深亚微米低压CMOS IC的ESD保护方法

• 作者: 夏增浪
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 深亚微米低压CMOS IC ESD保护电路
• 年，卷（期）: 1999,（3）
• 所属期刊栏目: 器件可靠性
• 页码范围: 45-49
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 2723字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.1999.03.010

摘要

详述了目前用于深亚微米CMOS IC的静电放电(ESD)保护方法,比较了它们各自的特点,并详细阐述了栅耦合PMOS触发/NMOS触发横向可控硅(PTLSCR/NTLSCR)ESD保护电路的工作原理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏增浪		2	14	1.0	2.0