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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 1. 美、日、欧宽带隙半导体技术发展研究
    作者： 陈海明
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  749-752,756
    摘要： 美国、日本和欧盟等国在SiC、GaN和金刚石等宽带隙半导体器件与电路研究中已取得多项里程碑性的进展,这些飞速发展已经证实宽带隙半导体是当之无愧的新一代半导体材料,并将替代Si和GaAs应用于...
  • 2. 碱性条件下硬盘NiP基板抛光速率正交试验分析
    作者： 刘玉岭 刘金玉 穆会来 项霞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  753-756
    摘要： 利用单面抛光机和SiO2碱性抛光液进行了以硬盘NiP基板CMP去除速率为考核指标的工艺试验.针对抛光速率是受各个工艺因素共同影响这一特性,应用正交试验方法分析了CMP中5个重要工艺参数(抛光...
  • 3. 计算机硬盘基片的化学机械清洗技术研究
    作者： 司马能 屠锡富 布乃敬 藏松涛 袁国兴 雷红
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  757-760
    摘要： 目前,CMP技术对计算机硬盘基片(盘片)进行抛光,盘片表面粗糙度达到原子级平整,抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP最终技术水平的高低.采用静态浸泡实验以及浸泡、擦洗、超声清洗实验,结合一系...
  • 4. 低压力Cu布线CMP速率的研究
    作者： 刘效岩 刘海晓 刘玉岭 李晖 王辰伟
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  761-763,767
    摘要： 采用低介电常数材料(低k介质)作为Cu布线中的介质层,已经成为集成电路技术发展的必然趋势.由于低k介质的低耐压性,加工的机械强度必须降低,这对传统化学机械抛光(CMP)工艺提出了挑战.通过对...
  • 5. 多结化合物电池用p型Ge抛光片清洗技术研究
    作者： 刘春香 杨洪星 赵权
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  764-767
    摘要： 对多结化合物太阳电池用的p型Ge抛光片的清洗技术做了研究.Ge抛光片的清洗可以采用酸性清洗液和碱性清洗液相结合的方式.酸性清洗液的主要作用是去除晶片表面的有机物;碱性清洗液的主要作用是去除晶...
  • 6. 超薄Ge单晶抛光片机械强度控制技术
    作者： 刘春香 吕菲 张伟才 杨洪星 王云彪 赵权
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  768-771,786
    摘要： Ge单晶衬底上制成的化合物太阳能电池,被越来越广泛地应用于空间太阳能领域,超薄Ge抛光的机械强度也越来越受到人们的关注.介绍了一种测试超薄Ge单晶抛光片机械强度的方法.研究了加工工艺对超薄G...
  • 7. 晶体管工作状态对SiGe带通滤波器的影响研究
    作者： 张维佳 李晶晶 杨保和 熊瑛 申研
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  772-774
    摘要： 采用SiGe异质结双极晶体管,设计了一种具有回转结构的带通跨导-电容滤波器.使用ADS软件进行电路图的仿真分析.研究镜像电流源的集电极电阻R对该滤波器中心频率、输出增益及功耗的影响.分析结果...
  • 8. 单光子雪崩二极管探测系统测试与设计分析
    作者： 周扬 白宗杰 陈世军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  775-779
    摘要： 随着在弱光探测量子通讯领域研究的深入,光子探测逐渐成为国内外研究的热点.基于Si单光子雪崩光电二极管探测系统,介绍了系统相关性能参数以及相应的测试方法,对主要结构、性能指标和外界环境条件进行...
  • 9. GaAs大功率器件内匹配技术研究
    作者： 邱旭
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  780-783
    摘要： 介绍了GaAs大功率器件内匹配技术的基本原理,包括匹配电路原理、内匹配元件的参数计算方法等.以C波段40 W大功率器件为例讲述了内匹配技术在GaAs功率器件设计中的应用.通过大信号建模获得大...
  • 10. SiC MESFET反向截止漏电流的研究
    作者： 崔现锋 潘宏菽
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  784-786
    摘要： 给出了一种减小SiC MESFET栅漏反向截止漏电流的工艺方法,通过采用LPCVD淀积厚SiO2和高温氧化工艺,使器件的性能得到一定的提升.从实验数据看出,器件在S波段工作时,器件的反向截止...
  • 11. 无Cr腐蚀液显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错
    作者： 刘云霞 周旗钢 孙燕 曹孜 李惠 石宇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  787-790
    摘要： Si抛光片的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,为提高Si抛光片质量,应对氧化诱生层错的产生有充分的认识和了解,并加以克服,而简单、快捷、准确地显示缺陷是首要条件.介绍了采用环保...
  • 12. RPCVD生长SiGe薄膜及其性能研究
    作者： 何自强 周旗钢 柳伟达
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  791-793,822
    摘要： 利用应用材料公司外延设备,在Si(001)衬底上,通过RPCVD方式生长出完全应变、无位错的SiGe外延层.通过X射线衍射和原子力显微镜测试技术,得到了外延层Ge摩尔分数、外延层厚度、生长速...
  • 13. ICP腔体压力对直流偏压的影响
    作者： 周俊 幺锦强 张力江 王敬松
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  794-796
    摘要： 基于GaAs器件干法刻蚀工艺,介绍感应耦合等离子(ICP)的刻蚀原理,以Cl2和BCl3为刻蚀气体,研究分析了在GaAs表面刻蚀工艺中不同的腔体压力下设备直流偏压的变化情况.发现在各种不同的...
  • 14. 一种新型合金材料石墨铝的应用前景
    作者： 吴景峰 韩建栋
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  797-799
    摘要： 介绍一种新型合金材料石墨铝,与传统封装材料进行了比较,表明该材料同时兼有低密度(2.46g/cm3)、高热导率(200W/m·K)、与半导体器件热膨胀系数(7×10-6和4×10-6/K)匹...
  • 15. 国产半导体器件长期贮存试验研究
    作者： 徐立生 童亮 高兆丰 高金环
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  800-802
    摘要： 分析了在北方实验室条件下,贮存25年的国产商用高频小功率晶体管的特性与可靠性,通过对10批共1460只器件的试验、检测,并与25年前的原始数据进行对比分析,发现了贮存器件存在直流放大倍数(H...
  • 16. GaAs集成电路辐照效应试验研究
    作者： 王文君 田国平
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  803-805
    摘要： GaAs集成电路因其良好的电性能和抗辐射能力,广泛应用于各领域,尤其是航天航空方面.电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,因此对3 bit GaAs加权相加电路进行了全面的辐照效应试验技术研...
  • 17. LTCC工艺技术研究
    作者： 张丽华 张金利
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  810-812
    摘要： 叙述了LTCC技术的起源、特点及未来发展趋势.介绍了LTCC产品的种类、优越性及广阔的应用领域,对LTCC工艺技术中高精度金属化印刷技术和陶瓷高温共烧技术进行了深入研究,剖析了影响金属化印刷...
  • 18. 宽带GaN单片功率放大器研究
    作者： 何庆国 冯志红 刘波 王会智 蔡树军 闫锐
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  813-815
    摘要： 基于GaN HEMT器件在微波功率方面的优越性能,设计并实现了宽带GaN单片功率放大器.简述了AlGaN/GaN异质结构的优势以及现状,同时结合热分析的方法给出了所选GaN HEMT器件的基...
  • 19. 一种多输出的快速高电源抑制比带隙基准
    作者： 任国栋 肖剑
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  816-818
    摘要： 设计并实现了一种简单的、多输出的带隙基准电路,利用pnp型双极型晶体管作为射极跟随器驱动带隙基准,工作电流由与绝对温度成正比的电流源提供,并且设计了启动电路.基于CSMC 0.5μm工艺对电...
  • 20. L波段雷达发射机中功率放大器的研制
    作者： 曾孝平 杨凡 熊东
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  819-822
    摘要： 针对在全固态雷达发射机的功率放大器设计中,大信号S参数无法获得的情况,采用小信号S参数法和负载牵引法设计了一种工作于1.9～2.0 GHz的3级功率放大器.通过对功率放大器的仿真,得到满足设...
  • 21. DFB激光器振动解调系统温度补偿的设计
    作者： 刘统玉 鞠芳 马昕
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  823-826
    摘要： 介绍了DFB激光器结合光纤光栅测量振动信号的原理,并针对系统常见的温度干扰问题提出了采用PID调节DFB波长法和双光栅光强互补进行温度干扰抑制的措施.通过实验验证和比较了这两种方法的特点和效...
  • 22. 低压Rail-to-Rail CMOS运算放大器的设计
    作者： 史琳 王好德 王永顺
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  827-830
    摘要： 基于0.5μm标准CMOS工艺,设计了一种带有恒跨导输入级的轨对轨(rail-to-rail)低压CMOS运算放大器.采用折叠式共源共栅差分电流镜放大器输入级和改进的CMOS AB类输出级,...
  • 23. X波段4位数控移相器MMIC研究
    作者： 乔明昌 王宗成
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  831-833,851
    摘要： 采用0.25μm GaAs FET芯片工艺成功制作了X波段4位数控移相器MMIC,对该数控移相器MMIC集成电路的设计、工艺制作过程做了阐述,并给出了实际测试参数.电路设计采用了高低通滤波器...
  • 24. LTCC片式LC带通滤波器的设计与实现
    作者： 张丽华 赵祖军 高岭
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  834-837
    摘要： 介绍了基于LTCC(低温共烧陶瓷)共烧技术和厚膜技术工艺特点进行集成式L和C元件建模、LTCC集成式LC滤波器的设计技术.根据LTCC集成元件体积小寄生参数较大的特点,将常规LC滤波器的电路...
  • 25. 一种采用印制线巴伦技术的1kW高功率放大器
    作者： 杨大宝 王一民
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  838-840
    摘要： 介绍了一种P波段1kW微波脉冲功率放大器.功率合成方式采用印制线巴伦,从理论上简单地分析了这种印制线巴伦功率合成技术,阐述了印制线巴伦的应用,并将其实用化.功率器件采用的是具有高增益特性的功...
  • 26. 一种超宽带2路0°功率分配器的设计方法
    作者： 李群春
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  841-844
    摘要： 主要论述了适合目前工艺水平的,频率覆盖范围超过十几个倍频程的一种超宽带2路0°功率分配器的电路设计方案.这种设计方法主要基于Multi-section Wilkinson带状线结构,利用An...
  • 27. 系列微波宽带放大器
    作者： 付丽欣 郝景红 高长征
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  845-848
    摘要： 介绍了反馈式放大器、平衡式放大器及行波式放大器等宽带放大器的工作原理,采用多种宽带电路结构设计制作了系列微波宽带放大器,进行了微波仿真,给出了设计过程及测试结果.频率覆盖2～18 GHz,分...
  • 28. 3 mm二倍频器的设计与实现
    作者： 杨鹏 王姗姗
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  849-851
    摘要： 设计了一种W波段二倍频器,输入为46～48 GHz,输出为92～96 GHz,用来为毫米波接收前端系统提供3 mm本振信号.二倍频器采用微带线制作,且输入和输出端口位于腔体轴向两侧,选择对脊...
  • 29. 特定相位高功率开关的研制
    作者： 吴景峰 李涛 陈宏江
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  852-854
    摘要： 为满足相控阵天线的特定相位、小型化及高功率的要求,研制了一种S波段SP4T开关,阐述了开关的设计仿真方法,详细分析了开关的相位和大功率设计.用矢量网络分析仪测得结果为插入损耗IL＜0.6 d...
  • 30. 信息动态
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年8期
    页码:  855-859
    摘要：

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

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