基于SOI技术的MEMS超声分离器制备方法研究

• 作者: 丁杰雄 华晨辉 王宇翔 肖含立 陈栋
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 干法刻蚀 SOI片 MEMS超声分离器 侧壁垂直度 IC工艺
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 1145-1148,1173
• 分类号: TH703|TN304.12
• 字数: 2996字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.12.001

摘要

基于简正模式的MEMS超声分离器对分离腔的侧壁垂直度、深度均匀性以及表面平整度等要求较高,结合IC工艺重点探讨、研究了超声分离器腔体制作方法.提出将SOI(silicon on insulator)片作为刻蚀基底,采用等离子体干法刻蚀、硅/玻璃键合以及激光热加工等技术制备分离器,成功制备出腔体深度分别为137μm和200μm的分离器,腔体深度误差均在±2μm以内,腔体表面粗糙度Ra＜10 nm,腔体侧壁垂直度达83°.为MEMS超声分离器的制备提供了一种简便、高效的工艺方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁杰雄	电子科技大学机械电子工程学院	54	392	12.0	16.0
2	肖含立	电子科技大学机械电子工程学院	1	1	1.0	1.0
3	华晨辉	电子科技大学机械电子工程学院	5	21	2.0	4.0
4	陈栋	电子科技大学机械电子工程学院	2	3	1.0	1.0
5	王宇翔	电子科技大学机械电子工程学院	2	5	1.0	2.0