环栅结构CMOS/SOI器件SPICE模型研究

• 作者: 张正选 贺威
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 环栅 绝缘体上硅 SPICE模型 宽长比 体接触
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 542-545
• 分类号: TN386.1|TN402
• 字数: 2851字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.06.007

摘要

建立了环栅结构的CMOS/SOI器件的SPICE模型,可以对抗辐照设计中环栅结构的CMOS/SOI器件计算其等效宽长比,将环栅器件转换为等效宽度和长度的条栅器件;以及对体接触电阻等其他受影响的SPICE模型参数做出调整,使其电学特性模拟达到最准确精度.模拟数据和试验数据具有很好的一致性,证明所建立的模型具有较高的精度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺威	深圳大学电子科学与技术学院	23	56	4.0	6.0
2	张正选	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	20	56	4.0	6.0