超深亚微米IC的宇宙射线辐射软失效研究

• 作者: 冯军宏 刘云海 张荣哲 简维廷 董伟淳
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 宇宙射线 中子 软失效 单粒子翻转
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 封装、测试与设备
• 页码范围: 555-559
• 分类号: TN406
• 字数: 2755字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.06.010

摘要

辐射引起的软失效一直是影响半导体可靠性的一个重大问题.特别是宇宙射线引起的在地球表面的高能中子,由于其特有的高穿透性很难有效屏蔽防护.介绍了其造成半导体器件软失效的失效机理,并利用加速软失效测试模型分别对90,65和45nm工艺的随机静态存储器的软失效率进行了分析,研究了该类中子造成的软失效率的影响因素及相关规律.据此预测了更高工艺技术产品的中子软失效率,在为芯片设计和制造阶段就对中子辐射可靠性的防护提供了一定的参考和依据.