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半导体技术2010年第6期出版文献
出版文献量（篇）
5044
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24788
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 光助电化学刻蚀技术是目前获取高深宽比微纳结构的重要方法之一.由于其制作成本低、三维结构形貌可光控实现而受到重视.从实际应用出发,对Lehmann光照模型和电流密度经验公式进行了修正,并从理论...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产业经过20年的发展,其规模已经远远超出10年前的预想,技术发展也呈现出加速进步的趋势.各种新一代光刻技术的出现显著提升了掩模版的制作精度,对其市场价格...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 利用反应离子刻蚀(RIE)技术在Ge衬底上制备宽波段亚波长结构,研究了不同SF6/O2比例条件下在不同刻蚀时间、压强和射频功率对结构形貌及刻蚀深度的影响,并用SEM对刻蚀图形的表面形貌进行了...
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4. AAO模板的湿法刻蚀研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 利用二次阳极氧化法制备多孔氧化铝(AAO)模板,然后用NaOH、磷铬酸和不同质量分数的H3PO4等溶液,对AAO模板进行湿法刻蚀.研究了刻蚀时间与AAO模板质量减少之间的变化关系.结果表明,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 在前期对双掺杂多晶Si栅(DDPG)LDMOSFET的电场、阈值电压、电容等特性所作分析的基础上,仍然采用双掺杂多晶Si栅结构,以低掺杂漏/源MOS(LDDMOS)为基础,重点研究了DDPG...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 借助二维数值模拟软件ATHENA和ATLAS,研究分析了一款耐压为700 V的外延型LDMOS管的工作特性.按其工作机制,提出了用一个MOST和两个JFET有源器件构建成可用于电路仿真的LD...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 建立了环栅结构的CMOS/SOI器件的SPICE模型,可以对抗辐照设计中环栅结构的CMOS/SOI器件计算其等效宽长比,将环栅器件转换为等效宽度和长度的条栅器件;以及对体接触电阻等其他受影响...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 热设计是大功率移相器设计中必须考虑的环节,使用有限元仿真技术对对某型号移相器产品的热特性进行了模拟研究,建立了移相器热仿真模型.模拟所得最高结温与实验结果能较好吻合,验证了所用模型及方法的正...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 采用湿度敏感度评价试验及湿-热仿真方法,分析了温湿度对于QFN封装分层失效的影响.通过C-SAM和SEM等观察发现,QFN存在多种分层形式,分层大多发生在封装内部材料的界面上,包括封装塑封材...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 辐射引起的软失效一直是影响半导体可靠性的一个重大问题.特别是宇宙射线引起的在地球表面的高能中子,由于其特有的高穿透性很难有效屏蔽防护.介绍了其造成半导体器件软失效的失效机理,并利用加速软失效...
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11. 低介电常数封接玻璃的研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 在传统的硼硅酸盐封接玻璃的基础上通过引入不同的氧化物设计了3组玻璃配方,研究了硼硅酸盐玻璃的组成和介电常数以及润湿性能之间的关系.然后在优选的组分中加入适当的成孔剂,通过一定的制备工艺,制得...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 由于Cu线热导率高、电性能好、成本低,将逐渐代替传统Au线应用于IC封装.但Cu线键合也存在Cu材料本身固有特性上的局限:易氧化、硬度高及应变强度等.表面镀Pd Cu线材料的应用则提供了一种...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 简述快速恢复功率二极管的几个重要电参数及其工作原理,根据长期制造二极管的实验经验和实验数据分析,掺Au工艺对快速恢复功率二极管反向恢复时间trr和外延二极管正向压降VF以及反向电流IR的影响...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 为了保证双向可控硅的导通性能,需要其四个导通状态的触发电流,IGT1,IGT2,IGT3和IGT4的大小尽可能地接近,尽可能地灵敏.采用目前国内常规工艺在,IGT3小于5 mA,IGT4小于...
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15. 无/低空洞回流焊接技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 较传统的焊接方法,回流焊能高效、重复、无/低空洞地进行大面积电路片的焊接.基于PCB板回流焊接技术分析了回流焊大面积薄电路片的影响因素,结果表明影响焊接的主要因素是工艺气氛、压力、温度曲线等...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 低温条件下(95℃),采用ZnO种子辅助化学反应法,成功制备了宏量直、细的ZnO纳米棒;用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等分析手段对纳米棒的结构和形...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 基于扫描探针显微镜(SPM)微机械性能测试的需求,设计了一种可用电容力驱动微桥面振动的新型微桥.通过实验选材和单晶Si的刻蚀研究,提出了一种新的正面刻蚀成桥方法,获得了一种基于湿法刻蚀的低成...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： Ka波段毫米波功率放大器的输出功率往往受限于功率合成部分的损耗,其合成器多路之间的隔离度、多级放大模块的级间匹配好坏及整体散热性能是影响整个功放可靠性的重要因素.针对上述毫米波固态功放的特点...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 采用GaAs标准高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺设计了一种低噪声放大器.放大器由4级4指双栅槽结构HEMT器件级联构成.0.25μm栅线条的选用保证器件有低的噪声系数和较高的增益.通过在H...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 设计并实现了一种基于双极型工艺的2.5V高精度大负载电流集成基准电压源电路,通过对传统带隙基准电路的改进,设计中增加了电源电压分配电路、电流反馈电路和大电流驱动电路,实现高精度大负载电流的目...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 针对厚膜DC/DC电源的散热问题,基于实测结果,利用有限元法建立了其三维有限元模型,并模拟出实际工作条件下的温度场分布.分析了电源模块中发热元件的温升及相互的热耦合情况,研究了外壳与基板材料...
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22. GaAs MIM电容模型刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 阐述了无源元件在MMIC设计中的重要性及MIM电容模型参数提取的几种方法.以简化的MIM电容等效电路为基础,通过IC-CAP建模软件,建立平板电容的等效模型模拟其电学特性.根据实测数据提取相...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 针对雷达系统小型化和低功耗的应用需求,提出一种宽带雷达数字接收机中数字下变频器的设计方法.通过采用系统采样频率等于输入信号中心频率4倍的采样技术,结合混频器的特殊实现结构以及半带FIR滤波器...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要： 基于GSMC 0.18μm CMOS工艺,采用曲率补偿带隙参考电压源和中心对称Q2随机游动对策拓扑方式的NMOS电流源阵列版图布局,实现了一种10 bit 100 MS/s分段温度计译码CM...
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25. 投稿要求刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要：
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27. 产业新闻刊名： 半导体技术发表期刊： 2010年6期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
半导体技术统计分析
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