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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 1. BDD 电化学结合表面活性剂的新型清洗方法
    作者： 刘效岩 刘玉岭 周强 高宝红
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  859-862,888
    摘要： 提出了一种新型抛光后的清洗方法,采用掺硼金刚石膜作阳极的电化学方法制备出氧化液,用其去除表面有机污染物,同时配合使用非离子表面活性剂去除表面固体颗粒.用金刚石膜电化学制备出氧化液,克服了单纯...
  • 2. 辐照对PDSOI RF MOS体接触结构器件性能的影响
    作者： 刘刚 刘梦新 韩郑生
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  863-867
    摘要： 基于抗辐照加固0.35μm PDSOI CMOS工艺制作了RF NMOS器件,研究了电离总剂量辐照对不同体接触结构、栅结构器件性能的影响.在其静态工作模式下,分别考虑了辐照对器件转移特性、泄...
  • 3. 130nm PDSOI DTMOS体延迟研究
    作者： 毕津顺 海潮和 韩郑生
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  868-870
    摘要： 研究了基于IBM 8RF 130 nm工艺部分耗尽绝缘体上Si(PDSOI)动态阈值晶体管(DTMOS)体电阻、体电容以及体电阻和体电容乘积(体延迟)随Si膜厚度和器件宽度的变化.结果表明,...
  • 4. 气源分子束外延生长的InAs/InP(100)量子点激光器
    作者： 徐承福 李世国 杨海东 陈朋 高山 龚谦
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  871-873
    摘要： 利用气源分子束外延(GSMBE)技术,在InP(100)衬底上生长InAs量子点激光器.有源区包含5层InAs量子点,每层量子点的平均尺寸是2.9 nm和76 nm,面密度在1010 cm-...
  • 5. AlGaN/GaN HEMT中电场分布的ATLAS模拟
    作者： 张明兰 杨瑞霞 王晓亮 胡国新
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  874-876,902
    摘要： 用Silvaco的ATLAS软件模拟了栅场板参数对AlGaN/GaN HEMT中电场分布的影响.模拟结果表明,场板的加入改变了器件中电势的分布情况,降低了栅边缘处的电场峰值,改善了器件的击穿...
  • 6. SiOx:Er薄膜材料光致发光特性的研究
    作者： 徐骏 沈海波 王启明 郭亨群 陈坤基
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  877-880,938
    摘要： 采用射频磁控反应溅射技术,以Er2O3和Si为靶材,制备了SiOx:Er薄膜材料,在不同温度和不同时间下进行退火处理,室温下测量了样品的光致发光(PL)谱,观察到Er3+在1 530,1 5...
  • 7. 电化学方法去除Si片CMP后表面金属杂质的研究
    作者： 刘玉岭 刘金玉 檀柏梅 牛新环 边娜
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  881-884
    摘要： 论述了集成电路制备中Si衬底CMP过程中引入的金属杂质的危害,分析了目前CMP后清洗中金属杂质去除方法的现状和存在问题,通过对金属杂质在Si片表面的吸附进行理论分析,提出了用金刚石膜电化学清...
  • 8. 对电子产品Al盒体一种腐蚀现象的分析与措施
    作者： 刘红兵 李伟 梁淑燕 韩建栋
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  885-888
    摘要： 对2A12型Al盒体材料湿热试验后出现的一种腐蚀现象进行了观察和分析.采用X射线光电子能谱分析(XPS)的方法,对发生腐蚀的材料进行了成分分析,并进行了多种不同型号Al材料的比较试验.通过实...
  • 9. 原位法制备通孔AAO模板的原理和工艺
    作者： 何凤英 秦刚 郭光华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  889-893
    摘要： AAO模板是制备纳米材料常用的模板,然而由于阻挡层的存在,制约了其在很多方面的应用.介绍了在不剥离基体的前提下,采用阶梯降压法和反向电压法在原位除去阻挡层,制备通孔的模板.利用场发射扫描电镜...
  • 10. 基于DOE和BP神经网络对Al线键合工艺优化
    作者： 李国元 毕向东 胡俊 谢鑫鹏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  894-898
    摘要： Al丝超声引线键合工艺被广泛地应用在大功率器件封装中,以实现大功率芯片与引 线框架之间的电互连.Al丝引线键合的质量严重影响功率器件的整体封装水平,对其工艺参数的优化具有重要工业应用意义.利...
  • 11. 富硅氧化硅微盘的制备研究
    作者： 陈曜
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  899-902
    摘要： 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)及高温退火工艺制备了富硅氧化硅(SRSO)薄膜材料.喇曼光谱仪探测表明,该材料具有较高的光致发光(PL)效率,并在750 nm波长处达到发光峰值.采...
  • 12. 一种新颖的制备聚合物光电薄膜的旋涂装置
    作者： 张剑平 文尚胜 桂宇畅 王保争 赵宝锋
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  903-905
    摘要： 设计了一种新颖的制备聚合物光电薄膜的旋涂装置.该设计在传统旋涂装置的基础了,通过增加聚合物溶液载台转盘法向进动功能,改进了聚合物溶液成膜质地疏松、致密度不高问题,减少了成膜过程中产业气泡等缺...
  • 13. 检波器的高线性研究与测试方法
    作者： 周彪 要志宏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  906-908,943
    摘要： 检波器是影响辐射计线性特性的核心器件.在分析了改变检波器平方律区间几种方法的基础上,利用谐波平衡法设计了一种中心频率24 GHz、带宽为1 GHz的混合集成高线性检波器,并基于最小二乘法理论...
  • 14. 一种NAND型三维多层1TXR阻变存储器设计
    作者： 吴雨欣 张佶 林殷茵 金钢
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  909-912
    摘要： 随着存储器市场逐渐受消费电子的驱动,对高密度低成本的存储需求正在不断增加.阻变存储器正在成为新型非挥发存储器的研究热点.提出一种适用于未来高密度应用的与非(NAND)型共享选通管的三维多层1...
  • 15. 基于MOCCII的低压低功耗自偏置CCIII的设计
    作者： 苏长远 陈向东 陈小培
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  913-917
    摘要： 采用TSMC 0.35 μm工艺参数,基于多输出端第二代电流传输器(MOCCⅡ)提出了一种新型CCⅢ电路,电路采用轨对轨的输入结构,有效地提高了信号摆幅;通过电路内部晶体管提供偏置,达到了减...
  • 16. 改进的共享锁存器同步器的设计和应用
    作者： 冯华星 李晓江
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  918-922
    摘要： 随着设计复杂度的提高,当前SOC系统的集成能力空前提高,SOC的设计面临巨大的挑战.针对多时钟域之间的亚稳态现象,分析了亚稳态产生的原因,介绍了几种同步器的工作原理,比较了各自的优缺点,在此...
  • 17. 适用于中国UWB标准0.18μm CMOS发射机前端研制
    作者： 张永琥 张海英 高振东
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  923-927
    摘要： 基于0.18 μm CMOS工艺设计了一款适用于中国超宽带(UWB)标准的发射机前端.该发射机前端通过在片内集成有源巴仑,实现了信号先差分至单端转化、后信号放大的策略,不仅提高了系统集成度而...
  • 18. 用于减小总谐波失真的乘法器设计
    作者： 刘成 张晋芳 陈后金 鞠家欣
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  928-931
    摘要： 模拟乘法器是实现有源功率因数校正(APFC)的关键模块电路.为了提高APFC电路的性能,在对目前一般芯片中普遍采用校正电路的THD(总谐波失真)较大,导致功率因数较低的原因进行分析研究的基础...
  • 19. 跟踪式光伏发电系统的性能分析
    作者： 施正荣 朱拓 李果华 蔡世俊 高亮 高鹏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  932-938
    摘要： 对不同太阳位置的表述方法进行了简单描述,详细讨论了光伏跟踪系统的分类.基于处理过的PSA算法及向量法对太阳位置进行计算,计算出的太阳位置与MICA数据对比误差在0.7°以内.给出更有利于跟踪...
  • 20. 微波混合集成电路的ESD设计
    作者： 李群春 王乔楠
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  939-943
    摘要： 主要介绍了微波混合集成电路ESD设计的一些探索工作,对两种不同功能和形式的混合集成电路的抗静电能力和电路中的薄弱部位进行了研究和分析.依据实验摸底结果并结合电路的自身特点,有针对性地进行ES...
  • 21. 12位20MS/s流水线ADC的研制
    作者： 刘文楷 姜岩峰 戴澜
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  944-946
    摘要： 流水线结构是高速高精度ADC的首选.通过对流水线ADC的结构、MDAC电路进行了研究;提出新型采样保持开关;设计了12位20 MS/s采样率流水线ADC,并基于SMIC0.35μm混合CMO...
  • 22. 基于失配序列的OFDM同步算法
    作者： 丁丽媛 付博 肖丽萍
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  947-950
    摘要： 提出了一种利用失配序列来完成OFDM符号同步的新方法.在发端直接加入失配序列作为OFDM符号的训练序列,在收端将OFDM符号序列与失配滤波器系数做相关运算,利用失配序列的优良自相关特性和有效...
  • 23. 飞思卡尔使智能计量更加高效和安全——嵌入式的领导者推出电、水和天然气计量技术,帮助检测偷漏电,节约能源并降低成本
    作者： 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  951-952
    摘要：
  • 24. 信息动态
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年9期
    页码:  953-954
    摘要：

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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