固态微波电子学的新进展

• 作者: 赵正平
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 固态微波电子学 RF CMOS SiGe BiCMOS RF LDMOS RF MEMS GaAs PHEMT GaAs MHEMT InP HEMT InP HBT GaN/SiC HEMT GFET 金刚石FET 射频微系统 3D异构集成
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 1-14,47
• 页数: 15页
• 分类号: TN303
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.01.001

摘要

固态微波电子学是现代电子学的重要分支之一,其基础材料已由第一代半导体Si和Ge、第二代半导体GaAs和InP,发展到第三代半导体GaN和SiC,石墨烯和金刚石等C基新材料正在进行探索性的研究,其加工工艺的尺寸也已进入纳米尺度,其工作频率已达到1 THz,应用的频率可覆盖微波毫米波到太赫兹.目前固态微波电子学呈多代半导体材料和器件共同发展的格局.综述了具有代表性的1 1类固态器件(RF CMOS,SiGe BiCMOS,RF LDMOS,RF MEMS,GaAs PHEMT,GaAs MHEMT,InP HEMT,InP HBT,GaN/SiC HEMT,GFET和金刚石FET)近几年的最新研究进展,详细介绍了有关固态微波电子学的应用需求、技术特点、设计拓扑、关键技术突破和测试结果,分析了当前固态微波电子学总的发展趋势和11类固态微波器件的发展特点和定位.最后介绍了采用3D异构集成技术的射频微系统的最新进展,指出射频微系统是发展下一代射频系统的关键技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵正平		46	197	7.0	12.0