退火处理对高阻AZO纳米叠层薄膜电学性能的影响

• 作者: 关钧 拜晓峰 端木庆铎
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌铝(AZO)纳米叠层薄膜 原子层沉积(ALD) 电学特性 退火处理 微通道板(MCP)
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 136-141
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.26|TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.02.009

摘要

采用原子层沉积技术及退火处理工艺制备高阻氧化锌铝(AZO)纳米叠层薄膜.通过原子力显微镜、X射线衍射仪、高阻测试仪对不同退火工艺处理后的AZO纳米叠层薄膜进行表征和分析,并研究了退火温度、退火时间对薄膜形貌、结构及电学稳定性的影响.研究结果表明,经退火处理后的AZO纳米叠层薄膜电阻率明显增大,且适当的时间退火处理有助于薄膜结构的优化.经400℃,6h退火处理后的AZO纳米叠层薄膜,表面平整连续,粗糙度仅有0.185 nm,且电学稳定性最好.在测试电压为25～1 000 V时,测得薄膜的方块电阻最大值为5.76×1012Ω/□,最小值为5.55×1012Ω/□,其方块电阻基本稳定.该工艺制备的AZO纳米叠层薄膜在微通道板电子倍增器中具有一定的应用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	端木庆铎	长春理工大学理学院	56	241	8.0	12.0
2	关钧	长春理工大学理学院	2	4	2.0	2.0
3	拜晓峰		2	6	2.0	2.0