GaAs MIM电容模型

• 作者: 王生国 胡志富
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓MMIC 模型 MIM电容 IC-CAP
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 集成电路没计与开发
• 页码范围: 607-609,613
• 分类号: TN304.23|TM53
• 字数: 1835字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.06.022

摘要

阐述了无源元件在MMIC设计中的重要性及MIM电容模型参数提取的几种方法.以简化的MIM电容等效电路为基础,通过IC-CAP建模软件,建立平板电容的等效模型模拟其电学特性.根据实测数据提取相关模型参数,同时与实际测试的MIM电容值进行对比,对ADS元件库中电容模型的关键参数做了修改和验证.经过在GaAs工艺线实际流片统计、验证,该模型在40 GHz以下实测的S参数与电磁仿真结果基本吻合,平板电容的误差控制在3%以内,可用于40 GHz以下CaAs MMIC的电路设计和仿真.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡志富	中国电子科技集团公司第十三研究所	7	9	2.0	2.0
2	王生国	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	13	3.0	3.0