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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 1. Si片多线切割技术与设备的发展现状与趋势
    作者： 任丙彦 李宁 李艳玲 王平 罗晓英
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  301-304,387
    摘要： 介绍了Si片的多线切割宏观切割机理与微观切割机理,指出控制钢线张力减少钢线震动是切割工艺的重要指标.讨论了切割过程主要影响因素,钢线的外包Cu会造成Si片表面金属残留,钢线磨损影响Si片厚度...
  • 2. 制绒Si片清洗工艺的研究
    作者： 乔琦 张光春 施正荣 朱拓 李果华 王永谦 王淑珍 陈肖静
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  305-308
    摘要： 研究对比了不同清洗工艺对制绒Si片性能的影响,采用原子力显微镜和少子寿命测试仪测试经不同化学清洗工艺处理之后的Si片表面微粗糙度和少子寿命.研究发现,使用浓硫酸、双氧水混合液和稀释的氢氟酸溶...
  • 3. 太阳能级Si片清洗工艺分析
    作者： 任丽 张兵 李宁 李艳玲 王安平 王平 罗晓英 褚世君
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  309-312
    摘要： 在实验基础上对太阳能级Si片碱性清洗工艺进行了分析,指出碱性清洗液在适宜的工艺环境下,配合超声清洗和表面活性剂的使用可以获得良好的清洗效果.结果表明,表面金属浓度分别达到Cu元素小于1.3×...
  • 4. FEC法生长Si和In双掺GaAs单晶生长技术
    作者： 刘晏凤 周春锋 李延强 杜颖 杨连生
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  313-316
    摘要： 研究了几种消除LEC GaAs材料的位错措施以降低温度梯度从而尽可能降低晶体的热应力.掺入等电子In或Si使杂质硬化,为了抑制晶体表面产生位错,开发了全液封切克劳斯基(FEC)晶体生长技术....
  • 5. PVT生长掺V SiC单晶的扫描电镜二次电子像衬度
    作者： 严如岳 冯玢 洪颖 王香泉 章安辉 郝建民
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  317-319
    摘要： 在用SEM观察沿单晶生长方向切割掺V SiC晶片时,发现其二次电子像存在衬度.表现为先生长部分较明亮,后生长部分较暗淡,中间存在明显突变.在用PVT生长掺V SiC单晶时,SiC单晶中同时含...
  • 6. 基于表面势的HEMT模型分析
    作者： 刘军 吕彬义 孔月婵 孙玲玲 陈磊 陈辰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  320-324
    摘要： 将表面势的概念引入GaAs高电子迁移率晶体管器件结构,以建立可精确描述HEMT器件输入/出特性的新模型.通过分析最基本的HEMT构,参考Si基MOSFET中Pao-sah模型的分析方法,对沟...
  • 7. 征稿
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  324
    摘要：
  • 8. 表面型静电感应晶闸管负阻导通特性的研究
    作者： 季涛 杨利成
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  325-328
    摘要： 运用漂移- 扩散模型,对表面型静电感应晶闸管的导通特性进行了数值模拟.分析表明,表面型静电感应晶闸管(SITH)具有与纵向结构SITH类似的负阻导通特性,而且表面型结构的各电极相对面积比纵向...
  • 9. 基于神经网络的HEMT大信号模型
    作者： 刘新 吴洪江 杨克武
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  329-332,336
    摘要： 运用人工神经网络技术建立了高电子迁移率晶体管(HEMT)的大信号模型.通过脉冲I-V测试和测量不同偏置条件下的S参数,获得了大信号等效电路模型中寄生参数和非线性本征元件的数值.通过BP神经网...
  • 10. 提高SiC MESFET功率增益的研究
    作者： 娄辰 潘宏菽
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  333-336
    摘要： 在高纯半绝缘衬底上采用国产的外延技术和自己开发的器件设计及工艺技术,研制出在S波段连续波输出功率大于10W、功率增益大于9dB、功率附加效率不低于35%的性能样管,比研制初期的3～5dB的功...
  • 11. 新型亚纳秒切断半导体开关器件研制
    作者： 刘忠山 刘英坤 崔占东 杨勇 马红梅
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  337-339
    摘要： 介绍了一种新型亚纳秒切断全固态高功率脉冲开关器件,阐述了其工作机理.该器件利用器件体内等离子体特殊的恢复过程来完成电流的迅速切断.采用多层Si片叠加的制造工艺技术,单个器件反向工作峰值电压大...
  • 12. 高效率连续1 000 W半导体激光器叠层阵列
    作者： 彭海涛 徐会武 杨红伟 王媛媛 陈宏泰 黄科
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  340-343
    摘要： 采用低压MOCVD外延技术生长的GaInAs/AlGaAs应变量子阱大光腔结构材料结构设计,利用低压MOCVD外延技术生长了3英寸(75mm)激光器外延片,进而设计制作了976nm大功率低热...
  • 13. 肖特基势垒二极管SiO2-Si3N4复合钝化膜研究
    作者： 孙俊峰 石霞 顾晓春
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  344-348
    摘要： 对Si肖特基势垒二极管的钝化技术进行了研究.研究了不同淀积温度、气体流量、射频功率以及气体压力等工艺技术条件下,淀积PECVD SiO2和LPCVD Si3N4膜的介电强度E、介电常数εr、...
  • 14. 基于准分子激光工艺制作X射线光掩膜
    作者： 李以贵 陈少军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  349-351
    摘要： LIGA工艺是一项能够应用于制造三维微机械结构的微细加工技术,但制作掩膜版工艺复杂、成本高.为了解决商用的微光学系统制造成本问题,在Au薄膜上用准分子激光直写的方法制作掩膜,这样既能够很快得...
  • 15. 空气隙Cu互连结构热应力史研究
    作者： 尹匀丰 汪辉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  352-356,377
    摘要： 将空气引入Cu导线间形成空气隙,可有效降低等效介电常数Keff,但同时也使互连结构的机械稳定性面临着挑战.利用ANSYS进行了有限元热分析,研究了制备空气隙Cu互连结构的两种主流工艺过程,即...
  • 16. 纳米压印中残余胶刻蚀工艺研究
    作者： 李海华 王庆康 黄康
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  357-360
    摘要： 压印光刻在图形转移之后,需要去除残留在凹槽底部的胶.采用RIE工艺对紫外压印胶的刻蚀速率进行了研究.结果表明,随着气压或气体流量增大,刻蚀速率均会先增加,达到一定值后又开始下降;在刻蚀气体中...
  • 17. 空间太阳电池用超薄Ge单晶片的CMP技术
    作者： 刘春香 杨洪星 林健 赵权
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  361-364
    摘要： 以Ge单晶抛光片为衬底的空间太阳电池在我国的应用已越来越多.目前,抛光后Ge单晶片的几何参数,尤其是表面状态常不能满足使用要求.介绍了超薄Ge衬底片抛光的工艺技术,开展了抛光压力、抛光盘转速...
  • 18. 沟槽功率MOS器件的多晶Si填槽工艺研究
    作者： 周建伟 康效武 秦晓静
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  365-368
    摘要： 介绍了多晶Si薄膜的成膜机理及其在集成电路中的应用,针对沟槽功率MOSFET集成电路制造中两种主流多晶Si工艺的优点和不足进行了分析和对比.从栅氧化层厚度分布和Arriving Angle模...
  • 19. 25μm Au丝引线键合正交试验研究
    作者： 旷仁雄 谢飞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  369-372
    摘要： 通过分析键合工艺参数,为25μmAu丝引线键合的应用提供实验依据.采用正交试验法对键合工艺参数进行试验研究.起决定性作用的是因素间的交互作用和劈刀的安装长度,其次为压力、超声功率、超声时间、...
  • 20. 粘片机焊头机构快速启停最优运动速度规划
    作者： 吴小洪 姜永军 曹占伦 杨志军 陈新
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  373-377
    摘要： 对于高速精密微电子封装操作,必须降低焊头振动.基于ADAMS多体动力学和控制系统分析与优化模块,建立了粘片机焊头机构动力学PID控制模型.通过联合仿真优化,实现了摆臂式焊头机构在满足最大扭矩...
  • 21. 器件工艺可靠性测试数据比较方法的研究
    作者： 周柯 杨斯元 王擎雷
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  378-382
    摘要： 热载流子注入(hot carrier injection,HCI)效应和负偏压温度不稳定性(negative biastemperature instability,NBTI)是集成电路中重...
  • 22. 利用高频C-V特性评价CMOS工艺
    作者： 孔学东 汪顺婷 熊海 章晓文
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  383-387
    摘要： MOS结构电容由于其结构简单并且和CMOS工艺兼容,是进行实时工艺监控和测试工艺参数的重要测试结构.采用通过对相同工艺不同厂家生产的两批电容样品进行高频C-V测试,编程计算提取器件相关参数....
  • 23. 低噪声高单位增益带宽双极型运放设计
    作者： 严鸣 倪雪梅 凌新 周洋 成立 杨宁
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  388-392
    摘要： 设计了一款低噪声、高单位增益带宽的运放电路.该款电路基于0.25μm SiGe双极工艺,采用三级级联的形式,输入级选取多个双极型晶体管(BJT)并联,用作差分对管,以抑制噪声;中间级不但用p...
  • 24. 基于X射线探测电路的可变增益放大器的研制
    作者： 姜俊伟 曲明 李瑞杰 檀柏梅 赵毅强
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  393-397,402
    摘要： 基于512元X射线探测器读出电路,对传统可变增益放大器(VGA)电路的结构和内部运放进行了优化设计,使其具有了改进相关双采样(CDS)的功能,从而使得512元整体电路得到了优化.分析了改进型...
  • 25. 基于能量恢复的单相功率时钟触发器及其应用
    作者： 刘海南 周玉梅 高雷声
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  398-402
    摘要： 介绍了一种基于能量恢复的单相功率时钟触发器.该触发器的输入信号和输出信号均为方波,因此可以直接与传统的组合逻辑级联.该触发器仅需要14个晶体管,远少于传统触发器中晶体管的数目.仿真结果显示,...
  • 26. 基于功耗优化的流水线ADC研制
    作者： 卫宝跃 周玉梅 胡晓宇 范军 陈利杰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  403-406
    摘要： 提出了一种使流水线模数转换器功耗最优的系统划分方法.采用Matlab进行模拟,以信噪比(SNR)为约束,得出一定精度条件下,流水线ADC各子级分辨率和各级采样电容缩减因子的不同选取组合;又以...
  • 27. 可工作于77 K低温下的CMOS缓冲器
    作者： 张耀辉 谢保健 马文龙
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  407-410
    摘要： 设计了用于制冷型红外读出电路系统的输出缓冲器,该缓冲器能在读出电路5MHz的读出速度下驱动约20pF的电容,可以在低温77K下工作.对运放的增益,频率特性等进行了详细地阐述,并考虑了低温77...
  • 28. 飞思卡尔新款处理器有助于降低下一代电子阅读器的成本,促进其创新
    作者： 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  411-412
    摘要：
  • 29. 产业新闻信息
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  413-414
    摘要：
  • 30. 大幅提高液体过滤性能降低半导体和微电子制造成本——新式GORE(R)过滤芯参展SEMICON China 2010
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2010年4期
    页码:  415-416
    摘要：

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

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