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摘要:
基于结型场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)兼容工艺设计了一种高性能运算放大器.电路设计采用了JFET作为运算放大器的输入级,实现了高输入阻抗和宽带宽,采用BJT实现了高的转换速率和高的可靠性.基于运算放大器工作原理的分析,对运算放大器的特性参数进行了仿真和优化,采用Bi-JFET工艺进行了工艺流片.测试结果表明,运算放大器在±15 V电源电压下输入失调电压为0.57 mV,输入偏置电流为0.021 nA,输入失调电流为0.003 nA,单位增益带宽为4.8 MHz,静态功耗为48 mW.运算放大器芯片版图尺寸为1.2 mm×1.0 mm.
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文献信息
篇名 一款高性能JFET输入运算放大器
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 结型场效应晶体管(JFET) 双极型晶体管(BJT) 运算放大器 兼容工艺 高输入阻抗
年,卷(期) 2018,(2) 所属期刊栏目 半导体集成电路
研究方向 页码范围 115-119,135
页数 6页 分类号 TN432
字数 语种 中文
DOI 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.02.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 何峥嵘 中国电子科技集团公司第二十四研究所 7 152 3.0 7.0
2 王成鹤 中国电子科技集团公司第二十四研究所 4 22 2.0 4.0
3 吴昊 中国电子科技集团公司第二十四研究所 11 23 3.0 4.0
4 杨阳 中国电子科技集团公司第二十四研究所 12 24 3.0 4.0
5 张明敏 中国电子科技集团公司第二十四研究所 2 7 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
结型场效应晶体管(JFET)
双极型晶体管(BJT)
运算放大器
兼容工艺
高输入阻抗
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
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38
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