Si深刻蚀光助电化学方法的研究

• 作者: 牛憨笨 赵志刚 郭金川 雷耀虎
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 化学
• 关键词: 光照 电化学刻蚀 扩散 n型硅
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(光刻技术)
• 页码范围: 517-521
• 分类号: TN305.7|O657.1
• 字数: 3755字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.06.001

摘要

光助电化学刻蚀技术是目前获取高深宽比微纳结构的重要方法之一.由于其制作成本低、三维结构形貌可光控实现而受到重视.从实际应用出发,对Lehmann光照模型和电流密度经验公式进行了修正,并从理论和实验上研究了光照对电化学刻蚀过程和结构形貌的影响.着重分析了光照红移带来的正面效果和负面影响.理论分析和实验均证明,采用提出的修正模型,可以方便地实现对厚度为400～500μm的Si片深刻蚀,并可在刻蚀深度为150μm的情况下,实现壁厚在0.2μm到数微米的控制,Si片刻蚀面的直径可达5英寸(125 mm)或更大.为该技术的实现提供了修正的理论模型和实用化的工艺技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵志刚		13	93	6.0	9.0
5	牛憨笨		2	10	2.0	2.0
6	雷耀虎		1	6	1.0	1.0
7	郭金川		1	6	1.0	1.0