基于表面势的HEMT模型分析

• 作者: 刘军 吕彬义 孔月婵 孙玲玲 陈磊 陈辰
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率管晶体管 表面势 泊松方程 Pao-sah模型
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 320-324
• 页数: 5页
• 分类号: TN604
• 字数: 3064字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.04.006

摘要

将表面势的概念引入GaAs高电子迁移率晶体管器件结构,以建立可精确描述HEMT器件输入/出特性的新模型.通过分析最基本的HEMT构,参考Si基MOSFET中Pao-sah模型的分析方法,对沟道电荷利用泊松方程表述,并结合能带电压关系,建立HEMT器件中表面势(ΦS)对于栅压(VGS)的关系.基于上述分析计算了沟道中电子的饱和点.根据推导所得方程,模型计算得到的某具体器件沟道面电荷密度(ns)-栅压(VGS)关系曲线和基于T-CAD工具仿真结果在线性区得到很好的吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙玲玲	杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室	68	213	8.0	9.0
2	刘军	杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室	30	47	4.0	6.0
3	吕彬义		2	7	2.0	2.0
5	陈辰		8	39	4.0	6.0
8	孔月婵		1	3	1.0	1.0