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半导体技术2018年出版文献
出版文献量（篇）
5044
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38
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24788
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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1. 固态微波电子学的新进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 固态微波电子学是现代电子学的重要分支之一,其基础材料已由第一代半导体Si和Ge、第二代半导体GaAs和InP,发展到第三代半导体GaN和SiC,石墨烯和金刚石等C基新材料正在进行探索性的研究...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 随着金属氧化物半导体(MOS)集成电路工艺的飞速发展,体硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)模型经历了从物理到经验,最后到半经验物理的转变.介绍了以阈值电压和反转电荷为建模基础的伯...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 提出并实现了一款采用相位噪声优化技术的特高频(UHF)频段小数分频频率综合器,其工作频率为0.8～1.6 GHz.采用死区消除技术减少了鉴频鉴相器和电荷泵的噪声对系统的影响.采用分布式变容管...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 串行接口常用于高速数据传输,实现多路低速并行数据合成一路高速串行数据.设计了一种高速并串转换控制电路,实现在低频时钟控制下,通过内部锁相环(PLL)实现时钟倍频和数据选通信号,最终形成高速串...
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5. 硅光电探测器阵列刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 以获得高量子效率的pin硅光电探测器阵列为目标,对影响pin硅光电探测器阵列量子效率和暗电流的重要因素展开了分析,此外针对探测器入射面的抗反射层结构进行了理论分析与模拟的仿真研究.流片测试结...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 提出了一种适用于FinFET变容管的建模方法.在BSIM-CMG的基础上,模型采用衬底模型和外围寄生模型来表征变容管的射频寄生效应.提出了具体的参数提取方法,将测试的S参数导入到安捷伦IC-...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)低温处理和高温快速退火的技术,研究了退火条件对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响.在n型4H-SiC外延片上高温干氧氧化50 nm厚的SiO2层...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 基体温度是影响金刚石薄膜生长质量的重要因素之一.基于有限元分析法,通过AN-SYS CFX软件对基体温度场进行模拟仿真,得到基体表面温度场的分布,并分别讨论了热丝-基体距离、热丝间距、水冷系...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 针对由金属-绝缘体-金属(MIM)电容金属层光刻返工引起的产品成品率下降10％的问题,开展了一系列工艺实验,分析了引起失效的机理并提出了改进措施.采用扫描电子显微镜对失效样品进行了分析和表征...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 基于密度泛函理论和第一性原理,对4H-SiC晶格中5种点缺陷(VC,VC-C,填隙B,替位B和替位P)的晶格常数、电荷布居、能带等微观电子结构进行了计算,并从缺陷形成能、杂质电离能和载流子浓...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 为了预测倒装芯片封装中的下填充过程,通常要首先通过繁复的方法来求解平均毛细压.为了避免此问题,从能量的角度分析了倒装芯片封装工艺中的下填充流动过程.认为下填充是较低表面能的界面代替较高表面能...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年1期页码:摘要： 针对变电所中通信电源的核心器件电力金属氧化物半导体场效应晶体管(power MOSFET,P-MOSFET)在大功率、强电流下易损坏、故障率高,直接影响电力通信业务的安全稳定运行的问题,提出...
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13. 固态微波电子学的新进展(续)刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年2期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年2期页码:摘要： 双面太阳电池因具有更高的等效转换效率、可降低25％以上的系统成本和更广泛的应用等优点引起了人们的广泛关注.介绍了双面太阳电池的工作原理,重点总结了钝化发射极及背表面完全扩散(PERT)双面太...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年2期页码:摘要： 基于GaAs异质结双极性晶体管(HBT)工艺设计了一款输出频率为8～10 GHz的X波段四倍频器单片微波集成电路(MMIC).采用两级对管平衡倍频器级联结构,并在输出端设计了驱动放大器,实现...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年2期页码:摘要： 设计了一种应用于DC-DC开关电源芯片中的新型软启动电路.其核心是一种带电容倍增结构的软启动电路,电路结构简单、易于实现,采用密勒电容倍增技术,极大地减小了所需电容尺寸,进而显著减小了电路版...
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17. 一款高性能JFET输入运算放大器刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年2期页码:摘要： 基于结型场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)兼容工艺设计了一种高性能运算放大器.电路设计采用了JFET作为运算放大器的输入级,实现了高输入阻抗和宽带宽,采用BJT实现了高的转换速...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年2期页码:摘要： 随着CMOS技术进入14 nm技术结点,三维鳍型场效应晶体管(FinFET)源漏寄生电阻的提取随结构的改变而变得更为复杂,高精度寄生电阻的提取对器件建模及电路性能至关重要.根据FinFET器...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年2期页码:摘要： 利用机械剥离法制备了多层背栅MoS2场效应晶体管(FET),通过双向栅压扫描提取了器件的转移特性曲线,并利用Y函数方法提取了器件的电学参数.结果表明,利用Y函数法提取的载流子迁移率值明显大于...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年2期页码:摘要： 阵列波导光栅(AWG)是密集波分复用光通信和芯片光谱仪中的核心芯片,提出了一种新的AWG制造方法,在制作芯层时采用原位生长包层/芯层/包层三明治结构,采用化学气相沉积(CVD)工艺原位生成芯...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年2期页码:摘要： 采用原子层沉积技术及退火处理工艺制备高阻氧化锌铝(AZO)纳米叠层薄膜.通过原子力显微镜、X射线衍射仪、高阻测试仪对不同退火工艺处理后的AZO纳米叠层薄膜进行表征和分析,并研究了退火温度、退...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年2期页码:摘要： 以Zn粉与Cu(Ac)2为主要反应物,采用水热法在新型反应液中制备了Cu2O纳米薄膜.探讨了Cu(Ac)2的浓度、十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)浓度、NaOH浓度、反应时间和反应温度等制备...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年2期页码:摘要： 随着以堆叠封装(POP)为代表的三维封装在各类便携式消费电子产品中的广泛应用,其面临的振动载荷日益增多,由振动失效而导致的电子产品的失效问题也日益突出.以两层堆叠POP模块为研究对象,采用两...
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24. 高温下塑封器件键合铜线的可靠性刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年2期页码:摘要： 针对塑封器件键合铜线在高温环境下的贮存可靠性问题,进行铜线键合塑封器件的高温贮存试验.对经过高温贮存后的塑封器件进行无损开封,分析了高温贮存对铜键合线的拉伸强度和第一键合点剪切强度的影响.利...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年3期页码:摘要： 阐述了一种应用于人机交互领域的手势控制算法和片上系统(SOC)芯片设计.手势控制系统基于单摄像头与主动式红外补光方法,通过目标区域提取和特定姿势识别等核心算法,实现了对各类人机交互手势的高效...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年3期页码:摘要： 采用GaAs赝配HEMT单片微波集成电路(MMIC)工艺和堆栈偏置技术设计实现了一款Q波段低噪声放大器(LNA)芯片.该放大器采用4级级联的堆栈偏置拓扑结构,前两级电路在确保较低输入回波损耗...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年3期页码:摘要： 提出了一种基于微杠杆原理的左右分布式低交叉耦合、高灵敏度的硅微谐振加速度计结构.该结构采用了一级微杠杆放大机构,左右双音叉谐振器和单质量块布局,实现了力放大和差动频率输出,具有结构简单、易于...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年3期页码:摘要： 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在(010) Fe掺杂半绝缘Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,材料结构包括400 nm的非故意掺杂Ga2O3缓冲层和40 nm...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年3期页码:摘要： SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)多芯片并联或分立器件并联器件已成为大电流应用的主流方案.为研究SiC MOSFET器件参数分散性对并联器件电流分配的影响,采用变异系数作为...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年3期页码:摘要： 借助于TACD数值仿真,对具有交叉指状结构的锗硅异质结双极型晶体管(SiGeHBT)中由重离子辐射诱导的单粒子瞬态(SET)效应展开了详细的研究.首先分析了重离子辐射诱导的电势和场强的变化,...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
半导体技术统计分析
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