一种新型隧穿场效应晶体管

• 作者: 卜建辉 李多力 王林飞 罗家俊 蔡小五 许高博 韩郑生
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 隧穿场效应晶体管(TFET) 绝缘体上硅(SOI) 泄漏电流 带带隧穿(BTBT) 双极效应
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 185-188
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.03.004

摘要

提出了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET)结构,该结构通过在常规TFET靠近器件栅氧化层一侧的漏-体结界面引入一薄层二氧化硅(隔离区),从而减小甚至阻断反向栅压情况下漏端到体端的带带隧穿(BTBT),减弱TFET的双极效应,实现大幅度降低器件泄漏电流的目的.利用TCAD仿真工具对基于部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)和全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)的TFET和新型TFET结构进行了仿真与对比.仿真结果表明,当隔离区宽度为2 nm,高度大于10 nm时,可阻断PDSOITFET的BTBT,其泄漏电流下降了4个数量级;而基于FDSOI的TFET无法彻底消除BTBT和双极效应,其泄漏电流下降了2个数量级.因此新型结构更适合于PDSOI TFET.