双掺杂多晶Si栅MOSFET的截止频率研究

• 作者: 代月花 李俊生 陈军宁 齐锐
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 双掺杂多晶Si栅 低掺杂漏/源MOS 栅极掺杂浓度 截止频率 MEDICI软件
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 534-537
• 分类号: TN386.4
• 字数: 2063字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.06.005

摘要

在前期对双掺杂多晶Si栅(DDPG)LDMOSFET的电场、阈值电压、电容等特性所作分析的基础上,仍然采用双掺杂多晶Si栅结构,以低掺杂漏/源MOS(LDDMOS)为基础,重点研究了DDPG-LDDMOSFET的截止频率特性.通过MEDICI软件,模拟了栅长、栅氧化层厚度、源漏区结深、衬底掺杂浓度以及温度等关键参数对器件截止频率的影响,并与相同条件下P型单掺杂多晶Si栅(p-SDPG)MOSFET的频率特性进行了比较.仿真结果发现,在栅长90 nm、栅氧厚度2 nm,栅极P,n掺杂浓度均为5×1019cm-3条件下,截止频率由78.74 GHz提高到106.92 GHz,幅度高达35.8%.此结构很好地改善了MOSFET的频率性能,得出的结论对于结构的设计制作和性能优化具有一定的指导作用,在射频领域有很好的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈军宁	安徽大学电子科学与技术学院	160	1135	16.0	26.0
2	代月花	安徽大学电子科学与技术学院	34	113	6.0	8.0
3	齐锐	安徽大学电子科学与技术学院	1	4	1.0	1.0
4	李俊生	安徽大学电子科学与技术学院	1	4	1.0	1.0