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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
5044
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
出版文献量（篇）
5044
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目录
  • 31. 提高半导体器件成品率的有效对策
    作者： 谢永桂
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  47-54
    摘要： 从技术、管理等方面入手,讨论了影响器件成品率的诸因素及提高成品率的对策.介绍了一种有效、相容的吸杂工艺;从工艺优化设计角度讨论了提高成品率的各种途径.
  • 32. 国产炉拉制Φ＞76.2mm无位错FZ硅单晶的两种工艺热场分析
    作者： 黄立新
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  55-59
    摘要： 对国产设备试制及生产Φ＞76.2mm无位错FZ硅单晶的两种最为稳定的工艺热场作了较全面的分析总结.
  • 33. 兼用型初测打点浆料的研制
    作者： 王宗礼
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  60-62
    摘要： 介绍了一种既适用于自动砂轮锯划片后自动装片或手工装片,又适用于手工装片的识别不良管芯的初测打点浆料,并介绍了红外灯光线涸化浆料的简易装置.
  • 34. 肖特基半导体器件的模型及其应用
    作者： 成立
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年2期
    页码:  63-66
    摘要： 从工程实际出发,分别建立了肖特基势垒二极管(SBD)二态模型和肖特基钳位三极管(SCT)四态模型的电路模型,分析并研究了这两个典型的应用电路.
  • 35. SOI晶片制造技术及其应用前景
    作者： 任学民
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年3期
    页码:  1-7
    摘要： 介绍了近年来国外SOI晶片制造技术的进展及SOI晶片在ULSI方面的应用情况.
  • 36. 多孔硅(PS)及其光电器件研究进展
    作者： 郭宝增
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年3期
    页码:  8-13
    摘要： 综述了近几年来人们对多孔硅材料的研究及其用于硅基光电器件制造方面的进展.
  • 37. 晶体管发射极电流集边效应物理意义之探讨
    作者： 石林初
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年3期
    页码:  14-18
    摘要： 由基区电阻的自偏压引起的晶体管发射极电流集边效应,是限制晶体管承载电流能力的因素之一[1～4].本文以发射极电流集边效应发生的程度,分为四个区域,详细探讨了归一化电位和电流密度分布的特点,指...
  • 38. 高场应力对隧道氧化层电特性的影响
    作者： 于宗光
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年3期
    页码:  19-24
    摘要： 详细研究了N+埋层-隧道氧化层-多晶硅电容(N+OP电容)和P型衬底-隧道氧化层-多晶硅电容(POP电容)在高场应力下的高频C-V特性和I-V特性的漂移,以及两种电容在隧道氧化层中陷阱电荷的...
  • 39. 耐高温集成电路的研制
    作者： 徐元斌
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年3期
    页码:  25-27
    摘要： 采用5种特殊工艺技术,研制出F07/F101/F108三种耐高温集成电路,具有在175℃下能够正常工作并满足参数规范.
  • 40. 静电感应晶体管高频功率参数的控制
    作者： 姜岩峰 孟雄晖 李思渊
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年3期
    页码:  28-32
    摘要： 以对静电感应晶体管(SIT)的直流参数的研究为基础,详细研究了与SIT高频性能有关的参数的控制与调节.在高频状态下,器件引线寄生电感的影响变得严重,使得对器件的封装有了新的要求,本文对这一问...
  • 41. 发射激光脉冲用的高速pnpn闸流管的设计与制造
    作者： 何德湛
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年3期
    页码:  33-37
    摘要： 介绍了发射激光脉冲用的高速pnpn闸流管的设计、制造方法及参数测试结果.该器件可用于激光通信、引信(引爆)、测距、小型雷达、模拟射击、游戏枪、车辆防碰撞等方面,也可用于各种脉冲电源及脉冲开关...
  • 42. 掺In GaAs晶体中的EL2缺陷及其热处理
    作者： 谢自力
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年3期
    页码:  38-40
    摘要： 比较了掺In和非掺杂LEC-GaAs晶体中的EL2缺陷,分析了掺In量的不同与热处理过程的不同对LEC-GaAs晶体中EL2缺陷的影响.
  • 43. CZ硅单晶中原生缺陷的特性
    作者： 施锦行
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年3期
    页码:  41-44
    摘要： 描述了CZ硅单晶中原生缺陷的分类、形成机理及它对相关器件性能的影响,并就其控制和消除的方法进行了讨论.
  • 44. 深亚微米低压CMOS IC的ESD保护方法
    作者： 夏增浪
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年3期
    页码:  45-49
    摘要： 详述了目前用于深亚微米CMOS IC的静电放电(ESD)保护方法,比较了它们各自的特点,并详细阐述了栅耦合PMOS触发/NMOS触发横向可控硅(PTLSCR/NTLSCR)ESD保护电路的工...
  • 45. 内调制光敏管的可靠性分析和设计
    作者： 何民才 戴锋 蔡本兰 黄启俊
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年3期
    页码:  50-54
    摘要： 介绍了内调制光敏管的可靠性试验及其失效模式和失效机理的分析.寿命试验结果表明内调制光敏管的平均寿命超过19496小时.
  • 46. 国内半导体器件的可靠性筛选技术
    作者： 丁继善
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年3期
    页码:  55-57
    摘要： 回顾了80年代以来国内器件厂广泛应用的在高可靠器件发展过程中已发挥了重要作用的可靠性筛选技术.
  • 47. I2C总线控制器及其在机顶盒中的应用
    作者： 佘新平 王宏远
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年3期
    页码:  58-62
    摘要： 以I2C总线控制器PCF8584为例,介绍了这种芯片的特点及工作原理,然后着重讨论了应用这种芯片时需要考虑的一些问题,最后说明了该芯片在机顶盒中的应用情况.
  • 48. 话筒管工作稳定性的控制
    作者： 张鸿升
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年3期
    页码:  63
    摘要：
  • 49. 闪速存储器的研究与进展
    作者： 于宗光 何耀宇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年4期
    页码:  1-7
    摘要： 介绍了闪速存储器的发展历史,分析了闪速存储器单元及电路的工作原理,并就"与非"结构闪速存储器进行探讨,最后讨论了在闪速存储器中应用的误差矫正码/电路和深亚微米(0.25μm)闪速存储器技术.
  • 50. 金刚石场效应管的研究与展望
    作者： 孙再吉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年4期
    页码:  8-11
    摘要： 介绍了金刚石器件的发展现状与技术,对金刚石双极器件和金刚石场效应管进行了分析.同时讨论了该领域未来的研究趋向.
  • 51. 射频溅射SiO2在制造Si/SiGeHBT中的应用
    作者： 徐晨 沈光地 罗辑 邹德恕 陈建新 高国 魏泽民
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年4期
    页码:  12-14
    摘要： 介结了射频溅射SiO2的原理与工艺,对制造出的Si/SiGeHBT作了分析.
  • 52. 自升温效应下的GaAsMESFET大信号模型
    作者： 王静 邓先灿
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年4期
    页码:  15-18
    摘要： 分析了GaAsMESFET在自升温效应下的升温幅度,结合器件电学参数随温度变化的特点,对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正.
  • 53. 微传感器制造中的硅-玻璃静电键合技术
    作者： 吕苗 姚雅红 崔战东 赵彦军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年4期
    页码:  19-23
    摘要： 介绍了硅-玻璃静电键合的基本原理,阐述了在自建静电键合设备上实现静电键合的过程.结合其在微机械传感器中的应用,讨论了粗糙表面的键合技术.
  • 54. S波段功率模块研制
    作者： 敦书波 潘宏菽
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年4期
    页码:  24-25
    摘要： 介绍了一种全部采用国产管芯、基片、材料研制的硅S波段功率模块.该模块具有带宽性能好、增益高、输出功率大、可靠性高、静态电流低、体积小、重量轻、输入输出为50Ω及采用全芯片组装等特点.
  • 55. 集成铁电电容的制备和研究
    作者： 姚海平 姜国宝 汤庭鳌 洪晓菁 钟琪 黄维宁
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年4期
    页码:  26-29
    摘要： 给出了一种在CMOS电路基础上制备集成铁电电容的方法.
  • 56. 管座电镀技术
    作者： 刘晓霞 杨景元
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年4期
    页码:  30-31
    摘要： 介绍了管座电镀溶液配方及出现技术问题的预防措施和解决方法.
  • 57. 冷等离子体提纯硅的速率模型分析
    作者： 何笑明 冯信华 尹盛 王敬义 赵宁 陈丽
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年4期
    页码:  32-35
    摘要： 应用反应动力学方法建立基元反应速率方程并按工艺条件进行耦合,得出了以宏观工艺参数表达的提纯速率方程.这种方程便于计算,能指导工艺优化并容易为工程师应用.计算结果与实验数据能较好的吻合.
  • 58. 电子束辐照a-Si的模拟计算
    作者： 张春粼 胡翠英 钟雨乐
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年4期
    页码:  36-40
    摘要： 在分析了非晶硅(a-Si)材料的模型后,提出了一种能够反映a-Si材料结构特点的无规网络模型.以此模型为基础,用MonteCarlo方法模拟计算了能量为0.5～2.5MeV的电子束与a-Si...
  • 59. 液相外延技术制备极低缺陷密度Si/SiO2SOI结构
    作者： 樊瑞新
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年4期
    页码:  41-44
    摘要： 介绍了液相外延技术制备Si/SiO2SOI结构的方法、系统和几个重要环节及当前发展状况,同时指出液相外延技术对制备极低缺陷密度SOI结构具有广阔前景.
  • 60. 功率晶体管稳态工作寿命试验条件研究
    作者： 张兴华 张德骏 曹红 杨列勇 苗庆海
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 1999年4期
    页码:  45-47
    摘要： 介绍了现行标准规定的功率晶体管稳态工作寿命试验条件,讨论了试验条件的选择问题,提出了选择最高结温TJM、最大额定功率Ptotmax和与Ptotmax相应的壳温Tc作为试验条件的观点.

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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