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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 1. 基于SOI技术的MEMS超声分离器制备方法研究
    作者： 丁杰雄 华晨辉 王宇翔 肖含立 陈栋
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年12期
    页码:  1145-1148,1173
    摘要： 基于简正模式的MEMS超声分离器对分离腔的侧壁垂直度、深度均匀性以及表面平整度等要求较高,结合IC工艺重点探讨、研究了超声分离器腔体制作方法.提出将SOI(silicon on insula...
  • 2. HfO2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究
    作者： 季红兵 张雪锋 徐静平 王志亮 邱云贞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年12期
    页码:  1149-1152
    摘要： 为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层.相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现...
  • 3. NPB厚度对堆叠式白光OLED性能的影响
    作者： 刘丁菡 张方辉 蒋谦 阎洪刚
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年12期
    页码:  1153-1157
    摘要： 主要研究了NPB厚度对堆叠式白色有机电致发光器件性能的影响.实验制备了四组结构为ITO/2-TNATA(15 nm)/NPB(T nm)/ADN(30 nm):TBPe(2%):DCJTB(...
  • 4. 信息动态
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年12期
    页码:  1157,1208,1232-1235
    摘要：
  • 5. 超突变结变容管的设计模型
    作者： 郝达兵 钱刚 顾卿
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年12期
    页码:  1158-1161
    摘要： 通过建立一种超突变结变容二极管的杂质浓度分布模型,并基于求解一雏泊松方程、雪崩击穿条件方程和电阻计算公式,推导了该模型的C-V特性、VBR、Rs和Q值,设计了用于分析该模型的模拟软件,阐述了...
  • 6. ZnO/ZnS核/壳纳米结构的形态及其演变模式
    作者： 吴正龙 段文静 王引书 郑东 郭奇花 阳洪超
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年12期
    页码:  1162-1166
    摘要： 用两步生长的方法在醋酸锌和六亚甲基四胺水溶液中生长ZnO纳米棒阵列,然后以ZnO纳米棒阵列为模板,在Na2S水溶液中硫化0.5～6 h形成ZnO/ZnS纳米结构.用XRD,SEM和TEM表征...
  • 7. ULSI硅衬底CMP速率稳定性的研究
    作者： 刘效岩 刘海晓 刘玉岭 周建伟 赵巧云
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年12期
    页码:  1167-1169,1182
    摘要： 介绍了ULSI硅衬底的抛光工艺,并对其抛光机理进行了理论分析.通过对抛光液循环使用过程中CMP速率稳定性及其影响因素进行深入系统的分析,得出pH值、抛光温度和黏度等因素的变化是影响抛光速率稳...
  • 8. 射频磁控溅射法沉积透明柔性导电CdO薄膜
    作者： 吴秋红 季振国 毛启楠
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年12期
    页码:  1170-1173
    摘要： 随着透明电子器件和柔性显示器的发展,柔性透明导电薄膜正在受到越来越多的关注.采用射频磁控溅射法在柔性衬底上低温沉积高透过率、低电阻率的CdO薄膜.研究了O2流量对薄膜的结晶性能、光学性质和导...
  • 9. Al-Mg合金化学机械抛光的实验研究
    作者： 刘玉岭 徐文忠 牛新环 穆会来
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年12期
    页码:  1174-1177
    摘要： 将CMP技术用于Al-Mg合金表面加工中,根据抛光布特性及Al-Mg合金性质来选择抛光布.并从研究Al-Mg合金在碱性条件下化学机械抛光机理出发确定相应的抛光液,最后对Al-Mg合金化学机械...
  • 10. 重掺杂直拉硅单晶氧化诱生缺陷的无铬腐蚀研究
    作者： 孙燕 曹孜 李惠 石宇 翟富义 边永智
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年12期
    页码:  1178-1182
    摘要： 采用无铬和含铬两种溶液共同腐蚀不同型号、不同掺杂剂和不同晶向的重掺单晶样品,研究如何更好地使用无铬腐蚀液显示重掺杂晶体氧化诱生缺陷.实验表明反应过程中温度控制在25～30℃,腐蚀液中适当增加...
  • 11. 热场结构对直拉硅单晶生长能耗影响分析
    作者： 刘冰 吴志强 姜舰 戴小林 邓树军 高宇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年12期
    页码:  1183-1185
    摘要： 结合多年热场使用经验和计算机模拟技术分析了在热场结构中影响能耗的主要因素,并提出了降低能耗的有效措施,其中包括使用热屏、紧凑的热场结构及使用低热导率的保温材料.使用小口径热屏对降低能耗有显著...
  • 12. 高阻区熔硅单晶的径向少子寿命变化
    作者： 庞炳远 张殿朝 索开南 闫萍
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年12期
    页码:  1186-1189,1221
    摘要： 在氩气气氛及真空环境下生长的高阻区熔硅单晶的径向少子寿命分布情况进行了检测.检测结果表明,在氩气气氛下生长的各种规格的高阻单晶,其少子寿命一般都在1 000μs以上,且径向变化大部分在10%...
  • 13. 焊球植球凸块工艺的可靠性研究
    作者： 汪辉 肖启明
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年12期
    页码:  1190-1193,1212
    摘要： 焊球植球是一种最具潜力的低成本倒装芯片凸块制作工艺.采用焊球植球工艺制作的晶圆级芯片尺寸封装芯片的凸块与芯片表面连接的可靠性问题是此类封装技术研究的重点.为此,参考JEDEC关于电子封装相关...
  • 14. 基于COB技术的SiP模块可靠性分析
    作者： 李国元 李志博 陈素鹏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年12期
    页码:  1194-1198,1231
    摘要： 针对COB形式的SiP模块,应用有限元分析方法模拟了该模块在湿热环境下的湿气扩散和湿应力分布,以及回流焊过程中的热应力分布,并通过吸湿实验和回流焊实验分析了该模块失效模式.结果表明,在湿热环...
  • 15. SOC芯片并行测试中几个值得关注的问题
    作者： 王晔
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年12期
    页码:  1199-1203
    摘要： 介绍了提高测试效率的SOC芯片在片测试的两种并行测试方法,结合上海集成电路技术与产业促进中心的多个实际的SOC芯片测试项目中所积累的成功经验,针对多工位测试和多测试项目平行测试这两种并行测试...
  • 16. 微型PCR系统及其温控特性研究
    作者： 刘泽文 司卫华 国石磊 田昊 秦健
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年12期
    页码:  1204-1208
    摘要： 介绍了一种基于芯片的微型聚合酶链式反应(polymerase chain reaction,PCR)系统,利用该系统进行了温度控制和响应特性研究.系统由PCR芯片、封装PCB板及单片机控制系...
  • 17. 带宽稳定的低压锁相环
    作者： 李冬梅 杨东
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年12期
    页码:  1209-1212
    摘要： 基于UMC 0.18/μm混合信号工艺,设计实现了一种具有稳定带宽的低压低功耗电荷泵型锁相环电路,参考频率32.768 kHz,输出频率范围1～50 MHz,主要为音频A/D提供采样时钟.分...
  • 18. 串行低压差分信号接收器设计
    作者： 李平 韦雪明
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年12期
    页码:  1213-1216
    摘要： 设计了一种内置差分信号有效性检测电路的串行低压差分信号接收器,通过对信号的差分摆幅进行比较,能够正确检测差分信号是否处于标准范围之内.采用片内阻抗匹配网络和镜像补偿型差分电路结构实现了高速串...
  • 19. 具有精确恒定跨导偏置电路的Gm-C滤波器
    作者： 刘永刚 杜占坤 郭桂良 阎跃鹏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年12期
    页码:  1217-1221
    摘要： 改进了一种精确恒定跨导偏置电路,通过对电流和晶体管尺寸的设计使主电路跨导恒等于外接高精度电阻跨导,与传统结构相比具有更高的精度.将该偏置电路应用于无线传感网芯片中9阶Gm-C椭圆低通滤波器的...
  • 20. 高线性度低功耗的4阶开关电容低通滤波器
    作者： 杜大海 林云松 熊飞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年12期
    页码:  1222-1225
    摘要： 介绍了一种应用于传感器的高线性度低功耗全差分4阶贝塞尔开关电容滤波器.该滤波器的运算放大器为输出AB类运算放大器,通过AB类运算放大器以及开关电容共模反馈的设计,降低了功耗.在运算放大器中设...
  • 21. 微电子制造业人才需求与培养模式研究
    作者： 丁伟 陈飞宇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年12期
    页码:  1226-1231
    摘要： 人才短缺、质量不高和层次结构不合理等问题成为制约我国微电子制造业发展的重要瓶颈之一,其产生原因是微电子制造业人才需求与培养存在严重脱节.通过对台积电、中芯国际等微电子制造企业进行深入访谈调研...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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