氧化后退火技术对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响

• 作者: 孙玉华 张宝顺 张璇 曾春红 杨涛涛 林文魁 鞠涛 韩军
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC MOS电容 C-V测试 界面态密度 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 48-52
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.24
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.01.007

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)低温处理和高温快速退火的技术,研究了退火条件对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响.在n型4H-SiC外延片上高温干氧氧化50 nm厚的SiO2层并经N2原位退火,随后在PECVD炉中对样品进行350℃退火气氛为PH3,N2O,H2和N2的后退火处理,之后进行高温快速退火,最后制备Al电极4H-SiC MOS电容.I-V和C-V测试结果表明,各样品的氧化层击穿场强均大于9 MV/cm,PH3处理可以降低界面有效负电荷和近界面氧化层陷阱电荷,但PH3处理样品的界面态密度比N2O处理的结果要高.经N2O氛围PECVD后退火样品在距离导带0.2和0.4 eV处的界面态密度分别约为1.7× 1012和4×1011eV-1·cm-2,有望用于SiC MOSFET器件的栅氧处理.