一种基于BSIM-CMG的FinFET变容管模型

• 作者: 刘军 朱袁科 李文钧 陆海燕
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: FinFET 变容管 BSIM-CMG 参数提取 模型
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 42-47
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.01.006

摘要

提出了一种适用于FinFET变容管的建模方法.在BSIM-CMG的基础上,模型采用衬底模型和外围寄生模型来表征变容管的射频寄生效应.提出了具体的参数提取方法,将测试的S参数导入到安捷伦IC-CAP建模软件提取参数,测试结构引入高频寄生采用(open+ short)去嵌方法进行去嵌.通过调节模型参数拟合测试曲线得到FinFET变容管模型.该模型可精确表述FinFET变容管全工作区域特性,解决传统MOS变容管模型无法准确描述三维FinFET器件变容特性的问题.模型和模型参数提取方法采用20个硅鳍、16个栅指、158 nm栅长、578 nm栅宽的FinFET变容管进行建模验证,模型仿真和测试所得C-V,R-V和S参数特性吻合良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李文钧	杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室	20	61	5.0	6.0
2	刘军	杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室	30	47	4.0	6.0
3	陆海燕	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成电路和模块电路重点实验室	4	4	1.0	2.0
4	朱袁科	杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室	1	0	0.0	0.0