光刻返工引起的MIM电容失效机理和解决方案

• 作者: 刘峰松 陆金 陶有飞
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光刻返工 金属-绝缘体-金属(MIM)电容 针孔 等离子体去胶 显影溶剂
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 59-62
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.01.009

摘要

针对由金属-绝缘体-金属(MIM)电容金属层光刻返工引起的产品成品率下降10％的问题,开展了一系列工艺实验,分析了引起失效的机理并提出了改进措施.采用扫描电子显微镜对失效样品进行了分析和表征,发现失效样品的氮化硅介电层有空洞,而未经MIM光刻返工的样品均未发现介质层有异常.由于MIM金属层光刻返工时,经过等离子体去胶和EKC溶液清洗表面易对电容介质层造成损伤,引起极板间短路,进而影响器件性能.实验结果表明,采用有机显影溶剂去胶来取代等离子体去胶,可有效改善光刻返工引起的电介质层损伤.采用该方法返工两次以内的成品率均不受影响.同时发现MIM电容层上的钨塞孔链密度在一定程度上影响失效率,分析认为高孔链密度样品更易受到后续孔刻蚀工艺的强电场影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘峰松		2	2	1.0	1.0
2	陆金		2	2	1.0	1.0
3	陶有飞		2	2	1.0	1.0