. 凸点下金属层湿法刻蚀与凸点底切的控制刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年12期页码:摘要： 介绍了电镀凸点封装工艺流程和其中有关金属层湿化学刻蚀的问题.通过槽式批量和单片机刻蚀相应的UBM(凸点下金属层)的均匀度、刻蚀速率和凸点底切的对比,结果显示单片湿法刻蚀机刻蚀均匀度小于5%且...
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334. 化学染色法测量B,Al及P扩散结深刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年12期页码:摘要： 采取化学染色法对B,Al和P杂质扩散形成的结深进行检测,通过实验不同浓度染色液的腐蚀特性,选择易于控制和重复性好的染色腐蚀液.同时采用扩展电阻法对同一个样品的结深进行测试,以扩展电阻法所得结...
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335. 产品ESD快速低成本测试方法刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年12期页码:摘要： 静电防护(ESD)测试是半导体集成电路可靠性的重要项目,存在ESD问题会对产品的可靠性造成致命的影响.而由于目前产品的ESD测试,必须经过成品封装后才能进行,这样就无法快速进行产品的ESD认...
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336. GaAs MMIC宽带双平衡混频器的研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年12期页码:摘要： 采用GaAs肖特基二极管工艺,设计并制造了一款宽带无源双平衡混频器,射频、本振频率为1.5～3.7 GHz,变频损耗小于10 dB,本振到射频隔离度大于35 dB,中频带宽DC～0.8 GH...
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337. 一种双带宽UHF主从耦合式LC VCO刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年12期页码:摘要： 为了满足无线通信系统应用需要,设计了一种主从耦合式LC压控振荡器(VCO).基于0.18 μm CMOS标准工艺,由一个5 GHz主VCO和两个起分频作用的从VCO组成,其中主VCO选用PM...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年12期页码:摘要： 依据带隙基准原理,设计了一种基于90 nm BiCMOS工艺的改进型带隙基准源电路.该电路设置运算跨导放大器以实现低压工作,用共源-共栅MOS管提高电路的电源抑制比,并加设了新颖的启动电路....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年12期页码:摘要： 近年来60 GHz附近的一个连续频段可以自由使用,这为短距离的无线个域网等高速率传输的应用提供了条件.设计了一个工作在60 GHz的CMOS功率放大器.采用台积电0.13μmRF-CMOS工...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年12期页码:摘要： 介绍了一种12 bit 80 MS/s流水线ADC的设计,用于基带信号处理,其中第一级采用了2.5 bit级电路,采样保持级采用了自举开关提高线性,后级电路采用了缩减技术,节省了芯片面积.采...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年12期页码:摘要： 论述了一种高速度低功耗的8位250 MHz采样速度的流水线型模数转换器(ADC).在高速度采样下为了实现大的有效输入带宽,该模数转换器的前端采用了一个采样保持放大器(THA).为了实现低功耗...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年12期页码:摘要： 基于经典Wildar带隙基准结构,通过单级高增益低失调运放及其闭环负反馈设计,将电压求和模式输出与电阻负载驱动紧密结合,同时增加简单的单管并联高阶补偿结构,实现了一种具有较大负载驱动能力的高...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年12期页码:摘要：
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344. 业界动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年12期页码:摘要：
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345. 综合新闻刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年12期页码:摘要：
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346. 《半导体技术》稿约及投稿格式刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年12期页码:摘要：
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347. 《半导体技术》稿约刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年9期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要：
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350. 《半导体技术》稿约刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要：
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351. 《半导体技术》稿约刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年1期页码:摘要：
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352. 新春寄语刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年1期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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