一种多输出的快速高电源抑制比带隙基准

• 作者: 任国栋 肖剑
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准 多输出 建立时间 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 816-818
• 分类号: TN492
• 字数: 1981字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.08.020

摘要

设计并实现了一种简单的、多输出的带隙基准电路,利用pnp型双极型晶体管作为射极跟随器驱动带隙基准,工作电流由与绝对温度成正比的电流源提供,并且设计了启动电路.基于CSMC 0.5μm工艺对电路进行了优化,仿真表明在全温度范围内基准电压变化2.72 mV,低频电源抑制比高于-100 dB,输出建立时间10μs;对降压型DC-DC电源芯片的直流和交流测试表明,基准工作稳定可靠.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任国栋	兰州理工大学理学院	7	26	3.0	5.0
2	肖剑	长安大学道路交通检测与装备工程技术研究中心	12	34	4.0	5.0