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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 1. 全球LED产业技术专利检索分析
    作者： 张剑平 文尚胜 王保争 王庆涛
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年10期
    页码:  953-956
    摘要： 选择"七国两组织"专利数据库,采集1985年1月1日至2008年12月31日期间的全球LED技术专利文献,建立专利数据库.再选择广东专利信息服务平台分析系统分别从专利申请总量、重点专利技术和...
  • 2. 信息动态
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年10期
    页码:  956,993,1043-1045,1048
    摘要：
  • 3. LED受ESD冲击前后性能的变化分析
    作者： 严伟 李抒智 杨卫桥 陆海泉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年10期
    页码:  957-960
    摘要： 对GaN基蓝光LED施加ESD冲击,比较LED在受到ESD冲击前后I-V特性曲线、-5 V反向漏电流以及光色电特性的变化发现在I-V特性曲线和-5 V反向漏电流有明显变化的情况下,LED的光...
  • 4. 组件类产品环境应力筛选试验研究与应用
    作者： 李永
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年10期
    页码:  961-963,988
    摘要： 基于目前国内电子产品ESS(环境应力筛选)依据<GJB1032-90电子产品环境应力筛选方法>中有关温度循环和随机振动试验的普遍做法,介绍了在研制和生产阶段开展ESS的目的和基础,讨论了ES...
  • 5. 功率型LED散热器的研究
    作者： 吴军 张建华 李抒智 杨卫桥
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年10期
    页码:  964-967,1027
    摘要： 分析了目前功率型LED发展存在的瓶颈问题,以及散热对LED器件正常工作的重要性.散热器的设计决定了功率型LED芯片产生的热量能否顺利传至工作环境,基于现有的文献和专利总结了大功率LED散热器...
  • 6. RF LDMOS功率器件研制
    作者： 姜一波 李科 杜寰 王帅 陈蕾
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年10期
    页码:  968-972
    摘要： 基于ISE TCAD模拟软件对RF LDMOS器件的工艺流程和器件结构进行了优化设计,采用带栅极金属总线的版图结构降低栅电阻,同时简化了LDMOS器件的封装设计.通过实际流片和测试分析,重点...
  • 7. TiO2薄膜的制备及其压敏特性研究
    作者： 周丽萍 季振国 毛启楠
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年10期
    页码:  973-975
    摘要： 对热氧化制备的TiO2薄膜的低压压敏特性进行了研究.首先利用直流磁控溅射方法在重掺Si衬底上沉积一层金属钛膜,然后在退火炉中热氧化得到TiO2薄膜.XRD分析结果表明,Ti金属膜热氧化所得的...
  • 8. 太阳电池用Si片切割过程中浆料作用研究
    作者： 王学军 童亮 董和媛 贺敬良
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年10期
    页码:  976-979
    摘要： Si片生产技术及工艺的进步使得太阳电池用Si片的切片厚度不断降低,而超薄的太阳电池用Si片必须通过多线切割机进行切割.基于Si片切割过程中砂浆性能对Si片表面质量、Si片成片率和切割线寿命的...
  • 9. SiG高温氧化的研究
    作者： 商庆杰 潘宏菽 霍玉柱
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年10期
    页码:  980-982
    摘要： 热氧化是碳化硅晶片工艺中一种常用的工艺,但基于硅工艺的氧化温度一般都相对较低,此温度下,碳化硅氧化缓慢,在很多情况下很难满足工艺需求.利用新设计的高温氧化设备对碳化硅晶片进行不同温度下的氧化...
  • 10. ZnPc作为有机太阳电池阴极修饰层的研究
    作者： 孟庆蕾 季静佳 席曦 李方馨 李果华 钱维莹 阙立志
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年10期
    页码:  983-988
    摘要： 采用ZnPc作为ZnPc/C60有机太阳电池阴极修饰层,分析了其对器件光电性能和稳定性的影响.研究了不同厚度ZnPc修饰层对器件性能的影响,结果表明用3 nm ZnPe修饰的器件性能最好.通...
  • 11. 直拉法生长Si1-xGex单晶的数值模拟
    作者： 刘锋 韩焕鹏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年10期
    页码:  989-993
    摘要： 利用数值模拟技术对Si1-xGex单晶生长过程中的热传输和温度分布情况进行了模拟分析,并以此为条件对晶体生长过程中不同阶段下,不同埚转速度对晶体生长稳定性的影响进行了对比分析,获得了相应的数...
  • 12. 多晶硅还原炉倒棒原因探讨
    作者： 刘欣 宗文婷 杨志国 柯曾鹏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年10期
    页码:  994-998
    摘要： 多晶硅生产过程中的倒棒现象将给多晶硅生产企业带来巨大的经济损失和安全风险.通过对多晶硅生产中还原炉倒棒现象的总结分析,发现还原炉系统设备自身问题、硅芯质量及安装缺陷和硅棒生长中的工艺控制不当...
  • 13. 适用于连续数据速率CDR的相位插值器研制
    作者： 吴斌 周玉梅 矫逸书 蒋见花
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年10期
    页码:  999-1002
    摘要： 通过对相位插值器电路进行建模分析,得到了相位插值器的线性度与输入信号之间相位差、输入信号上升时间和输出节点时间常数的关系.根据分析得到的结论,提出了一种新型的应用于连续数据速率时钟数据恢复电...
  • 14. L波段0.9 mW CMOS LNA的分析与设计
    作者： 康成斌 杜占坤 阎跃鹏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年10期
    页码:  1003-1006
    摘要： 给出了一种采用Γ型输入匹配网络的源简并共源低噪声放大器电路结构,分析了在低功耗情况下,高频寄生效应对低噪声放大器(LNA)输入阻抗及噪声特性的影响,并采用此结构设计了一款工作于L渡段的低功耗...
  • 15. 一种高增益宽频带的增益自举运算放大器
    作者： 刘力源 李冬梅 王晋雄
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年10期
    页码:  1007-1010
    摘要： 设计了一个应用于高精度流水线结构ADC中的高增益、宽频带全差分运算跨导放大器(OTA).整体运放采用了2级结构,第一级采用套筒共源共栅结构,并结合增益自举技术来提高增益;第二级采用共源放大器...
  • 16. 一种高速高精度比较器的设计
    作者： 刘力源 李冬梅 李鹏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年10期
    页码:  1011-1015
    摘要： 数模转换器(ADC)作为片上集成系统SOC的关键模块,直接决定着SOC的性能.比较器更是在ADC中尤其是逐次逼近型(SAR)ADC中起着非常重要的作用.在SAR ADC中,比较器决定着ADC...
  • 17. 光学头中单片光电集成硅基PDIC的设计
    作者： 张寅博 张芦晶 李继芳 柯庆福 程翔 陈朝
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年10期
    页码:  1016-1019
    摘要： 针对应用于DVD光学头的关键部件PDIC,设计了一种芯片面积小、输出失调电压低的单片集成的硅基PDIC.芯片采用CSMC的0.5 μm BCD工艺,集成了p-i-n探测器与前置放大电路.重点...
  • 18. 一种新型过温保护电路
    作者： 王永顺 贾泳杰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年10期
    页码:  1020-1023
    摘要： 采用CSMC 0.5 μm工艺,设计了一种新型过温保护电路.从检测温度和控制温度两方面考虑,通过优化电路结构,提出一种新型系统解决方案.在不引入热振荡的前提下,实现稳定电路温度和输出关断信号...
  • 19. 高效率GaN MMIC优化技术的研究
    作者： 付兴昌 冯志红 宋建博 崔玉兴 张志国 李静强 王民娟 秘瑕 蔡树军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年10期
    页码:  1024-1027
    摘要： 使用国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料实现了大功率、高效率的GaN HEMT器件,建立了大信号模型,利用ADS软件建立了GaN MMIC的拓扑,仿真了驱动比对电路性能的影响.仿真结果表...
  • 20. 宽带限幅放大器的研制
    作者： 刘成鹏 刘英坤 贾长友
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年10期
    页码:  1028-1030,1038
    摘要： 从双极型晶体管Gummel-Poon模型出发,综合考虑晶体管的器件结构、工作状态和参数提取条件等完成参数提取,运用优化算法对提取参数进行局部和全局优化,给出了得到的GP模型参数值.以此为基础...
  • 21. 一种用于流水线ADC的高增益高带宽放大器
    作者： 刘源 徐文杰 王新安
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年10期
    页码:  1031-1034
    摘要： 介绍了一种适用于高速高精度流水线模数转换器(ADC)的放大器.该放大器使用了增益提升技术,具有高增益、高单位增益带宽的特点,能满足高速高精度ADC对放大器的性能要求.该放大器采用1.8 V ...
  • 22. 悬置带线超宽带高通滤波器的设计
    作者： 李宏军 白银超 要志宏 赵梁博
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年10期
    页码:  1035-1038
    摘要： 介绍了一种悬置带线超宽带高通滤波器.该滤波器采用了悬置带线结构,可以提供很高的Q值,减小了滤波器的插入损耗,具有极好的矩形度.这种结构还提供了双面电路,制作成宽边耦合线,可以解决微带线的边缘...
  • 23. 一种新型的轨到轨高斯函数发生电路
    作者： 张洵
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年10期
    页码:  1039-1042
    摘要： 提出了一种轨到轨电压输入、电流输出的高斯函数产生电路的实现方式,它是模糊控制器以及神经网络等电路中的重要部件.通过在传统的高斯函数产生电路的输入级引入PMOS和NMOS差分对,并针对不同输入...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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