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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 1. 中国半导体行业协会工作报告--1998年工作总结及1999年工作安排
    作者： 陈文华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  1-5
    摘要：
  • 2. 纳米电子技术
    作者： 朱长纯 袁寿财
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  6-9
    摘要： 微电子技术引发了本世纪的信息革命.纳米科学技术将成为二十一世纪信息时代的核心和国际科学界和工程技术界关注的热点.
  • 3. MMIC技术在卫星有效载荷上的应用
    作者： 鲁高莲
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  10-13
    摘要： 简要介绍了MMIC技术及其在卫星领域的应用情况,分析了MMIC技术在卫星有效载荷上的应用效益与广阔前景.
  • 4. 半导体制冷器的进展
    作者： 宣向春 王维扬
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  14-18
    摘要： 半导体制冷器具有微型化、轻量化、无振动、长寿命等许多重要优点.目前300K室温下优值系数Z最高的半导体制冷材料是p型Ag0.58Cu0.29Ti0.94Te四元合金,200～300K普冷范围...
  • 5. 硅基光电器件研究进展
    作者： 郭宝增
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  19-24
    摘要： 在信息处理和通信技术中,光电子器件起着越来越重要的作用.然而,因为硅是间接带隙半导体,试图把光电子器件集成在硅微电子集成电路上却遇到很大困难.为解决这一困难,人们发展了多种与硅微电子集成电路...
  • 6. 适用于MPEG2标准的逆量化器的VLSI设计
    作者： 叶波 秦东 章倩苓
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  25-27
    摘要： 介绍了视频压缩国际标准MPEG2(Moving Pictures Expert Group)中有关逆量化的算法,设计了一种适用于MPEG2视频解码的逆量化器VLSI结构,并用VHDL语言进行...
  • 7. 多晶硅发射极晶体管直流特性研究
    作者： 刘英坤
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  28-31
    摘要： 研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性,并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能进行了比较.结果表明多晶硅发射极晶体管具有较高的发射效率,高的电流能力,改善了EB击穿和CB击穿.电流增益依赖于...
  • 8. GaAs MESFET热特性电学法测量与分析
    作者： 何大伟 冯士维 刘成名 吕长志 李道成 谢雪松
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  32-35
    摘要： 采用快速脉冲技术,研制了GaAs MESFET热特性测试仪,并测量、分析了GaAs MESFET冷响应曲线、温升、稳态热阻、瞬态热阻及热响应曲线.采用该方法,可在器件正常工作条件下,快速、非...
  • 9. 静电感应器件栅源击穿特性的改善
    作者： 李思渊 杨建红 王天民
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  36-38
    摘要： 对静电感应器件的栅源击穿特性做了实验研究.结果表明:当使用高阻单晶材料(ND=1×1014cm-3)作为芯片的衬底和沟道,沟道的半宽度小于零栅压耗尽层宽度且源区外延层掺杂浓度较高(Nepi＞...
  • 10. 离子束刻蚀
    作者： 周名辉 王书明 赵丽华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  39-42
    摘要： 介绍了几种常用的干法刻蚀技术的机理,重点介绍了离子束刻蚀的基本原理,给出了55种不同材料在500eV能量1mA/cm2束流密度条件下的刻蚀速率,并给出了刻蚀速率随束流能量和束流密度增加而增加...
  • 11. 大规模集成电路双层布线中的LTCVD PSG介质
    作者： 孔令英
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  43-45
    摘要： 论述了大规模集成电路双层布线中起介质和钝化作用的磷硅玻璃(PSG)的淀积条件、厚度以及实际应用中的若干问题.
  • 12. 关于NO氮化SiO2超薄栅介质膜的研究
    作者： 熊大菁 项雪松
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  46-51
    摘要： 研究了采用NO快速热氮化SiO2膜的方法制备超薄栅介质膜,并初步制备出约5nm超薄栅的MOS电容和约6nm超薄栅的NMOSFET,NO氮化改善了超薄SiO2膜的性能.
  • 13. 掺杂PbTe晶体的热电性质研究
    作者： 新明正弘 李锡华 王明华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  52-54
    摘要： 介绍了利用区熔法生长掺杂热电变换材料PbTe晶体,并对生长样品的杂质分布、热电特性进行了测量和分析.
  • 14. 0.9μm CMOS ASIC的Top-Down设计
    作者： 居水荣 袁敏民
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  54
    摘要：
  • 15. 金刚石的场致发射
    作者： 廖克俊 廖梅勇 张智 王万录
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  55-57
    摘要： 报道了金刚石膜的低电场、大电流阴极发射电流现象.总结了几种不同类型样品结构的发射机理.提出了增强发射电流、提高发射稳定性的方法.综述了各种影响发射电流的因素,提出了较为统一的发射电流表达式,...
  • 16. 金属化布线晶片级测试系统
    作者： 孙英华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  58-60
    摘要： 晶片级测试方法是半导体器件(VLSI)金属化可靠性试验中的一种新方法,本研究在现有设备的基础上进行了一系列的设计和改进,建立了一套由微机控制的晶片级金属化电徙动测试系统,为金属化可靠性测试和...
  • 17. 小扇区可擦写存储器在IC卡收费机中的应用
    作者： 张齐 朱宁西
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年1期
    页码:  61-64
    摘要： 分析了小扇区可擦写存储器Flash AT29C010A的特性,通过在IC卡收费机中的应用介绍其使用方法,软件设计上利用硬件日历时钟的内部非易失性RAM作为收费交易数据暂存区,即可弥补AT29...
  • 18. 宽禁带半导体功率器件
    作者： 刘海涛 陈启秀
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  1-4
    摘要： 阐述了宽禁带半导体的主要特性与SiC、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题,并对其未来的发展作出展望.
  • 19. 测辐射热计红外焦平面列阵
    作者： 杨亚生
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  5-8
    摘要： 非制冷测辐射热计红外焦平面列阵设计为桥式结构,器件制作采用微机械加工技术.工作波段为8～12μm,热阻达107K/W量级,噪声等效温差为0.1K.
  • 20. 提高IGBT开关速度的技术
    作者： 朱长纯 袁寿财
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  9-12
    摘要： 简要分析了IGBT(绝缘栅双极晶体管)的工作机理,制作了20A/1050V的IGBT芯片,给出了测试结果,并对试制样品中子辐照前后的关断特性作了详细的比较和讨论.
  • 21. n型GaAs MESFET沟道特性的研究
    作者： 夏冠群 毛友德 赵建龙 顾成余
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  13-15
    摘要： 报道了n型GaAs MESFET漏源电流Ids和栅源电压Vgs间的关系,发现在负栅压状态下,沟道特性分四个区域:过调制区、线性调制区、过渡区和夹断区,并且零栅压饱和漏源电流大的器件线性调制区...
  • 22. 采用磁控管方式溅射的电子回旋共振等离子体沉积技术的研究
    作者： 任兆杏 喻宪辉 汪建华 袁润章 邬钦崇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  16-19
    摘要： 将磁控管方式溅射用于微波ECR等离子体沉积技术.在低气压和低温下沉积了高度C轴取向的ZnO薄膜,其膜的沉积速率比普通ECR溅射中所得到的速率大得多,并且在Φ12cm的膜区域内显示出良好的均匀...
  • 23. 电阻网络元模拟算法及其在IC设计中的应用
    作者： 石林初
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  20-23
    摘要： 提出了一种模拟任意形状的薄层电阻的方法--电阻网络元模拟算法.将模拟值和计算值进行比较表明,该方法具有精度高和操作简单的优点,从而在IC的设计中获得广泛的应用.
  • 24. 宽温超高频双极静电感应晶体管研制
    作者： 丛众 吴春瑜 王大奇 王荣 闫东梅
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  24-27
    摘要： 描述了宽温超高频pnp双极静电感应晶体管的结构、工作原理、设计与制造.测试结果表明,环境温度从23℃升到180℃时,器件的hFE随温度平均变化率小于40%,优于同类型的常规双极结型晶体管,平...
  • 25. 移相掩模应用技术
    作者： 张慕义 张玉清 李岚 贾海强
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  28-29
    摘要： 一种用于大栅宽器件的移相掩模应用技术是将移相器边缘线用作不透明掩模,以代替铬图形.利用此移相掩模技术,制作了特征线长为0.15μm的微细栅条和大栅宽器件.
  • 26. 双极型静电感应晶体管的温度特性
    作者： 姜岩峰 朱淑玲
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  30-32
    摘要： 通过双极型静电感应晶体管(BSIT)与普通双极型晶体管(BJT)温度特性的对比,研究了BSIT的温度特性.由实验看出,影响BSIT温度特性的主要因素是载流子迁移率μ和由源极越过势垒的电子数目...
  • 27. 芯片加工中的器件损伤
    作者： 刘之景 刘晨
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  33-35
    摘要： 分析了芯片加工中器件损伤的物理机制并给出了减小损伤的方法.
  • 28. 有源矩阵液晶显示器的缺陷检测
    作者： 成建波 杨开愚 葛长军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  36-39
    摘要： 分析了VGA有源矩阵液晶显示器的缺陷分类、产生原因.研制出了有源矩阵液晶显示器的断路测试板、短路测试板以及全板显示测试板.
  • 29. 辐射加固54HC系列集成电路的研制
    作者： 王英民 胡浴红 赵元富
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  40-43
    摘要： 在分析电离辐射引起场区隔离失效机理及场区电离辐射加固技术的基础上,开发了一套适用于研制辐射加固54HC系列和辐射加固大规模集成电路的CMOS工艺技术.辐射实验结果表明,该技术可比非加固电路的...
  • 30. 双极晶体管发射结电流趋热效应及其对结温测量的影响
    作者： 张兴华 张德骏 杨志伟 满昌峰 王家俭 苗庆海
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  44-46
    摘要： 研究了当双极晶体管芯片有源区出现热斑时流经其发射结的电流的趋热行为及其对用ΔV BE法测量结温的影响,提出了一种快速判定器件有源区温度分布均匀性的办法.

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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