14 nm工艺3D FinFET器件源漏寄生电阻提取与建模

• 作者: 石艳玲 陈寿面
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 鳍型场效应晶体管(FinFET) 非本征寄生 源漏寄生电阻 建模 TCAD仿真
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 120-124,153
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.02.006

摘要

随着CMOS技术进入14 nm技术结点,三维鳍型场效应晶体管(FinFET)源漏寄生电阻的提取随结构的改变而变得更为复杂,高精度寄生电阻的提取对器件建模及电路性能至关重要.根据FinFET器件结构将源漏寄生电阻分割为3部分:由凸起源漏与接触孔所引入的寄生电阻(Rcon)、狭窄鳍到宽源漏区的过渡区寄生电阻(Rsu)以及源漏与沟道之间的寄生电阻(Rext).考虑电流拥挤效应、电流展宽和栅压控制效应,分别采用平均电流长度法和微元积分法等对Rcon,Rsp和Rext进行建模.最后,将所建模型与TCAD仿真进行对比验证,结果表明所建模型可准确反映源漏寄生电阻的变化,其中过渡区寄生电阻的相对误差小于1％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石艳玲	华东师范大学信息科学技术学院	47	205	8.0	12.0
2	陈寿面		5	10	2.0	3.0