LED受ESD冲击前后性能的变化分析

• 作者: 严伟 李抒智 杨卫桥 陆海泉
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 基蓝光LED 静电放电 I-V特性 反向漏电流 光色电特性 加速老化实验
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 957-960
• 分类号: TN364.2|TN306
• 字数: 2944字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.10.002

摘要

对GaN基蓝光LED施加ESD冲击,比较LED在受到ESD冲击前后I-V特性曲线、-5 V反向漏电流以及光色电特性的变化发现在I-V特性曲线和-5 V反向漏电流有明显变化的情况下,LED的光色电特性没有明显变化.选择在受到ESD冲击后反向漏电流值为不同数量级的LED作为样品进行加速老化实验,比较样品在加速老化实验前后的I-V特性曲线、光色电特性等参数的变化.通过比较样品之间的光衰减速率,发现反向漏电流大于1 mA时,样品的光衰减明显加快.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨卫桥		9	57	4.0	7.0
2	李抒智		19	93	5.0	8.0
3	严伟	上海北京大学微电子研究院	3	18	2.0	3.0
4	陆海泉	上海北京大学微电子研究院	1	9	1.0	1.0