一种提高双向1 A可控硅触发灵敏度的工艺方法

• 作者: 耿开远
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 双向可控硅 触发灵敏度 局部补硼 磷扩散
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 573-576
• 分类号: TN342.3
• 字数: 2813字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.06.014

摘要

为了保证双向可控硅的导通性能,需要其四个导通状态的触发电流,IGT1,IGT2,IGT3和IGT4的大小尽可能地接近,尽可能地灵敏.采用目前国内常规工艺在,IGT3小于5 mA,IGT4小于7 mA时,器件的VDRM和VRRM会低于600 V甚至400 V,致使产品无法正常使用及满足客户的需求.提出了一种改进工艺,通过采用光刻补B区,局部补适当浓B并且采用P扩后补B的方法,提高了注入电流的有效占比,使相同的P扩条件下IGT减小,触发灵敏度提高.该工艺所生产的产品的触发电流均匀性好,触发灵敏度高,通态压降低,使该产品稳定性好,通用性强,使用过程中发热量小.此工艺技术简单实用,操作方便,效果明显,产品的主要性能参数在同行中处于国际领先水平.