半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 赵正平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年1期
    页码:  1-7
    摘要: 半导体材料Ga2O3是继宽禁带半导体材料SiC/GaN之后新兴的直接带隙超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.5~4.9 eV,击穿电场强度高达8 MV/cm(是SiC及GaN的2倍以上),...
  • 作者: 施建磊 时晨杰 杨发顺 胡锐 马奎
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年1期
    页码:  8-14
    摘要: 基于结型场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)兼容工艺,设计了一种低失调高压大电流集成运算放大器.电路输入级采用p沟道JFET (p-JFET)差分对共源共栅结构;中间级以BJT作...
  • 作者: 师翔 张在涌 赵永瑞
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年1期
    页码:  15-19,72
    摘要: 设计了一种应用于GaN功率放大器栅极调制的随温度可调负压偏置电路.电路由电压基准模块、温度传感器模块、比较器阵列以及误差放大器及其对应的功率管与反馈电阻等组成,通过基准电压与温度传感器输出电...
  • 作者: 张浩 李瑞东 段苹 潘志伟 王吉有 王贵生 白志英 邓金祥
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年1期
    页码:  20-26
    摘要: 研究了采用垂直堆垛方式构筑的MoS2/C60范德华异质结的特性.利用直流磁控溅射法制备Mo薄膜,对Mo薄膜进行硫化退火处理得到MoS2薄膜,采用真空蒸镀法在MoS2薄膜上沉积C60进而形成M...
  • 作者: 吴家锋 徐全胜 赵夕彬 银军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年1期
    页码:  27-31
    摘要: 基于GaN功率器件工艺自主研发的大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,采用内匹配技术和宽带功率合成技术相结合的方法,研制出了一款C波段160 W连续波GaNHEMT内匹配功率器件....
  • 作者: 孙世孔 廖博涛 路家斌 阎秋生
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年1期
    页码:  32-37,50
    摘要: 对InP晶片进行了集群磁流变抛光实验,研究了抛光过程中磨料参数(类型、质量分数和粒径)对InP材料去除速率和表面粗糙度的影响.实验结果表明,InP晶片的去除速率随磨料硬度的增加而变大,表面粗...
  • 作者: 刘海萍 杨瑞霞 滕世豹 田树盛 陈春梅 马文静
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年1期
    页码:  38-42
    摘要: 对胶体球光刻中单层胶体晶体(MCC)的曝光特性进行了研究.利用磁控溅射的方法在蓝宝石衬底上生长SiO2薄膜并旋涂光刻胶,通过固液界面自组装的方法在光刻胶上制备了单层胶体晶体.胶体球光刻利用单...
  • 作者: 伍泳斌 王晓娟 莫德清 赵英杰 钟福新
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年1期
    页码:  43-50
    摘要: 采用一步水热法制备镉掺杂的Cu2O薄膜(Cd/Cu2O),分别探讨了制备过程中CuSO4浓度、NaOH浓度、反应时间、反应温度和CdSO4浓度对Cu2O和Cd/Cu2O薄膜光电性能的影响.结...
  • 作者: 刘丰满 曹立强 杨盛玮 赵悦 韩坤
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年1期
    页码:  51-57,72
    摘要: 等离子体技术的广泛应用给工艺可靠性带来了挑战,等离子体损伤的评估成为工艺可靠性评估的重要内容之一.针对大马士革工艺中的等离子体损伤问题,提出了天线扩散效应,确定了相应工艺的天线扩散系数,提高...
  • 作者: 吴凌 黄彩清 龚瑜
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年1期
    页码:  58-64
    摘要: 静电放电(ESD)和过电应力(EOS)是引起芯片现场失效的最主要原因,这两种相似的失效模式使得对它们的失效机理的判断十分困难,尤其是短EOS脉冲作用时间只有几毫秒,造成的损坏与ESD损坏很相...
  • 作者: 俞跃辉 吴灯鹏 徐大伟 徐超 朱弘月 程新红
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年1期
    页码:  65-72
    摘要: 提出了一款带有固定延迟时间的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)去饱和(DESAT)过流检测电路.在IGBT去饱和过流检测电路中加入固定延时电路,当检测到过流信号后关断IGBT,防止IGBT被烧毁...
  • 作者: 蒋炯炜 薛海卫 郭刚 雷志军 雷志广
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年1期
    页码:  73-79
    摘要: 航天器及其内部元器件在太空中会受到单粒子效应(SEE)带来的威胁,因此航天用电子器件在装备前必须进行抗SEE能力的测试评估.针对传统测试方法存在的测试系统程序容易在辐照过程崩溃、统计翻转数不...
  • 作者: 赵正平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年2期
    页码:  81-86
    摘要:
  • 作者: 何进 常胜 李硕 王豪 薛喆 陈婷 魏恒 黄启俊
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年2期
    页码:  87-93
    摘要: 采用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一款传输速率为25 Gbit/s的高速光接收机前端电路.前端电路主要包括跨阻放大器(TIA)、限幅放大器(LA)、直流偏移消除电路...
  • 15. 稿约
    作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年2期
    页码:  93
    摘要:
  • 作者: 汪江涛 董毅敏 蔡道民 谭仁超 邬佳晟 高学邦
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年2期
    页码:  94-98,120
    摘要: 研制了一款可应用于新一代宽带无线移动通信系统的26 GHz GaN单片微波集成电路(MMIC) Doherty功率放大器(DPA).Doherty功率放大器的输入匹配网络中采用兰格耦合器进行...
  • 作者: 丁理想 吴兰 张晓朋 曲韩宾 耿双利 谷江 高博
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年2期
    页码:  99-103,153
    摘要: 基于CMOS工艺,设计了一款可用于无线卫星通信系统的低相噪、低杂散、24 bit分数分频频率综合器.频率综合器内部集成LC压控振荡器(VCO),通过自动增益控制电路调整VCO输出频率,采用电...
  • 作者: 刘德志 王绍权 王鑫 马琳
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年2期
    页码:  104-109
    摘要: 基于SiGe BiCMOS工艺,设计实现了一款用于有源相控阵雷达的X波段低噪声放大器(LNA).采用Cascode结构,有效扩展了放大器带宽,提高了放大器增益.使用噪声匹配与功率匹配一体化设...
  • 作者: 刘帅 王磊 马伟宾
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年2期
    页码:  110-114
    摘要: 在GaAs单片微波集成电路(MMIC)设计中,开关场效应晶体管(FET)是研制开关、数控衰减器、数控移相器等电路的基础.基于0.15 μm栅长GaAs开关FET,研究了GaAs开关FET在低...
  • 作者: 端木庆铎 贲旭博
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年2期
    页码:  115-120
    摘要: 通过溶胶-凝胶(sol-gel)法分别在石英及Si衬底上制备了含不同Mg原子数分数的氧化镁锌(MZO)纳米薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高阻测量仪研究了Mg掺...
  • 作者: 缪旻 罗昌浩 赵凯 邝艳梅 陈兢
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年2期
    页码:  121-128
    摘要: 硅通孔(TSV)是三维集成电路(3D-IC)的关键技术之一,缺陷TSV的片上自修复对于提升3D-IC的可靠性具有重要意义.针对现有片上缺陷TSV自修复方式对冗余TSV数量依赖性较高、可靠性较...
  • 作者: 李烈军 杨和月
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年2期
    页码:  129-134,139
    摘要: 研究了瞬时液相(TLP)扩散连接过程中镍-锡-铜烧结接头的显微结构演变与其抗剪强度的关系.结果表明,由厚度为20 μm的纳米镍焊膏中插入厚度为60μm的纯锡箔所组成的烧结接头,在0.6 MP...
  • 作者: 张强 钱忠健 陈天 陈晓亮
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年2期
    页码:  135-139
    摘要: 浅槽隔离(STI)技术广泛应用于深亚微米CMOS集成电路制造,是工艺应力主要的来源之一.CMOS工艺采用牺牲氧化层(SAC OX)、栅氧化层以及退火等多道热工艺过程,由此产生的热应力对集成电...
  • 作者: 何亮 贾晓菲
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年2期
    页码:  140-144
    摘要: 噪声检测是小型化微波集成电路可靠性诊断的一种无损检测手段,针对GaAs PHEMT单片微波集成电路(MMIC)功率放大器的可靠性问题,进行了噪声测试实验,研究了其低频噪声的测试方法.分析了合...
  • 作者: 于泽琦 屈海朋 张恩光 张春洋 陈晓雷
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年2期
    页码:  145-153
    摘要: 针对免滤波数字D类功率放大器功率级非线性和电源噪声产生的误差,提出了一种基于前馈电源噪声抑制(FFPSNS)和局部闭环负反馈(LCLNF)技术的免滤波数字D类功率放大器桥接负载(BTL)功率...
  • 作者: 应晓亮 张传云 赵志斌 邓二平 黄永章
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年2期
    页码:  154-160
    摘要: 为准确得到绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在混合型直流断路器下的性能参数,测试平台的设计非常重要.结合断路器的特殊工况,对测试平台关键部件模型进行分析,并考虑寄生参数建立测试平台精细化电路模型...
  • 作者: 刘宝宏 樊棠怀 陈瑛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年3期
    页码:  161-170
    摘要: 射频/微波能量收集系统以可持续、环保等优点在无线传感器网络、可穿戴设备等领域具有广泛应用前景.对近年来射频/微波能量收集系统的整流电路的研究进展进行了概述.分析并讨论了整流电路的技术指标和电...
  • 作者: 周维瀚 张文杰 朱志宇 金湘亮
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年3期
    页码:  171-176,200
    摘要: 为解决传统过压保护电路功耗大、易受干扰的问题,基于0.25 μm CMOS工艺设计并实现了一种应用于控制器局域网络(CAN)总线芯片的过压保护电路.其作用是当芯片端口电压高于电源电压或低于地...
  • 作者: 杨宝平 江昆 黄锋
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年3期
    页码:  177-184
    摘要: 依据电参数指标要求,针对高压-高增益硅功率晶体管基区结构和终端结构进行优化研究.提出了一种可用于改善集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO)和电流放大倍数(β)矛盾关系的带埋层的新型基区结...
  • 作者: 卜建辉 李多力 王林飞 罗家俊 蔡小五 许高博 韩郑生
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2019年3期
    页码:  185-188
    摘要: 提出了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET)结构,该结构通过在常规TFET靠近器件栅氧化层一侧的漏-体结界面引入一薄层二氧化硅(隔离区),从而减小甚至阻断反向栅压情况下漏端到体端的带带隧穿(B...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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