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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 1. 带有本征薄层的异质结太阳能电池
    作者： 刘爱民 刘艳红
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年1期
    页码:  1-7
    摘要： 带有本征薄层的异质结(HIT)太阳能电池制备工艺温度低、转换效率高、高温特性好,是低价高效电池的一种.根据相关文献,遵循HIT电池发展的过程,从原理、结构、制备工艺等角度对其进行了深入分析,...
  • 2. 宽带HBT VCO单片电路的设计和制作
    作者： 戚伟 李远鹏 蔡文胜 陈凤霞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年1期
    页码:  8-13
    摘要： 针对传统采用的VCO设计理论,分析了VCO的基本结构及其工作原理,分析了负阻法和反馈法的优缺点,采用虚地法对VCO电路进行了分析和设计,从而简化了VCO的设计.同时利用EDA工具对微波宽带V...
  • 3. 8位CMOS双通道流水线ADC仿真设计
    作者： 吴衍 成立 杨宁 王振宇 王改 王鹏程
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年1期
    页码:  14-17
    摘要： 设计了一种8位1.2 V,1 GS/s双通道流水线A/D转换器(ADC).所设计ADC对1.5位增益D/A转换电路(MDAC)中的流水线双通道结构进行改进,其中设置有双通道流水线时分复用运算...
  • 4. 读卡器末级功率放大器的设计与实现
    作者： 刘影 南敬昌 梁立明
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年1期
    页码:  18-22,93
    摘要： 在研究了平衡功率放大器的电路结构和工作原理基础上,设计了一个工作中心频率为915 MHz,输出功率为32 dBm应用于读卡器系统的末级功率放大器.为了在工作频段内实现平坦的功率增益和获得良好...
  • 5. 6～18 GHz超宽带微带均衡器设计与实现
    作者： 何庆国 刘亚男 王抗旱 郝金中
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年1期
    页码:  23-26
    摘要： 6～18 GHz超宽带微波组件幅频特性起伏比较大,采用幅度均衡器可有效改善增益平坦度,使其满足指标要求.根据谐振理论和传输线理论进行了6～18 GHz超宽带微带幅度均衡器设计.利用ADS和H...
  • 6. ASIC物理设计中金属层数对芯片的影响
    作者： 李莉 柏璐 聂红儿
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年1期
    页码:  27-30
    摘要： ASIC芯片物理版图设计的一个重要问题是选用几层金属层.以一款SMIC 0.18μmDVBC芯片(BTV2040S03)为例,选用三种不同金属层工艺进行对比.首先设计出三种不同金属层的版图,...
  • 7. Doherty高效功率放大器的设计
    作者： 吴毅威 唐宗熙 张彪
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年1期
    页码:  31-33,38
    摘要： 根据Doherty技术设计并实现了运用于2 010～2 025 MHz频段的高效率功率放大器.在设计Doherty放大器过程中采用了放大器单管双向牵引优化方法提高单管功率放大器效率,通过对晶...
  • 8. 基于集成电路过电压保护设备的研制
    作者： 卢建华 吴光彬 吴晓男
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年1期
    页码:  34-38
    摘要： 为了解决某型引进飞机过压保护器备件短缺问题,在对进口产品的故障率高等局限性原因进行分析研究的基础上,提出了具体的解决对策,给出了一种集成电路设计过压保护器的总体方案,完成了过压探测及延时电路...
  • 9. 用阶梯状掺杂埋层对超浅结进行C-V剖面分析
    作者： Nanver L.K. Popadic Milo(s) 徐翠芹 茹国平
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年1期
    页码:  39-42,89
    摘要： 研究了应用双边C-V法测量超浅结(如p~+-n结)的掺杂分布.推导了在已知p~+-n结的电容-电压(C-V_R)关系、n区掺杂、以及热平衡下n区耗尽层宽度(x_(n0))的情况下计算P区掺杂...
  • 10. 考虑瞬态效应的缓变结HBT性能分析
    作者： 周守利 唐新桂 熊德平 王银海 罗莉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年1期
    页码:  43-45
    摘要： 在包含晶格加热和非本地传输的瞬态效应过程下,漂移-扩散模型(DD)不再有效,需采用更精确的非等温能量平衡(NEB)模型.NEB模型的计算结果表明,对于基区厚度处于DD模型向全量子输运模型过渡...
  • 11. 130 nm NMOS器件的单粒子辐射电荷共享效应
    作者： 刘佑宝 吴龙胜 方勇 陈超 韩本光
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年1期
    页码:  46-49,93
    摘要： 研究了同一P阱内两个130 nm NMOS器件在受到重离子辐射后产生的电荷共享效应.使用TCAD仿真构造并校准了130 nm NMOS管.研究了在有无p~+保护环结构及不同器件间距下,处于截...
  • 12. 新型激光二极管列阵光束整形方法
    作者： 冯小明 刘媛媛 刘素平 吴芃 李伟 王翠鸾 韩淋 马骁宇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年1期
    页码:  50-53
    摘要： 设计并制作了一套简单有效的光束整形系统,用以改善激光二极管列阵器件(LDA)的光束质量,减小快慢轴光束质量积的差别,实现高亮度光纤耦合输出.首先采用快慢轴准直透镜压缩LDA的发散角,然后采用...
  • 13. SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益的研究
    作者： 孙伟锋 钱钦松 陈越政
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年1期
    页码:  54-57
    摘要： 采用二维器件模拟仿真软件Tsuprem4和Medici模拟了SOI-LIGBT的n型缓冲层掺杂剂量、阳极p~+阱区长度、漂移区长度以及阳极所加电压对SOI-LIGBT寄生晶体管电流增益β的影...
  • 14. SiGe HBT器件的研究设计
    作者： 吴国增 米保良
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年1期
    页码:  58-62
    摘要： 研制了一种平面集成多晶发射极SiGe HBT,并对SiGe HBT设计进行了研究分析.给出了双极晶体管的结构和关键工艺参数,并进行了流片测试,结果表明,在室温下电流增益β大于1 500,最大...
  • 15. 级联光纤环的空间全偏振态统计退偏特性研究
    作者： 应可捷 彭蕾 王春华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年1期
    页码:  63-67
    摘要： 级联光纤环退偏器具有无源、经济、高效的特点,解决了当前发展较为成熟的Lyot型退偏器对窄带光退偏失败的缺点,是具有很大发展前景的新型退偏技术.研究了通过级联光纤环的不同循环传输路径实现光的空...
  • 16. 碱性条件下硬盘基板两步抛光法的实验研究
    作者： 刘效岩 刘玉岭 孙业林 谢竹石 魏恒
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年1期
    页码:  68-71
    摘要： 在对硬盘基板CMP机理进行分析后,采用河北工业大学研制的计算机硬盘抛光专用碱性抛光液,选择氧化剂添加量、抛光压力两个重要参数分别进行实验,讨论它们在两步抛光方法中的重要作用.总结实验结果后,...
  • 17. SiO_2/CeO_2混合磨料对微晶玻璃CMP效果的影响
    作者： 刘效岩 刘玉岭 孙增标 张研 闫宝华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年1期
    页码:  72-74
    摘要： 在微晶玻璃表面的超精密加工中,抛光磨料是抛光液重要的组成部分,它不仅影响着微晶玻璃的去除速率,而且对表面的粗糙度有着重要的影响.把超大规模集成电路的CMP技术引入到微晶玻璃的抛光中,在分析S...
  • 18. Mg-Al合金化学机械抛光中表面状态的研究
    作者： 刘玉岭 张研 梁蒲 牛新环 肖文明 阎宝华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年1期
    页码:  75-78
    摘要： 化学机械抛光(CMP)可以获得高精度、低表面粗糙度和无损伤工件表面,并可实现全局平坦化.将CMP技术拓展到Mg-Al合金表面加工中,研究了Mg-Al合金化学机械抛光机理,分析了Mg-Al合金...
  • 19. PMOSFET动态NBTI效应的研究
    作者： 宋芳芳 李斌 章晓文 解江
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年1期
    页码:  79-83
    摘要： 负偏压温度不稳定性效应(NBTI)已经成为影响CMOS集成电路可靠性的一个关键因素,而动态应力条件下的NBTI效应对器件和电路的影响越来越受到关注.对PMOSFET的动态NBTI效应进行了系...
  • 20. 欠键合/过键合与功率设置及温度关系的研究
    作者： 张亚楠 韩雷
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年1期
    页码:  84-89
    摘要： 在热超声引线键合过程中,低功率设置和低温下容易导致欠键合,高功率设置和高温下则容易出现过键合.通过实验采集了不同超声功率设置、不同温度下大量键合过程中换能杆末端轴向的速度信号、换能杆两端驱动...
  • 21. 栅氧化层制程对IC产品可靠性的影响
    作者： 曾梁英 李明 胡子信 阮玮玮
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年1期
    页码:  90-93
    摘要： 栅氧化层变薄的趋势使得栅氧化层制程对IC产品可靠性的影响成为业界关注的焦点之一.在0.18 μm工艺的基础上,针对6 V器件对应的氧化层,设计了两种不同的栅氧化层生长方式,并对这两种方法生长...
  • 22. MOS结构电容高频C-V特性的应用
    作者： 孔学东 熊海 章晓文
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年1期
    页码:  94-98
    摘要： CMOS工艺的发展要求栅介质层厚度不断减薄,随着栅极漏电流的不断增大使用准静态的方法测量器件特性不稳定.根据这一情况,提出用高频电容电压(C-V)来评价深亚微米和超深亚微米器件工艺.通过高频...
  • 23. 飞思卡尔先进电表参考设计推进智能计量发展步伐
    作者： 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年1期
    页码:  99-100
    摘要：
  • 24. 产业新闻
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年1期
    页码:  101
    摘要：
  • 25. 中国光伏产业发展
    作者： 孙玉星 杨宏 苏乘风
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年2期
    页码:  101-104
    摘要： 基于国际光伏产业不断发展的背景下,介绍了中国光伏产业近几年迅猛发展的概况,并深入分析总结了中国光伏产业得以快速发展的基本原因及内在动力.同时,也指出了中国光伏产业发展过程中出现的一些问题,如...
  • 26. ZrN扩散阻挡层与SiCON低k介质界面特性XPS研究
    作者： 丁士进 张卫 张驰 徐赛生 杨春晓
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年2期
    页码:  105-108
    摘要： 对ZrN扩散阻挡层与SiCON低k介质(k=2.35)的界面特性进行了XPS分析.实验结果表明,刚淀积的样品中ZrN与SiCON薄膜之间有一定程度的相互扩散并形成界面区.在界面区内Zr与Si...
  • 27. TiO_2/SiO_2和TiO_2/SiO_xN_y层叠结构高k栅介质比较研究
    作者： 徐文彬 王德苗
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年2期
    页码:  109-112
    摘要： 以射频磁控溅射为主要工艺,制备了TiO_2/SiO_2和TiO_2/SiO_xN_y两种层叠结构栅介质.对C-V特性和漏电特性的测试表明,SiO_2和SiO_xN_y等界面层的引入有效地降低...
  • 28. InGaAs/InP材料的MOCVD生长研究
    作者： 刘英斌 林琳 赵润 郑晓光 陈宏泰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年2期
    页码:  113-115,120
    摘要： 研究了InGaAs/InP材料的MOCVD生长技术和材料的性能特征.InP衬底的晶向偏角能够明显影响外延生长模型以及外延层的表面形貌,用原子力显微镜(AFM)观察到了外延层表面原子台阶的聚集...
  • 29. GaAs PHEMT材料中2DEG浓度的控制与测试研究
    作者： 吕晶 孙莹 杨瑞霞 武一宾
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年2期
    页码:  116-120
    摘要： 设计并使用分子束外延(MBE)方法制备了不同帽层厚度、不同掺杂浓度的双平面掺杂GaAs PHEMT外延材料,采用不同工艺手段控制InGaAs沟道异质结界面的平滑程度.采用非接触霍尔方法对样品...
  • 30. 半绝缘SiC单晶电阻率均匀性研究
    作者： 严如岳 冯玢 吴华 洪颖 王香泉 郝建民
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年2期
    页码:  121-124
    摘要： 采用非接触电阻率面分布(COREMA)方法对本实验室生长得到的2英寸(50 mm)4H和6H晶型半绝缘SiC单晶片进行电阻率测试,结果发现数据的离散性大,低者低于测试系统下限10~5Ω·cm...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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