镀Pd Cu线键合工艺中Pd行为研究

• 作者: 从羽奇 张滨海 王家楫 王德峻 范象泉 赵健 钱开友
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 封装 铜线键合 镀钯层 金属间化合物
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 564-568
• 分类号: TN305.93
• 字数: 2360字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.06.012

摘要

由于Cu线热导率高、电性能好、成本低,将逐渐代替传统Au线应用于IC封装.但Cu线键合也存在Cu材料本身固有特性上的局限:易氧化、硬度高及应变强度等.表面镀Pd Cu线材料的应用则提供了一种防止Cu氧化的解决方案.然而,Cu线表面的Pd层很可能会参与到键合界面形成的行为中,带来新的问题,影响到Cu线键合的强度和可靠性.对镀Pd Cu线键合工艺中Pd的行为进行了系统的研究,使用了SEM,EDS等分析手段对cu线、烧结Cu球(FAB)、键合界面等处Pd的分布状况进行了检测,结果证明Pd的空间分布随着键合工艺的进行发生了很大的变化,同时还对产生Pd分布变化的原因进行了分析和讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王家楫	复旦大学材料科学系	25	114	6.0	9.0
2	范象泉	复旦大学材料科学系	3	17	3.0	3.0
3	王德峻		4	23	4.0	4.0
4	从羽奇		4	23	4.0	4.0
5	张滨海	复旦大学材料科学系	4	24	4.0	4.0
6	钱开友		2	11	2.0	2.0
7	赵健		1	6	1.0	1.0