SiOx:Er薄膜材料光致发光特性的研究

• 作者: 徐骏 沈海波 王启明 郭亨群 陈坤基
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频磁控反应溅射 SiOx:Er薄膜 光致发光
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 877-880,938
• 分类号: O472.3
• 字数: 3657字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.09.006

摘要

采用射频磁控反应溅射技术,以Er2O3和Si为靶材,制备了SiOx:Er薄膜材料,在不同温度和不同时间下进行退火处理,室温下测量了样品的光致发光(PL)谱,观察到Er3+在1 530,1 542和1 555 nm处波长的发光,发现退火能明显增强Er3+的发光.研究了退火温度和时间对SiOx:Er薄膜光致发光的影响,发现Er2O3与Si面积比为1∶1时,1 100℃下20 min退火为样品的最佳退火条件.采用XRD和材料光吸收测试对样品结构和光学性质进行了研究,得到样品中Si晶粒大小为1.6 nm,样品的光学带隙为1.56 eV.对3种不同Er2O3与Si面积比的SiOx:Er薄膜材料进行研究,得到Er2O3与Si面积比为1∶3为样品的最佳配比,对薄膜材料发光现象进行了探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐骏	南京大学物理学系	22	38	3.0	4.0
2	陈坤基	南京大学物理学系	31	53	5.0	6.0
3	郭亨群	华侨大学信息科学与工程学院	40	180	8.0	11.0
5	王启明		3	17	2.0	3.0
6	沈海波	华侨大学信息科学与工程学院	2	1	1.0	1.0