利用高频C-V特性评价CMOS工艺

• 作者: 孔学东 汪顺婷 熊海 章晓文
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: MOS电容 界面态 高频C-V测试
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 所属期刊栏目: 封装、测试与设备
• 页码范围: 383-387
• 页数: 5页
• 分类号: TN32
• 字数: 3317字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.04.021

摘要

MOS结构电容由于其结构简单并且和CMOS工艺兼容,是进行实时工艺监控和测试工艺参数的重要测试结构.采用通过对相同工艺不同厂家生产的两批电容样品进行高频C-V测试,编程计算提取器件相关参数.通过对比同一厂家样品中相同面积MOS电容和不同面积电容参数的分布特性,以及不同厂家样品各个参数的差异,对CMOS相关工艺进行评价.为工艺过程以及相关设计的改进提供参考依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊海	广东工业大学材料学院	2	13	1.0	2.0
5	孔学东		8	21	2.0	4.0
6	章晓文		13	39	4.0	5.0
7	汪顺婷		1	1	1.0	1.0