ULSI硅衬底CMP速率稳定性的研究

• 作者: 刘效岩 刘海晓 刘玉岭 周建伟 赵巧云
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 硅衬底 去除速率 循环抛光 稳定性
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 1167-1169,1182
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2225字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.12.006

摘要

介绍了ULSI硅衬底的抛光工艺,并对其抛光机理进行了理论分析.通过对抛光液循环使用过程中CMP速率稳定性及其影响因素进行深入系统的分析,得出pH值、抛光温度和黏度等因素的变化是影响抛光速率稳定性的主要原因.并提出改进方案:控制好温度范围和流量的改变,以及循环中适当增加新的抛光液.为CMP速率稳定性的研究提供了有意义的借鉴.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	周建伟	河北工业大学微电子研究所	40	197	8.0	11.0
3	刘效岩	河北工业大学微电子研究所	20	133	8.0	10.0
4	刘海晓	河北工业大学微电子研究所	4	31	3.0	4.0
5	赵巧云	河北工业大学微电子研究所	1	3	1.0	1.0